邮件订阅
电子系统设计网站
共搜索到18篇文章
按相关度排序
按时间排序
| 用射频开关优化智能手机信号 现代智能手机有效整合了通信和计算功能，是一种复杂的技术创新，可简化针对消费者和商业企业等的许多不同应用。为了向消费者随时提供无误码的高数据速率通信，现代手机需要采用多种频段和配置，从而对高线性度和低信号失真提出了更高的要求。复杂架构要求对射频信号进行路径选择，这正是多刀多掷射频开关越来越普及的关键驱动力。 |
2011-10-31 |
| 针对Wi-Fi无线手机应用的高功率、双频段前端集成电路 ANADIGICS公司的新型高功率、双频段前端集成电路(FEIC)AWL9966，以4×4×0.6mm的小型封装，为高性能的紧凑型Wi-Fi前端提供所需的全部射频放大器和射频开关。高度集成的AWL9966具有集成的蓝牙路径, 融合了ANADIGICS的射频专业技术，提供业内领先的噪声系数、射频增益和线性输出功率。 |
2009-08-25 |
| 支持8.5GHz频率并具有高达82dB隔离度的SPDT RF开关 Peregrine半导体公司最近宣布推出UltraCMOS PE95420单刀双掷射频开关。PE95420能够提供极出的高达8.5GHz的宽带性能和无与伦比的高达82dB的通道隔离度，理想地适用于要求非常严格的高可靠性应用，如电信基础设施、微波无线电、测试仪器和航空航天应用。PE95420是采用UltraCMOS工艺在蓝宝石基底上做出来的全硅集成电路，它可提供卓越的隔离和插入损耗，这使得它适合于这样一些应用，如开关矩阵、天线阵列和任何RF通信系统，这些应用要求在高温、高湿度或辐射环境下提供密封陶瓷封装性能，如井下钻探、汽车、军事无线电通讯和VSAT系统。 |
2008-12-04 |
| Trilithic公司展示宽带固态射频开关 Trilithic公司的射频与微波元件事业部在IMS 2008上发布了一款频率范围在1MHz到4.2GHz之间的固态非反射式射频开关。 |
2008-06-24 |
| 横向集成是应对双模手机射频设计挑战的良方 在射频集成方面，最好将同样频率的PA和其他射频器件放在一个封装内(横向集成)，比如将PA、双工器和RF滤波器集成在一起，而是将不同频率的PA封装在一起(纵向集成)。这样做的好处是可以降低面积和成本。但射频开关的集成方式则不同，射频开关可能会在GSM端与PA集成。比如在GSM端采用PA+7个或者8、9个端口开关模块，而WCDMA端PA的输出则连接到GSM PA+开关的模块上，通过GSM的开关接到天线。 |
2008-06-01 |
| 英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关 英飞凌科技股份公司日宣布，该公司正在批量供应全球第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关，这种射频开关具有与采用砷化镓（GaAs）工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。迄今为止，CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制作才能达到砷化镓开关的性能。 |
2008-03-06 |
| 高亮度LED照明的应用解决方案 艾睿电子提供全面的、高质量的高亮度LED照明应用解决方案，本文将重点介绍MCU、LED驱动器和保护元件在高亮度LED照明中的应用。 |
2007-10-01 |
| 采用PIN二极管解决宽带射频开关问题 利用快速响应时间、长寿命、高线性以及可简单开关级联等特点，体效应二极管和外延生长PIN二极管，均能满足射频开关应用。 |
2007-09-07 |
| 大功率LED照明的主要技术难点是散热，成本考虑需关注使用成本 散热问题和相对较高的成本目前仍是阻碍大功率LED照明应用迅速普及的两大难题，前者需要从电子设计和热设计两个角度出发来解决，后者需要关注使用成本。 |
2007-09-07 |
| Craig Ensley加入Peregrine半导体公司，担任总裁兼首席运营官 业内前沿射频 CMOS 集成电路供应商Peregrine 半导体公司近日宣布，Craig H. Ensley担任总裁和首席运营官，并已被选入董事会。这位经验丰富的业界老将，将集中运营优势，保持业务持续增长。 |
2006-06-29 |
| Peregrine PE42742 75Ω射频开关展现宽带高性能 PE42742宽带用高性能射频开关独有的设计性能，令此器件在断电状态下仍能维持隔离水平。它的阻抗为75Ω，设计标准比严格的FCC(美国通信委员会)第15.115段规定更为严苛，其隔离水平当属业内最高，为88dB@216MHz及78dB@806MHz。 |
2006-06-29 |
| Peregrine 50Ω射频开关应用于DC-6GHz各个频段的超线性设计 Peregrine半导体公司的PE42555采用了Peregrine的创新技术HaRP——增强的UltraCMOS技术，应用于DC至6.0 GHz各个频段，线性度表现卓越，将宽带性能推向更高限度。 |
2006-06-28 |
| Dow-Key Microwave公司推出多用途的40GHz系列射频开关 Dow-Key Microwave公司完整的40GHz系列射频开关包括SP6T多位同轴开关、DPDT(转接)同轴开关和SPDT同轴开关。 |
2006-06-19 |
| Richardson Electronics向全球供应TeraVicta 的射频MEMS开关 Richardson Electronics今日宣布与TeraVicta Technologies建立全球销售合作关系，从事全套基于MEMS 的射频开关产品的分销。 |
2006-04-20 |
| Peregrine手机射频开关适用于双模WCDMA手机设计 Peregrine半导体公司日前展出PE42671 SP7T移动手机开关，这种新产品采用该公司整合了增强的HaRP技术的新一代UltraCMOS工艺，是之前推出的SP6T和SP7T射频产品的补充。 |
2006-02-07 |
| Anadigics面向多媒体无线应用推出WLAN及MIMO前端IC Anadigics日前推出两款用于无线局域网(WLAN)移动以及多入多出(MIMO)应用的前端产品，包括用于802.11b/g的AWL6254和802.11a的AWL6255，拥有较高效率的射频功率，适用于有严格空间限制的设计，包括掌上电脑、移动电话、智能电话、笔记本电脑和USB适配器。 |
2006-01-08 |
| 不断进步的CMOS工艺继续向高速模拟电路领域拓展 根据摩尔定律发展了三十多年的CMOS工艺，至今仍呈现勃勃生机。一方面体现在CMOS工艺正在朝12英寸65纳米的方向发展，其商用工艺特征尺寸已不到0.1微米；另一方面，随着CMOS技术的进步，CMOS技术的应用已从数字电路扩展到模拟/混合信号及射频电路，并在传统以双极、GaAs、SiGe器件为主的高速模拟电路领域占有一席之地。 |
2006-01-01 |
| Anadigic射频开关功率达10W Anadigic的新款射频开关AWS5532额定功率达到10W，可应用于汽车电子通讯、GSM、CDMA以及WLAN移动平台等应用。 |
2006-01-01 |
--- 共搜索到 18 篇文章，共 1页，目前第 1 页 ---
1
到第
页
| 精品设计专栏赏析 |
|
专题论坛
热门讨论
热点设计专栏
博客推荐
