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| 飞思卡尔发布四款单晶微波集成电路组件，涉足GaAs市场 飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)宣布推出四款单晶微波集成电路(MMIC)组件──MML09211H、MMA20312B、MMG15241H和MMG20271H，正式涉足砷化镓(GaAs)市场。这些组件可运用在无线网络的巨型基地台、中继器和超威型基地台。 |
2010-05-19 |
| 砷化镓09年市场缩减5%，预计2010年有望回温 砷化镓(GaAs)半导体市场营收预计在2009年达到35亿美元规模，较08年缩减5%。市场研究机构Strategy Analytics表示，该市场表现未如预期的原因，主要是全球经济衰退所致；而09年砷化镓市场表现与07年状况大致相同。 |
2009-09-16 |
| 光纤模拟芯片市场机会来临，市场规模将增长至4.92亿美元 Strategy Analytics发布最新研究报告“光纤模拟芯片市场机会：2008-2013”。化合物半导体正在越来越多地被应用在更高价值、更高成长性的细分产品市场上。在不断增长的光纤模拟芯片市场，硅 (Silicon)，硅化锗 (SiGe)，砷化镓 (GaAs)和磷化铟 (InP)技术各有所长，将争夺化合物半导体市场份额。报告提供对光纤模拟芯片，包括跨阻抗放大器 (TIAs - transimpedance amplifiers)，激光驱动器 (laser drivers) 和后置/限幅放大器 (post/limiting amplifiers) 的增长预测。 |
2009-08-13 |
| 收获于3G市场，TriQuint的冬天很温暖 相比于其它一些欧美半导体厂商裁员过冬，TriQuint可以说是取得了非常不错的成绩。值得一提的是，TriQuint还是一家射频器件领域最大的砷化镓晶园代工厂，相比于Fabless公司，对于冬天应该更加敏感。然而，林伟仪表示：“我们的财务状况非常好，没有任何银行欠账。” |
2009-03-05 |
| 半导体技术的进步推动高功率放大器发展(二) 固态功率放大器设计师可选择新兴的一系列晶体管技术，用于下一代商业和军事平台。随着网络运营商从2G过渡到3G/4G系统，能完全适合2G系统放大器的技术对下一代平台已经不够了。为确保基于砷化镓(GaAs)的RF功率晶体管能用于3G/4G基础设施应用的高功率放大器设计，TriQuint半导体公司开发出高电压异质结晶体管(HV-HBT)。 |
2009-01-06 |
| 半导体技术的进步推动高功率放大器发展(一) 固态功率放大器设计师可选择新兴的一系列晶体管技术，用于下一代商业和军事平台。随着网络运营商从2G过渡到3G/4G系统，能完全适合2G系统放大器的技术对下一代平台已经不够了。为确保基于砷化镓(GaAs)的RF功率晶体管能用于3G/4G基础设施应用的高功率放大器设计，TriQuint半导体公司开发出高电压异质结晶体管(HV-HBT)。 |
2008-12-31 |
| Hittite新系列GaAs MMIC混频器频率覆盖范围达19～90GHz Hittite微波公司宣布推出一个新系列片式砷化镓（GaAs）MMIC基础混频器、I/Q混频器、次谐波IRM混频器，频率覆盖宽达19～90 GHz。这些Velocium GaAs MMIC混频器产品是很多应用的理想选择，应用包括微波射频、军事和空间、宽带通信系统、甚小口径卫星通信终端（VSAT）、卫星通信（SATCOM）、汽车雷达和测试仪表。 |
2008-06-24 |
| Hittite覆盖1.8~3.9GHz的紧凑式上/下变换器RFIC Hittite微波公司是通信及军用市场的基于全MMIC方案的一流提供商，公司推出了一款新型砷化镓(GaAs)MMIC混频器RFIC，该器件可理想地用于几乎所有无线基础设施应用中的上变换与下变换(包括1.8~3.9GHz手机/3G和WiMAX/LTE/4G系统)。 |
2008-05-27 |
| 单片分布微波放大器的设计 理解砷化镓微波单片集成电路GaAs MMIC分布式放大器的设计，对很多宽带电路的应用都会有很大的帮助。和GaAs MSFET工艺相比，使用新型PHEMT器件制造的宽带放大器性能有很大的提升。 |
2008-04-24 |
| 用数字隔离技术取代隔离放大器的应用实例 理解砷化镓微波单片集成电路GaAs MMIC分布式放大器的设计，对很多宽带电路的应用都会有很大的帮助。和GaAs MSFET工艺相比，使用新型PHEMT器件制造的宽带放大器性能有很大的提升。 |
