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| 高功率晶体管迎来GaN技术(上) 与硅LDMOS和砷化镓(GaAs)等较传统的技术相比，GaN晶体管可以提供较好的线性功率和效率，以及较高的带宽。虽然GaN已经成为目前许多应用中的热门技术，但它不会取代某些传统技术。相反，它会给放大器制造商带来更宽的晶体管选择范围，制造商可以根据这些不同晶体管来满足各种应用的不同需求。 |
2007-03-28 |
| GaN大功率晶体管满足WiMAX、最新无线基站等未来应用需求(下) 与硅LDMOS和砷化镓(GaAs)等较传统的技术相比，GaN晶体管可以提供较好的线性功率和效率，以及较高的带宽。众多晶体管开发都将满足不断发展的WiMAX产品、最新基站和其它未来技术的需求。 |
2006-11-17 |
| GaN大功率晶体管满足WiMAX、最新无线基站等未来应用需求(上) 与硅LDMOS和砷化镓(GaAs)等较传统的技术相比，GaN晶体管可以提供较好的线性功率和效率，以及较高的带宽。众多晶体管开发都将满足不断发展的WiMAX产品、最新基站和其它未来技术的需求。 |
2006-11-16 |
| 利用MESFET工艺生产Ka波段单片集成电路功率放大器(一) 利用先进的砷化镓工艺，通过采用功率，增益，和效率平衡的设计策略，已经开发出来了高性能的Ka波段功率放大器。 |
2006-03-09 |
| 手机用集成式射频前端模块发展趋势 在通信终端中，到目前为止一直有两个射频元器件没有被集成，即滤波器和射频功放。这两种器件采用的构建技术都不兼容芯片上CMOS集成。在传统上，滤波器一直采用陶瓷或声表面波(SAW)技术构建，而射频功放则一直使用砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与射频芯片使用的硅或硅锗工艺有着很大区别，因此功放和滤波器一直作为分立器件，与现在执行手机大部分射频功能的大规模集成芯片组分开。 |
2006-01-01 |
| 适合射频应用的磁簧继电器具有无失真特性 虽然基于砷化镓的开关被用于处理高速信号已有多年，但目前开关频率高达10GHz的快速信号有了另外一种选择。表面贴磁簧继电器能在超过7GHz的高频电子线路中提供无失真性能，非常适合用于模拟和数字信号处理。 |
2006-01-16 |
| 构建一款E-pHEMT低噪声放大器 虽然E-pHEMT器件经常与功率放大器联系在一起，但它的许多突出特性使其也非常适合用于设计频率覆盖范围很广的高频低噪声放大器(LNA)的设计。 |
2006-01-10 |
| 第一款应用于GSM手机的单片式CMOS功率放大器 GSM手机功率放大器(PA)往往是采用成本较高的砷化镓或者硅锗异质结双极型晶体管所制造的分立元件。然而硅实验室(Silicon Laboratories)为GSM手机研制了Si4300突破性功率放大器，克服了原有产品技术旧、体积大、成本高的缺点。 |
2006-01-01 |
| 蓝宝石硅CMOS RF ICs改变了无线系统的设计 一些半导体供应商已利用绝缘体上的硅(SOI)技术获得了成功，但性能还不及蓝宝石上的硅技术。Peregrine Semiconductor公司的UltraCMOS工艺解决了这个问题。它制作出的CMOS RF电路在性能上已相当于或超出了砷化镓(GaAs)、硅锗(SiGe)和其他更多外延器件的性能，而且成本更低。 |
2006-02-14 |
| 镀金时代，中国半导体产业应拒绝浮躁 近日，两则有关中国半导体产业的新闻特别惹眼。一是《上海日报》等媒体报道华虹NEC将投资20亿美元在上海建设300mm晶圆厂；二是一家名为中联国际(天津)电子有限公司在天津开发区举行了奠基仪式，计划在未来的五年建设8英寸(200mm)、12英寸(300mm)芯片生产厂，砷化镓集成电路生产厂及相关产品的技术研发中心，总投资额将超过25亿美元。本文探讨了中国半导体产业的发展现状与趋势。 |
2006-01-01 |
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话题PK：NFC能否成为手机标准配置？New!
蓝牙标配了，Wi-Fi标配了，NFC（近距离无线通讯技术）却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC，此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内，NFC芯片能否成为手机标准配置呢？
正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及，NFC即将成为手机标配。
支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。 支持反方
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