为了避免暗电流降低图像质量，Dongbu公司的一个团队在CMOS感光层进行了一个三管齐下的策略。首先在浅沟槽隔离(STI)和光电二极管的接合处构建P+区，消除由于非一致性硅接口而导致的暗电流。然后再通过　掩模多晶硅来形成一个保护电极，从而实现高达1000万像素的均匀色泽。最后通过注入倾斜离子来除去“成像滞后”现象。