2008-04-24 |
| TriQuint新增用于无线基站的35个LDMOS RF功率管 TRIQUINT半导体在中国IIC展会期间发布LDMOS RF功率管产品组合.这些丰富的器件产品为制造商的功率放大器设计提供高性能、具成本竞争力的解决方案。这次发布的新产品对TriQuint公司已在中国销售的砷化镓(GaAs)晶体管、放大器和开关以及声表面波与体声波(SAW/BAW)滤波器产品形成了很好的补充。 |
2008-04-02 |
| 英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关 英飞凌科技股份公司日宣布，该公司正在批量供应全球第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关，这种射频开关具有与采用砷化镓（GaAs）工艺制成的射频开关相同的性能??这是一项前所未有的技术突破。迄今为止，CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制作才能达到砷化镓开关的性能。 |
2008-03-06 |
| 砷化镓将成为3G时代主流的功放制造工艺 WCDMA、CDMA2000、EDGE等较新的移动通信标准都对功放提出了省电要求，砷化镓工艺因其省电、功率效率高的特性恰好可以满足这些标准的需要，在3G时代，它已经成为手机功放制造的首选工艺。 |
2008-03-01 |
| ANADIGICS砷化镓晶圆厂落户昆山，08年将运营 ANADIGICS近日在昆山高新技术产业园区(KSND)举行了最新的一流六英寸砷化(GaAs)集成电路晶圆制造厂奠基动工仪式。 |
2007-07-13 |
| NXP用于卫星LNB的基于硅芯片的全集成解决方案 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出业界首款用于Ku频段数字视频广播卫星低噪声模块(Low Noice Block, LNB)的全集成下变频器。这一高集成度IC，采用该公司的SiGe(硅锗)BiCMOS工艺QUBiC4G技术进行制造，是首个用于数字视频广播卫星(DVB-S)接收器的硅芯片解决方案。DVB-S接收器被商业卫星电视运营商和电视网络用来进行远程播送。与当前GaAs(砷化镓)元件和介质稳频振荡器(DRO)的分立式解决方案相比，这款经过RF全面测试的IC??TFF1004HN??具很高性价比。此外，恩智浦TFF1004HN芯片还能为用户提供更高的稳定性和可靠性。 |
2007-06-26 |
| 安森美推出HighQ硅-铜集成无源器件制造工艺 安森美半导体日前宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。 |
2007-06-14 |
| 高功率晶体管迎来GaN技术(下) 与硅LDMOS和砷化镓(GaAs)等较传统的技术相比，GaN晶体管可以提供较好的线性功率和效率，以及较高的带宽。虽然GaN已经成为目前许多应用中的热门技术，但它不会取代某些传统技术。相反，它会给放大器制造商带来更宽的晶体管选择范围，制造商可以根据这些不同晶体管来满足各种应用的不同需求。 |
2007-03-28 |
| 高功率晶体管迎来GaN技术(上) 与硅LDMOS和砷化镓(GaAs)等较传统的技术相比，GaN晶体管可以提供较好的线性功率和效率，以及较高的带宽。虽然GaN已经成为目前许多应用中的热门技术，但它不会取代某些传统技术。相反，它会给放大器制造商带来更宽的晶体管选择范围，制造商可以根据这些不同晶体管来满足各种应用的不同需求。 |
2007-03-28 |
| GaN大功率晶体管满足WiMAX、最新无线基站等未来应用需求(下) 与硅LDMOS和砷化镓(GaAs)等较传统的技术相比，GaN晶体管可以提供较好的线性功率和效率，以及较高的带宽。众多晶体管开发都将满足不断发展的WiMAX产品、最新基站和其它未来技术的需求。 |
2006-11-17 |
| GaN大功率晶体管满足WiMAX、最新无线基站等未来应用需求(上) 与硅LDMOS和砷化镓(GaAs)等较传统的技术相比，GaN晶体管可以提供较好的线性功率和效率，以及较高的带宽。众多晶体管开发都将满足不断发展的WiMAX产品、最新基站和其它未来技术的需求。 |
2006-11-16 |
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