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- TrenchFET MOSFET在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ(2012-05-15)
- Vishay下一代D系列MOSFET具有3A～36A电流(2012-05-04)
- Vishay新推高压、超快表面贴装雪崩整流器(2012-04-19)
- 高电压金属釉膜电阻MG系列误差低到1%(2012-03-26)
- 具备75V、80V及85V额定击穿电压的高速开关二极管(2012-03-23)
- Diodes新增十款通用低压CMOS逻辑器件系列(2012-03-20)
- 采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器(2012-01-16)
- 采用2x2-mm无引脚DFN封装的功率晶体管(2012-01-06)
- Diodes封装MOSFET低温支持高达1W的功率耗散(2012-01-05)
- 符合全面认证的碳化硅MOSFET芯片(2011-12-30)
- CHPHT环绕式厚膜片式电阻工作温度可达+230℃(2011-12-15)
- 工作在-55～+215℃宽温条件的双通道薄膜电阻网络(2011-12-12)
- 工作温度在-55℃～+175℃的钽电容器(2011-12-07)
- Vishay三款共模扼流圈额定电流达8.0~4.0A(2011-12-05)
- Vishay Siliconix推出SiZ300DT和SiZ910DT(2011-11-15)
- PI为SemiSouth Silicon销售碳化硅二极管和JFET(2011-11-11)
- 凌力尔特热插拔I2C总线缓冲器(2011-10-27)
- 采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦(2011-10-26)
- 1200V Z-Rec二极管提高太阳能微型逆变器能源效率(2011-10-14)
- IR IGBT具有1300V重复峰值额定值(2011-10-06)
- LDMOS晶体管为广播电视发射器设立了新基准(2011-09-16)
- 首款高速双通道6A MOSFET驱动器(2011-09-15)
- Power Metal Strip电阻具有高功率等级和极低阻值(2011-09-13)
- 带开关控制器的电流镜及SENSEFET功率MOSFET(2011-09-13)
- 阻值为0.5～5mΩ的4接头检流电阻(2011-09-07)
- 3.0mm超薄IHLP小尺寸、高电流电感器(2011-08-11)
- 温度至电压转换器以1℃的准确度测量远端二极管(2011-07-18)
- 科锐1200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管的开关损耗可锐减50%(2011-07-11)
- 波段为2.7~3.5GHz的GaN HEMT晶体管与MMIC(2011-06-28)
- PLTT精密低TCR高温薄膜电阻温度范围为-55～+215℃(2011-06-23)
- 超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合(2011-06-21)
- IR车用MOSFET提高30%电流，减少50%引线电阻(2011-05-30)
- 采用8引脚SO-8封装的功率因数校正和镇流器控制IC
(2011-05-23) - T86系列固钽贴片电容器0.1秒内熔断即可起作用(2011-03-21)
- 新款PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻(2011-02-14)
- 导通电阻低至16mΩ的TrenchFET功率MOSFET(2011-01-26)
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- Vishay Siliconix推出新款ThunderFET功率MOSFET(2010-07-16)
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