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| 2008-06-24 | Trilithic公司展示宽带固态射频开关 |
| Trilithic公司的射频与微波元件事业部在IMS 2008上发布了一款频率范围在1MHz到4.2GHz之间的固态非反射式射频开关。 | |
| 2008-03-06 | 英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关 |
| 英飞凌科技股份公司日宣布，该公司正在批量供应全球第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关，这种射频开关具有与采用砷化镓（GaAs）工艺制成的射频开关相同的性能??这是一项前所未有的技术突破。迄今为止，CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制作才能达到砷化镓开关的性能。 | |
| 2007-09-07 | 采用PIN二极管解决宽带射频开关问题 |
| 利用快速响应时间、长寿命、高线性以及可简单开关级联等特点，体效应二极管和外延生长PIN二极管，均能满足射频开关应用。 | |
| 2006-06-29 | Peregrine PE42742 75Ω射频开关展现宽带高性能 |
| PE42742宽带用高性能射频开关独有的设计性能，令此器件在断电状态下仍能维持隔离水平。它的阻抗为75Ω，设计标准比严格的FCC(美国通信委员会)第15.115段规定更为严苛，其隔离水平当属业内最高，为88dB@216MHz及78dB@806MHz。 | |
| 2006-06-28 | Peregrine 50Ω射频开关应用于DC-6GHz各个频段的超线性设计 |
| Peregrine半导体公司的PE42555采用了Peregrine的创新技术HaRP??增强的UltraCMOS技术，应用于DC至6.0 GHz各个频段，线性度表现卓越，将宽带性能推向更高限度。 | |
| 2006-06-19 | Dow-Key Microwave公司推出多用途的40GHz系列射频开关 |
| Dow-Key Microwave公司完整的40GHz系列射频开关包括SP6T多位同轴开关、DPDT(转接)同轴开关和SPDT同轴开关。 | |
| 2006-01-01 | Anadigic射频开关功率达10W |
| Anadigic的新款射频开关AWS5532额定功率达到10W，可应用于汽车电子通讯、GSM、CDMA以及WLAN移动平台等应用。 | |
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