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什么是晶体管？
晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一。晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 |
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| Netronome下一代流处理器将使用Intel的22nm工艺生产 网络流处理器开发商Netronome日前宣布：进一步延伸该公司与英特尔公司之间的战略性 伙伴关系，其中Netronome的下一代流处理器将使用英特尔领先的22纳米工艺进行生产。Netronome将提供世界首批基于英特尔创领市场的3-D三维晶体管技术的流处理器，并且颠覆流处理器在网络及安全应用方面性能、功耗和成本的系统基准。 |
2012-04-12 |
| Dialog携手台积开发电源管理芯片应用的BCD技术 BCD技术能够有效整合先进逻辑、模拟、高电压以及场效型晶体管（FET type transistor），而Dialog公司将应用此技术生产电源管理整合度更高、尺寸更小的单一芯片，以符合智能型手机、平板计算机、超薄笔记本电脑等行动产品的需求；同时，0.13微米BCD技术可透过降低导通电阻Rds（on）大幅提升电源管理芯片的效能，提供客户更具节能优势的集成电路设计。 |
2012-04-05 |
| 瑞萨电子新P通道MOSFET，功耗仅为以往产品一半 瑞萨电子日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子（Li-ion）二级电池的充电控制开关和与AC适配器进行电源转换的电源管理开关等用途进行最佳化的μPA2812T1L。 |
2012-03-02 |
| APS像素的原理和结构 为了改进CMOS成像器的图像质量，往往增加APS像素的有源器件数。4T-APS可以大幅度提高光电信号的信噪比；5T和6T等多晶体管像素结构可以用于实现全局快门功能和防止图像开花。但是在特定的像素尺寸下，这些增加的晶体管面积，会挤占光电二极管的面积，从而降低像素的填充系数。 |
2012-02-09 |
| 提高晶体管功率以支持雷达系统 防御雷达系统的设计人员不断试图找到输出功率提高到一个新水平的晶体管。如果将这种大功率器件应用于他们的雷达系统，就可以增加探测范围和提高灵敏度。Microsemi公司的碳化硅(SiC)静电感应晶体管(SIT)，提高了UHF频段上的脉冲输出，从而引起了雷达系统设计师的兴趣，以支持下一代防御雷达系统的开发。 |
2012-02-01 |
| STW88N65M5 MOSFET通态电阻仅为0.029Ω 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度；现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上，对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器，新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。 |
2012-01-09 |
| 采用2x2-mm无引脚DFN封装的功率晶体管 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日发布业内首款采用2-mm x 2-mm 3管脚无引脚DFN封装的中 功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封装，是恩智浦中 功率晶体管家族中的首位小型晶体管成员。 |
2012-01-06 |
| Vishay发布6款低输入电流绿色光耦器件 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布了6款低输入电流并带有光电晶体管输出，采用DIP-4、SSOP-4半节距miniflat和SOP-4L加长型miniflat封装的光耦---VO617A、VO618A、VOL617A、VOL618A、VOS618A、VOS628A，扩大其光电子产品组合。新光耦具有优异的隔离性能，能够保障人身和设备安全。 |
2011-12-27 |
| 电源管理半导体市场强劲增长 2010年电源管理半导体市场的所有领域均出现增长，整体产业扩大至310亿美元，电压调节器和专用晶体管(specific transistors)等个别领域的增长率甚至高达40%以上。 |
2011-12-19 |
| 小封装下的最杰出数字技术 今年有很多出色的数字技术诞生，比如Xilinx的多层（multislice）2.5D FPGA和英特尔的3D晶体管技术。不过它们定位高端，要对整个产业带来重大影响还需时日。另有两种新技术可以更快带来冲击。首先是Microship的CLC（可配置逻辑单元），还有Adapteva公司的低功耗16核加速器Epiphany。二者都能有效提供高性能。 |
2011-12-15 |
| Diodes推出线性LED驱动器简化低功率LED控制 Diodes公司推出AL5802线性LED驱动器，提供简单、具成本效益及低电磁干扰的解决方案。该驱动器集成了一个高增益的NPN晶体管，其预偏置NPN输出晶体管的额定电流为30V，足以控制多达九个低功率串联LED的电流。 |
2011-12-13 |
| 使用简易锁存电路保护电源 您曾经是否需要过一款简单、低成本的锁存电路？这里有这样一款电路，它只需几元钱的组件便可以提供电源故障保护，基本上是一个可控硅整流器 (SCR)，结合了一些离散组件。两个晶体管正常情况下为关闭状态。若想开启锁存，您需要将 PNP 基极驱动为低电平，或者将 NPN 基极驱动为高电平，直至其中一个晶体管开启。这样会形成集电极电流，让另一个晶体管也开启，从而进一步开启初始晶体管。 |
2011-12-05 |
| GaN技术助力RF固态放大器 MILMEGA目前采用极有发展前景的GaN(氮化镓)技术，GaN(氮化镓)技术是对于微波和RF功率放大器的革新技术而非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。 |
2011-11-28 |
| IR扩充坚固耐用的超高速600 V IGBT系列 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。 |
2011-11-17 |
| 内含氮化镓场效应晶体管的降压电源转换演示板 EPC9101是一款全功能的降压电源转换器演示电路，实现8V-19V输入、1.2V电压、18A最大电流输出及1MHz降压转换器，使用的器件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET，并配合德州仪器公司最近推出的国半100V半桥栅极驱动器（LM5113）。LM5113是业界首款专为增强型氮化镓场效应晶体管而设计的驱动器。 |
2011-10-27 |
| 零光强时无任何闪烁的离线式LED驱动器 Maxim Integrated Products, Inc推出离线式LED驱动器MAX16841，采用前沿（三端双向可控硅）和后沿（晶体管）调光器实现从最大光强到零光强的无闪烁调光。固定频率控制优化了工作在低压和高压交流电网的效率。 |
2011-10-19 |
| EPC质量管理系统获ISO9001：2008认证 宜普电源转换公司是基于节能增强型氮化镓晶体管的功率转换应用的领先供应商，其质量管理系统已经通过国际标准化组织的ISO9001:2008认证。 |
2011-10-14 |
| 宜普电源转换公司推出EPC9005开发板 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。 |
2011-09-26 |
| LDMOS晶体管为广播电视发射器设立了新基准 飞思卡尔半导体宣布推出高功率射频LDMOS晶体管，该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性，专门面向UHF广播电视应用而设计。 |
2011-09-16 |
| 应对功耗挑战：晶体管技术方案面临瓶颈 在电费占运营成本 (OPEX) 很大一部分，而运营成本则占总成本约 70% 的情况下，降低功耗对运营商来说已刻不容缓。以前，芯片提供商想办法通过晶体管和工艺技术来降低功耗。虽然晶体管是产生功耗的主要原因，但并非唯一因素，而且通过晶体管来降低功耗作用是有限的。 |
2011-09-14 |
| 精品设计专栏赏析 |
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话题PK：NFC能否成为手机标准配置？New!
蓝牙标配了，Wi-Fi标配了，NFC（近距离无线通讯技术）却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC，此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内，NFC芯片能否成为手机标准配置呢？
正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及，NFC即将成为手机标配。
支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。 支持反方
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