日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的供应商 RF Micro Devices, Inc.宣布，该公司在 6 月 5-7 日于夏威夷、檀香山举行的 2007 年 IEEE MTT-S 国际微波研讨会上展出了用于无线基础设施的新系列 GaAs pHEMT 低噪声放大器 (LNA)，并展示其面向商业及军事应用的 GaN高功率产品。

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