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West Bridge Astoria控制器增加对多层单元NAND闪存的支持

采用快速交叉编码N-Xpress多层单元NAND闪存控制技术的West Bridge Astoria控制器具备静态磨损均衡控制、坏区块管理以及4位ECC特性，可支持最多16个SLC/MLC NAND设备。

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