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2009-06-29
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专为卫星应用设计首款背面照明、数字输出的CMOS图像感应器
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赛普拉斯日前宣布，其为 NEC TOSHIBA Space Systems, Ltd. 的卫星超光谱图像应用设计出了一款定制的背面照明式 CMOS 图像感应器。背面照明 (BSI) 技术提高了每个像素可捕获到的光量和光谱范围，借此可获得超高灵敏度的图像。这款定制感应器在业界率先将耐辐射的 BSI 架构与高速数字输出接口集成在了一起，能对捕获电磁波谱信息的太空超光谱图像进行详细分析。赛普拉斯和 NEC TOSHIBA Space Systems 共同期待着这一设计能在 2010 年中期应用于太空级 (space-qualified) 的飞行模型中。飞行测试合格后，该感应器还将用于其他太空和军事应用中。
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2009-06-03
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CMOS传感器的汽车视频应用
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随着电子元件的质量和可靠性不断提高，与安全相关的成像应用正成为当今车辆中的主流，如车道偏离侦测和报警系统、盲区侦测/显示设备、后视设备、360/全景视图摄像头和夜视仪等。
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2009-06-02
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精工电子有限公司推出CMOS电压稳压器S-1137系列
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S-1137系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、备有软启动功能、输出电流为300 mA的正电压型电压稳压器。 可使用1.0μF的小型陶瓷电容器，也可以在低消耗电流(消耗电流为45μA典型值)的条件下工作。
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2009-05-22
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输出电流为300mA的CMOS电压稳压器
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精工电子有限公司S-1137系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、备有软启动功能、输出电流为300 mA的正电压型电压稳压器。可使用1.0 μF的小型陶瓷电容器，也可以在低消耗电流(消耗电流为45 μA典型值)的条件下工作。
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2009-04-08
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英联电子推出适用于多SIM卡系统的双通道单刀双掷CMOS模拟开关
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英联电子推出低电源电流双通路单刀双掷CMOS模拟开关UM3258, 适用于多SIM卡系统，I2C以及SPI总线高速切换等应用。UM3258采用亚微米CMOS工艺生产，在DFN12的封装里面集成了2路单刀双掷开关电路.
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2009-03-16
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专注CMOS RF IC设计，笙科电子亮相IIC-China上海站
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来自台湾地区的笙科电子(AMIC Communications)参加了本届IIC-China上海站的展会，笙科电子是一家专注于CMOS RF IC设计公司。
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2009-03-10
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设有旁通电路的低噪声放大器与CMOS RF-IC组合降低手机价格
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新日本无线设有旁通电路低噪声放大器GaAs MMIC NJG1135MD7与CMOS RF-IC组合，为手机低价格化做出了贡献.该放大器现开始发放样品。
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2009-02-06
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微小输入信号也能准确放大的双电路CMOS运算放大器
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新日本无线双电路低噪声CMOS单电源运算放大器NJU7029，实现了低噪声、增益宽带、低电压工作，最适用于加速度震荡传感器。现开始发放样品。该产品最适用于加速度传感器，震荡传感器和光传感器的信号处理。
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2009-01-13
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黑白CMOS图像传感器OV9120的原理及应用
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黑白CMOS图像传感器OV9120，它采用独特的传感器专利工艺技术和先进的算法(algorithms)解决了先前CMOS感光器件固定图像噪声(FPN)的限制。因而可广泛应用于数字静止摄像、视频会议、视频电话、计算机视觉、生物测量等领域。
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2009-01-08
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2G/3G单芯片CMOS双模射频收发器
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QS3000是上海展讯通信有限公司开发出的2G/3G单芯片CMOS双模射频收发器，它不仅支持四个频段的EDGE，还支持三个频段的WCDMA。QS3000系列集成所有LNA , 无须外挂TX SAW滤波器。
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2009-01-05
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富士通推出适用于功率放大器的CMOS逻辑高压晶体管
