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关键字 EEPROM 搜索结果     - 共搜索到 77 个结果 电子系统设计首页 / 搜索结果

什么是eeprom?

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)就是电可擦可编程只读存储器,一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。一般用在即插即用(Plug & Play)接口卡中,用来存放硬件设置数据;防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面也能找到它。

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ST推出工业标准存储器的监控保护器件
意法半导体推出STTS2002模组串行存在检测(SPD)EEPROM与温度监测二合一芯片。这款保护器件符合最新的JEDEC TSE2002标准中有关从超移动设备到高性能服务器等各种计算机产品所用DDR3 DRAM模组的要求。
2010-04-08
上海集成电路行业协会组团参展尽显风流
在2010 IIC-China春季展上海站,上海集成电路行业协会组织了多家IC公司(包括展讯、英联电子、南麟电子、格科微电子、韦尔半导体、上海得倍电子、爱晟特微电子和聚辰半导体)集体亮相,展示了丰富多彩的创新产品和应用方案,涉及3G手机基带、LED驱动、电表通信接口、CMOS图像传感、电源管理、电路保护、EEPROM、智能卡MCU以及高端IC设计服务。
2010-03-18
重拳出击组合方案,聚辰半导体剑指通用MCU应用
我们的第一步是把MCU和EEPROM搭配起来,随着电源管理产品的推出,我们未来还将提供MCU+EEPROM+电源管理的配套方案,为客户提供高性能价比的配套产品和优质的本地服务。我相信,当整体性能相当后,价格会是家电厂商的一个重要考虑因素。
2010-03-18
基于中芯国际0.162微米EEPROM工艺产品量产
作为国内领先的智能卡芯片解决方案供应商,上海华虹集成电路有限责任公司(以下简称华虹设计)近日宣布,公司基于中芯国际0.162微米嵌入式EEPROM(电可擦除只读存储器)工艺平台设计的高端非接触式智能卡芯片成功进入量产。
2010-02-03
华虹NEC推出0.13微米嵌入式EEPROM解决方案
上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布,公司基于0.13微米嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM(电可擦可编程只读存储器)解决方案,充分展现了华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器(eNVM)技术上的领先地位和创新优势。
2010-01-13
可在高达150°C环境温度下工作的半导体产品组合
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出可在高达150°C环境温度下工作的业界最广泛的半导体产品组合,包括8位和16位PIC单片机(MCU)、dsPIC数字信号控制器(DSC)、串行EEPROM器件和模拟产品。这些器件经测试符合AEC-Q100 0级要求,最适用于汽车引擎罩下的各类应用、极端环境的工业应用??如井下石油钻探和照明,以及医疗应用??如需在高压灭菌器中消毒的设备。工程师现在可以直接将智能添加到高温应用中,因为可直接将芯片安装在高温组件中,从而实现此前不可能实现的新的电子应用。欲了解详情,请浏览Microchip新的在线高温设计中心(http://www.microchip.com/get/401065739467593)。
2009-12-07
为数据记录应用选择合适NVM
对数据记录应用来说,FeRAM、MRAM和PCM是非常有吸引力的技术。其中以整合了EEPROM的优点、NOR的性能以及极佳的容量扩展方法的PCM技术尤为引人注目。
2009-09-15
爱特梅尔瞄准单电池应用推出全新0.7V tinyAVR微控制器系列
爱特梅尔公司 (Atmel Corporation) 现已推出全新的tinyAVR微控制器系列,瞄准使用单电池如AA、AAA或纽扣电池 (coin cell) 运作的应用。该系列的首个成员是ATtiny43U器件,非常适合便携式电池供电的消费电子应用如手机附件、远程控制装置、体育用品和个人护理用品。ATtiny43U具有4K字节闪存和6?字节系统内可编程EEPROM
2009-04-10
Ramtron高速F-RAM家族新添两“子”,显著超越EEPROM
