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ST与飞思卡尔为汽车应用签署广泛的技术协议

汽车行业两大主要半导体供应商飞思卡尔与ST将联合建立一个MCU设计团队，共同改进其工艺技术，并共享包括高功率MOS技术的IP(知识产权)。两家公司签署的协议包括：基于PowerPC内核的高性能、低成本32位MCU、针对汽车和导航应用的基础IP、联合改进90nm嵌入式Flash工艺技术、以及高电压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术。

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