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2008-06-24 Trilithic公司展示宽带固态射频开关
  Trilithic公司的射频与微波元件事业部在IMS 2008上发布了一款频率范围在1MHz到4.2GHz之间的固态非反射式射频开关
2008-03-06 英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关
  英飞凌科技股份公司日宣布,该公司正在批量供应全球第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关,这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能??这是一项前所未有的技术突破。迄今为止,CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制作才能达到砷化镓开关的性能。
2007-09-07 采用PIN二极管解决宽带射频开关问题
  利用快速响应时间、长寿命、高线性以及可简单开关级联等特点,体效应二极管和外延生长PIN二极管,均能满足射频开关应用。
2006-06-29 Peregrine PE42742 75Ω射频开关展现宽带高性能
  PE42742宽带用高性能射频开关独有的设计性能,令此器件在断电状态下仍能维持隔离水平。它的阻抗为75Ω,设计标准比严格的FCC(美国通信委员会)第15.115段规定更为严苛,其隔离水平当属业内最高,为88dB@216MHz及78dB@806MHz。
2006-06-28 Peregrine 50Ω射频开关应用于DC-6GHz各个频段的超线性设计
  Peregrine半导体公司的PE42555采用了Peregrine的创新技术HaRP??增强的UltraCMOS技术,应用于DC至6.0 GHz各个频段,线性度表现卓越,将宽带性能推向更高限度。
2006-06-19 Dow-Key Microwave公司推出多用途的40GHz系列射频开关
  Dow-Key Microwave公司完整的40GHz系列射频开关包括SP6T多位同轴开关、DPDT(转接)同轴开关和SPDT同轴开关。
2006-02-07 Peregrine手机射频开关适用于双模WCDMA手机设计
  Peregrine半导体公司日前展出PE42671 SP7T移动手机开关,这种新产品采用该公司整合了增强的HaRP技术的新一代UltraCMOS工艺,是之前推出的SP6T和SP7T射频产品的补充。
2006-01-01 Anadigic射频开关功率达10W
  Anadigic的新款射频开关AWS5532额定功率达到10W,可应用于汽车电子通讯、GSM、CDMA以及WLAN移动平台等应用。
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