Ramtron发布高功效512Kb和1Mb V系列串口F-RAM存储器,512Kb FM24V05和1Mb FM24V10。这两款器件的特点包括快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗,是工业控制、仪表、医疗、军事、游戏、计算机及其它应用领域的512Kb和1Mb串口闪存和串口EEPROM存储器的普适型(drop-in)替代产品。
2009-04-08
Ramtron推出256千位串口数据十年“再见”的F-RAM存储器
FM24L256是容量为256千位的非易失性存储器,采用Ramtron先进的铁电存储 (ferroelectric) 工艺。F-RAM存储器的读写操作与RAM相似,并提供长达10年的可靠数据保存,而同时免除了源自EEPROM和其它非易失性存储器的复杂性、系统开销和系统可靠性的问题。
2009-03-04
利用安全处理器和算法实现金融支付和加密应用
Maxim推出了支持安全散列算法SHA-1算法的最新SHA-1器件。以DS28E01-100为例,该器件具备1024位EEPROM存储器(分为4页,每页256位)。其中,0、3页或全部页面可由用户设置为写保护,页1可被置于OTP EPROM仿真模式中。
2009-02-01
安森美推出针对DDR3存储器模块应用的温度传感器
安森美半导体(ON Semiconductor)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品??CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),用于高速个人电脑(PC)和膝上型电脑、显卡、服务器、电信设备和基站、环境控制系统及工业处理控制设备中的第三代双倍数据率(DDR3)应用。
2008-12-09
ADI多输出时钟发生器AD9520/2简化系统设计并减少时钟器件数量
Analog Devices, Inc.(ADI)最新推出一对时钟发生与分配IC??AD9520与AD9522,实现了业界最佳的器件集成度、低噪声、低抖动性能与信号输出灵活性的完美组合。 AD9520与AD9522多输出时钟发生器内置一个512 Byte的嵌入式EEPROM存储器模块,为系统工程师提供了可用作时钟源和系统时钟的双重可编程时钟解决方案。
2008-10-13
面向汽车应用的高性能SPI串行EEPROM
精工电子的S-25A SPI串行EEPROM系列是业界第一款重写次数达50万次/125°C环境温度、数据可保持50年的产品。
2008-10-01
安捷伦全新热偶功率传感器提供最宽动态范围的平均功率测量
Agilent N8480系列带有用于保存校准因素的内置EEPROM。因此可以自动上载校准系数,减少人工输入错误和提高工作效率。可选的校准系数表(选件CFT)可以手动输入校准系数,这与Agilent 8480传感器系列的性能完全一致。选件CFT还提供与8480系列兼容的SCPI代码。
2008-09-04
HOLTEK再添HT46F46E、HT46F48E、HT46F49E工业级A/D型快闪微控制器
HOLTEK半导体继HT46F47E之后,再增添A/D型Flash MCU - HT46F46E、HT46F48E、HT46F49E,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(Flash Program ROM)可重复10万次之读/写,数据存储器EEPROM可重复100万次之读/写。
2008-07-10
HOLTEK再添三款工业级A/D型快闪微控制器
HOLTEK半导体继HT46F47E之后,再增添A/D型Flash - HT46F46E、HT46F48E、HT46F49E,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(Flash Program ROM)可重复10万次之读/写,数据存储器EEPROM可重复100万次之读/写。
2008-06-12
FRAM是需要频繁写入应用的理想非易失性存储器选择
铁电存储器(FRAM)是1984年创立的Ramtron公司发明的一种新型非易失性存储器产品,它最吸引用户眼球的性能特点是几乎无限的写入次数(1百万亿次),远远超过了EEPROM的1百万次,因此与SRAM、非易失性SRAM模块、MRAM和NVSRAM一起成为需要频繁写入操作的嵌入式应用的非易失性存储器选择之一。
2008-06-01
Microchip推出单I/O总线串行EEPROM系列
Microchip(美国微芯科技)日前宣布推出最新的总共10款具备单I/O总线接口的串行EEPROM器件系列。新器件支持Microchip待批专利的UNI/O存储器件协议。
2008-05-15
飞思卡尔为工业和汽车设计师打造新型8位MCU
为了满足工业和汽车市场的这一需求,飞思卡尔近日为其S08D系列增加了强大的新成员,该新成员具有卓越的8位性能和片上功能,高度集成的S08 MCU提供嵌入式CAN、EEPROM和片上仿真/调试开发工具。
2008-05-15
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