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富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑(1)制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世界上第一代基于45纳米工艺的CMOS晶体管，能够处理10 V功率输出，这使得晶体管能够处理用于WiMAX(2)和其它高频应用的功率放大器的高输出要求。这一新技术能够将功能放大器和CMOS逻辑控制电路在同一块芯片上集成，可实现单芯片的工作模式，从而使生产出高性能和低功耗的功能放大器成为可行。
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2009-01-04
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特瑞仕开发出采用CMOS工艺的双路LDO电压调整器芯片
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特瑞仕半导体株式会社在日本东京开发了XC6?16系列是高精度、低噪音、高纹波抑制比、低压差，采用CMOS工艺的双路LDO电压调整器芯片。
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2008-12-03
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覆盖48MHz到1GHz频带的低功耗CMOS宽带调谐器
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飞思卡尔公司的MC44S803是一个3.3伏、低功耗、高性能的单芯片CMOS宽带调谐器。该芯片为高性能的模拟和数字电视市场提供了一个具有成本效益的低功耗解决方案。这一高度集成的第三代硅调谐器可接收从48 MHz到1 GHz的射频输入频率，并能将它转换成30 MHz到60 MHz的IF频率。
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2008-10-27
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意法推出汽车视觉化驾驶辅助系统CMOS传感器
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意法半导体(ST)推出一款高动态范围的CMOS传感器，新产品专门为基于视觉技术的汽车驾驶辅助市场设计，融合了意法半导体汽车电子技术和CMOS前沿影像技术。全新VL5510传感器把信号传送给负责决策的视频处理器，再由视频处理器激活其它的汽车应用系统，如智能制动系统和车道偏离报警系统。
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2008-10-01
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低电源电流双通道单刀双掷CMOS模拟开关
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UM3257采用亚微米CMOS工艺生产，在DFN12的封装里面集成了2路单刀双掷开关电路，DFN12封装的外形尺寸为3×1.6×0.5mm，占用PCB板面积4.8mm2，器件高度仅为0.5mm，特别适合于对器件高度有要求的超薄电子设备的要求。
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2008-09-04
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英联电子推出低电源电流双通道单刀双掷CMOS模拟开关UM3257
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英联电子推出低电源电流双通路单刀双掷CMOS模拟开关UM3257, 适用于多SIM卡系统，I2C以及SPI总线高速切换等应用。
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2008-08-26
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完全集成式CMOS发射器的设计注意事项
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尽管CMOS工艺本身无法与GaAs、HBT、SiGe或BiCMOS等工艺相媲美，但是CMOS Tx可以与一个功能强大的DSP集成在一起。这样，通过使用DSP就可以弥补CMOS工艺的很多不足之处。例如，在集成DSP的PA上采用预校正技术能够大大改善非线性问题。对于与效率相关的问题，采用一些诸如极性环路（polar loop）、Doherty、动态偏压、基于非线性原件（LINC）的线性放大等技术能够提高系统的性能。高度集成的Tx中包含的主要模块有PA、调制器（MOD）、功率检测器（PD）、自动增益控制电路（AGC）和压控振荡器（VCO）等。本文将介绍其中每种模块的典型实现方法。
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2008-08-26
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安华高科技首次在40nm CMOS工艺上取得20Gbps SerDes性能表现
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Avago Technologies(安华高科技)近日宣布，已经在40nm CMOS工艺技术上取得20Gbps的SerDes性能表现。延续嵌入式SerDes应用长久以来的领导地位，Avago的40nm内核为公司第七代高性能SerDes IP，而SerDes的出货总通道数也已经超过了六千万。
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2008-06-04
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ST通过CMP为中国高等院校提供先进的CMOS制造工艺
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意法半导体和IC中介服务公司CMP(Circuits Multi Projects)日前宣布两家公司开始为中国高等院校的学术研究项目提供意法半导体最先进的CMOS制造技术。
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2008-06-03
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经纬科技多款手机采用Axiom CMOS PA
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Axiom Microdevices有限公司近日宣布：中国的领先的手机设计制造商经纬科技（Ginwave Technologies）有限公司，广泛使用AX502 四频GPRS互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)到其多款手机中。
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