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利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA

在LNA设计中，首先应确定哪种类型器件提供最好的功能与性能的组合，其次是选择器件的大小尺寸。而用于LNA设计的GaAs PHEMT有两种不同的器件形式：增强型(E模式)和耗尽型(D模式)晶体管。虽然两种LNA在布局上几乎一样，仿真显示在同样的DC功耗下，E模式PHEMT有更好的性能。

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