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| TrenchFET MOSFET在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK SO-8和1212-8封装。 |
2012-05-15 |
| 英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA 英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID（高强度放电）照明等谐振拓扑。 |
2012-04-16 |
| 可提供超过100W功率的DC/DC LED驱动器 LT3791采用4个外部开关MOSFET，连续提供从5W直到超过100W的LED功率，效率可高达98.5%。LED的电流准确度为±6%，可确保恒定照明，同时±2%的输出电压准确度使该转换器能作为恒定电压源工作。 |
2012-04-05 |
| 支持3.2A工作的高能效无线充电IC 安森美半导体(ON Semiconductor) 推出创新的功率MOSFET集成电路(IC)——NMLU1210，用于手机、多媒体平板电脑、便携式媒体播放器(PMP)、数码相机及全球卫星定位系统(GPS)设备等便携产品的无线充电应用。 |
2012-03-28 |
| 第二代XS DrMOS系列FDMF6708N节省50%的占位面积 ltrabook设备和笔记本等应用的设计人员面临降低电源设计中电感高度的挑战，以满足更薄的低侧高终端系统要求。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，用于大电流、高频率同步降压DC-DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管，采用热性能增强型6x6mm2 PQFN Intel DrMOS v4.0标准封装。 |
2012-03-23 |
| 瑞萨电子新P通道MOSFET，功耗仅为以往产品一半 瑞萨电子日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子（Li-ion）二级电池的充电控制开关和与AC适配器进行电源转换的电源管理开关等用途进行最佳化的μPA2812T1L。 |
2012-03-02 |
| Vishay新款P沟道30 V芯片级MOSFET再创业界记录 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。 |
2012-02-22 |
| 飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。 |
2012-02-17 |
| Linear推出双输出同步降压型 DC/DC 控制器 凌力尔特公司推出双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3861，该控制器可与外部功率链器件 (如 Power Block 和 DrMOS)、以及分立式 N 沟道 MOSFET 和相关的栅极驱动器配合工作，从而实现了灵活的设计配置。 |
2012-02-14 |
| 采用TO无铅封装的车用电源MOSFET 英飞凌专利的无铅粘晶(die attach)技术采用扩散焊接，可提升电性与散热表现、可制造性以及品质。该粘晶技术搭配英飞凌的薄晶圆制程(60μm，标准为175μm)，为功率半导体提供多项改良。 |
2012-01-10 |
| STW88N65M5 MOSFET通态电阻仅为0.029Ω 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度；现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上，对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器，新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。 |
2012-01-09 |
| AOS推出具领先标准并适用便携式应用的功率MOSFET 日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。 |
2011-11-23 |
| Vishay Siliconix推出SiZ300DT和SiZ910DT 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项，使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。 |
2011-11-15 |
| 软开关转换器的输出电容考量 功率转换开关频率一直在不断提高，以便最大限度地提升功率密度，软开关技术如零电压开关(ZVS)正逐渐普及以进一步提高开关频率。随着开关频率的增大，功率MOSFET的寄生特性不再可以忽略不计。对于采用ZVS拓扑的功率转换器设计，输出电容是所有寄生成分中至关重要的寄生参数，它决定了需要多少电感来提供ZVS的工作条件。 |
2011-11-02 |
| Vishay新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。 |
2011-11-01 |
| TE推出新一代低电阻、高电流可回流焊热保护器件 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。 |
2011-10-24 |
| 适合电动汽车和混合动力汽车的三相栅极驱动器 AUIRS2332J 高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器具备三个独立的高低侧参考输出通道。IR专有的 HVIC 技术使单片式结构坚固耐用，而且其逻辑输入与 CMOS 或 LSTTL 输出相兼容，低至3.3V 逻辑。新器件还提供能通过外部电流感应电阻来进行桥电流模拟反馈的集成接地参考运算放大器、电流跳闸功能，以及可显示过流和欠压关断的漏极开路故障信号。该 IC 采用 PLCC44 封装，提供高电压引脚间的更高爬电距离，简化电路板布局。 |
2011-10-24 |
| 首款高速双通道6A MOSFET驱动器 Intersil公司推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案，非常适合用于开关电源、电机驱动器和D类放大器等应用。 |
2011-09-15 |
| 带开关控制器的电流镜及SENSEFET功率MOSFET 安森美半导体(ON Semiconductor)推出带开关控制器的电流镜CAT2300，将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET 功率MOSFET器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理，用于便携计算机及网络设备等应用。 |
2011-09-13 |
| IIC-2012参展商特瑞仕的绿色视野 作为模拟技术的专业集团，特瑞仕（TOREX）利用其专业意识和对生产制造精益求精的态度，为市场提供适应时代要求的技术。目前特瑞仕正在努力并且积极地关注环境保护的议题。因此，在IIC-2012上，特瑞仕将带来卓越的高效率电源IC，充实了从电压检测器到电压调整器、DC/DC转换器、温度传感器、功率MOSFET、肖特基二极管等产品阵容。 |
2011-09-12 |
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话题PK：NFC能否成为手机标准配置？New!
蓝牙标配了，Wi-Fi标配了，NFC（近距离无线通讯技术）却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC，此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内，NFC芯片能否成为手机标准配置呢？
正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及，NFC即将成为手机标配。
支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。 支持反方
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