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FET是什么意思？
FET(field effect transistor) 场效应晶体管，简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
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| Dialog携手台积开发电源管理芯片应用的BCD技术 BCD技术能够有效整合先进逻辑、模拟、高电压以及场效型晶体管（FET type transistor），而Dialog公司将应用此技术生产电源管理整合度更高、尺寸更小的单一芯片，以符合智能型手机、平板计算机、超薄笔记本电脑等行动产品的需求；同时，0.13微米BCD技术可透过降低导通电阻Rds（on）大幅提升电源管理芯片的效能，提供客户更具节能优势的集成电路设计。 |
2012-04-05 |
| 用eGaN FET砖式转换器改进电源 本文对基于eGaN FET的全稳压1/8砖式转换器原型和基于MOSFET的同类转换器进行了比较。eGaN FET不仅比MOSFET的效率更高，而且在高出33%的开关频率下，输出功率提高了15%。 |
2011-12-31 |
| Intersil推出最新10A集成式FET同步降压稳压器 Intersil公司日前宣布，今天推出具有优异效率和功率密度的最新10A集成式FET同步降压稳压器---ISL95210。 |
2011-12-14 |
| 用射频开关优化智能手机信号 现代智能手机有效整合了通信和计算功能，是一种复杂的技术创新，可简化针对消费者和商业企业等的许多不同应用。为了向消费者随时提供无误码的高数据速率通信，现代手机需要采用多种频段和配置，从而对高线性度和低信号失真提出了更高的要求。复杂架构要求对射频信号进行路径选择，这正是多刀多掷射频开关越来越普及的关键驱动力。 |
2011-10-31 |
| 内含氮化镓场效应晶体管的降压电源转换演示板 EPC9101是一款全功能的降压电源转换器演示电路，实现8V-19V输入、1.2V电压、18A最大电流输出及1MHz降压转换器，使用的器件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET，并配合德州仪器公司最近推出的国半100V半桥栅极驱动器（LM5113）。LM5113是业界首款专为增强型氮化镓场效应晶体管而设计的驱动器。 |
2011-10-27 |
| eGaN FET与硅功率器件比拼之三：以太网供电 在以太网供电(PoE)应用中，eGaN FET是标准MOSFET解决方案以外的一个高效率的可行选择方案。这些FET支持更高的工作频率，可以利用它们来缩小转换器的尺寸和降低成本。我们构建了内含eGaN FET的13W和26W以太网供电转换器，并与标准MOSFET设计相比并作出评估。在各种情况下，eGaN FET转换器都展现出更高的效率，并比MOSFET同类器件更具降低系统成本的潜能。 |
2011-10-10 |
| 宜普电源转换公司推出EPC9005开发板 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。 |
2011-09-26 |
| 同步降压MOSFET电阻比的给力选择 首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必须减小，而其电阻增加。其次，高侧和低侧 FET 导电时间的百分比与 V（OUT）/V（IN） 的转换比相关，其首先等于高侧占空比 (D)。高侧 FET 导通 D 百分比时间，而剩余 (1-D) 百分比时间由低侧 FET 导通。 |
2011-09-21 |
| eGaN FET与硅功率产品比拼之二：驱动器和布局 本文讨论了栅极驱动要求、布局和热设计需要考虑的各种因素，这些因素对于想要开发能够充分发挥eGaN FET优势的产品的设计师来说都很重要。 |
2011-09-06 |
| 基于200V EPC2012的高频开关型电源转换系统 EPC9004开发板可帮助设计工程师快速开发基于200V EPC2012的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持资料。 |
2011-08-19 |
| EPC推出第二代200V及100mΩ功率晶体管 EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在较低栅极电压时，其性能得以全面增强，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。 |
2011-08-19 |
| 计算机电源“白金”化 一种普遍使用的驱动同步整流器的方法是利用已经存在的信号驱动主 FET。这样做存在的唯一问题是要求主 FET 时滞，以实现零电压开关。这会导致两个同步整流器在快速续流期间同时关闭，从而允许过多的体二极管导电，最终降低系统效率。本文的目的是建议使用不同的时序，驱动这些同步整流器，从而减少体二极管导电并最终提高整体系统效率。 |
2011-07-01 |
| 高度集成半桥栅极驱动器提高应用效率 美国国家半导体推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱动器，与使用分立驱动器的设计相比，其可减少75％的组件数量，并还能缩小多达85％的印刷电路板（PCB）面积。 |
2011-06-27 |
| 利用eGaN晶体管更快开发电源转换电路及系统 随着宜普EPC9003开发板的推出，用户可以更加容易在许多应用中开始利用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)进行设计，例如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电和同步整流等应用。 |
2011-06-16 |
| 宜普推出第二代200V增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管 EPC2010 FET是一款200VDS器件，最大RDS(ON)值为25mΩ，栅极施加电压是5V。这种eGaN FET与第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明显的性能优势。EPC2010将脉冲电流额定值提高到60A(而EPC1010为40A)，并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值，电容值也更低。 |
2011-06-16 |
| 以业界最小的封装实现最高的功率密度与效率的降压转换器 日前，德州仪器 (TI) 日前宣布推出集成FET 的业界最小型、最高效率的降压转换器，可为电信、网络以及其它应用提供高达 25 A 的电流。 |
2011-04-19 |
| 业界领先的两款无铅且符合RoHS要求的eGaNTM FET EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅极电压为5V。EPC2015是一种40 VDS器件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比，这两种eGaN FET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻，体积比相同电阻的硅器件更小，并且具有卓越许多倍的开关性能。 |
2011-03-18 |
| Intersil最大限度延长电池寿命，双同步降压稳压器效率高达95% Intersil公司宣布，对其广受欢迎的双通道集成式FET降压稳压器产品家族进行扩展，推出三个系列可提供最高95%功率转换效率并向设计人员提供更大灵活性的新产品：ISL8022、ISL8033/A 和 ISL8036/A。 |
2011-01-17 |
| TI最高效率、小型6A降压SWIFTDC/DC转换器 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有业界最小外形、最高效率的最新 6 A 转换器，进一步丰富了其深受欢迎的 SWIFT 系列电源管理集成电路。最新 TPS54618 单片同步开关具有两个集成型 12 毫欧 FET，可为用于 DSP 及 FPGA 通信、测试以及医疗设备的 2.95 V 至 6 V 负载点设计方案实现 95% 的高效率以及低工作电流。 |
2011-01-07 |
| 高效率反向控制器与FET驱动器简化电源设计 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向标准及逻辑层 N 通道 MOSFET 推出一款可用于低电压二次侧同步整流的最新电源管理控制器与驱动器。该 UCC24610 Green Rectifier? 控制器不但可将电源效率提升达 5%，同时还可降低 5 伏 AC/DC 适配器与偏置电源的一次侧功率损耗。 |
2011-01-04 |
| 精品设计专栏赏析 |
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话题PK：NFC能否成为手机标准配置？New!
蓝牙标配了，Wi-Fi标配了，NFC（近距离无线通讯技术）却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC，此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内，NFC芯片能否成为手机标准配置呢？
正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及，NFC即将成为手机标配。
支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。 支持反方
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