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| 2008-03-06 | 英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关 |
| 英飞凌科技股份公司日宣布，该公司正在批量供应全球第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关，这种射频开关具有与采用砷化镓（GaAs）工艺制成的射频开关相同的性能??这是一项前所未有的技术突破。迄今为止，CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制作才能达到砷化镓开关的性能。 | |
| 2008-03-01 | 砷化镓将成为3G时代主流的功放制造工艺 |
| WCDMA、CDMA2000、EDGE等较新的移动通信标准都对功放提出了省电要求，砷化镓工艺因其省电、功率效率高的特性恰好可以满足这些标准的需要，在3G时代，它已经成为手机功放制造的首选工艺。 | |
| 2007-07-13 | ANADIGICS砷化镓晶圆厂落户昆山，08年将运营 |
| ANADIGICS近日在昆山高新技术产业园区(KSND)举行了最新的一流六英寸砷化(GaAs)集成电路晶圆制造厂奠基动工仪式。 | |
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