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FRAM借130nm CMOS工艺克服存储密度限制

FRAM填补了传统主流半导体存储器RAM和非易失性存储器ROM之间的性能间隙，应用规模正在不断扩大。最近，随着Ramtron与TI之间商业制造协议的签订，以及采用TI成熟的130纳米CMOS工艺生产FRAM，FRAM的存储密度已突破1Mb的极限，在FM22L16中可提供4Mb容量。

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