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| TI技术研讨会荟萃众多热点技术与应用 德州仪器(TI)2011技术研讨会提供了多场解决方案，包括面向采用无线电源联盟标准的整体充电解决方案、世界上体积最小的无源IR温度传感器、业界首款超低功耗FRAM微控制器、业界最完整小型蜂窝基站解决方案等诸多产品和解决方案等，覆盖消费电子、工业和通讯等应用，近40个产品和应用的展示则为与会工程师提供了最新的技术与创新体验。 |
2011-09-29 |
| 超低功耗FRAM微控制器为海量智能型应用打开大门 与基于闪存和EEPROM的微控制器相比，该FRAM MCU系列可确保100倍以上的数据写入速度和250倍的功耗降幅。此外，这种片上FRAM还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度(允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。 |
2011-06-03 |
| FRAM为RFID LSI带来更多价值 铁电随机存储器(FRAM)RFID由于存储容量大、擦写速度快，一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。 |
2010-07-02 |
| 汽车娱乐信息系统的动态数据完整性设计 许多汽车信息系统设计人员面临的一个共同问题是突发性的功率损耗。这通常发生在系统重新启动后的任何时候。功率损耗可导致数据损坏，从而扰乱正常的系统操作。因此，在设计上必须保持数据的完整性。那么如何利用FRAM非易失性存储器来保持数据的完整性呢？ |
2009-03-02 |
| FRAM是需要频繁写入应用的理想非易失性存储器选择 铁电存储器(FRAM)是1984年创立的Ramtron公司发明的一种新型非易失性存储器产品，它最吸引用户眼球的性能特点是几乎无限的写入次数(1百万亿次)，远远超过了EEPROM的1百万次，因此与SRAM、非易失性SRAM模块、MRAM和NVSRAM一起成为需要频繁写入操作的嵌入式应用的非易失性存储器选择之一。 |
2008-06-01 |
| Ramtron6?千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品，FM24CL6? 6?千位 (Kb) 串行F-RAM已通过认证，可在 -40至 +85℃ 的Grade 3汽车温度范围内使用。 |
2008-05-26 |
| FRAM使安全气囊系统更加智能化 Ramtron的FRAM工艺将铁电材料和标准半导体芯片设计及制作工艺结合在一起，生产非易失性存储和模拟/混合信号产品。这些产品将高速读/写性能、几乎无限的写耐久性和静态RAM(SRAM)的低功耗，以及在电源丢失情况下标准RAM工艺所无法达到的安全存储数据的功能结合在一起。 |
2007-11-06 |
| “多快好省”的FRAM在汽车应用中尽显优势 FRAM的快速写入和高耐久特性使其成为汽车应用中理想的数据收集和存储器件。 |
2007-10-01 |
| Ramtron针对汽车系统将FRAM存储器升级至+125℃范围 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其FRAM Grade 1汽车产品系列，新增一款6?Kb串行FRAM，可在-40至+125℃整个汽车温度范围内正常运作。 |
2007-09-05 |
| FRAM借130nm CMOS工艺克服存储密度限制 FRAM填补了传统主流半导体存储器RAM和非易失性存储器ROM之间的性能间隙，应用规模正在不断扩大。最近，随着Ramtron与TI之间商业制造协议的签订，以及采用TI成熟的130纳米CMOS工艺生产FRAM，FRAM的存储密度已突破1Mb的极限，在FM22L16中可提供4Mb容量。 |
2007-08-01 |
| 嵌入式应用中存储器类型的选择技巧 为嵌入式系统选择存储器类型时，需要考虑一些设计参数，包括微控制器的选择、电压范围、电池寿命、读写速度、存储器尺寸、存储器的特性、擦除/写入的耐久性以及系统总成本。 |
2007-07-12 |
| RAMTRON推出能替换标准工业级8051的FRAM MCU Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174这款基于8051微控制器，带有8KB非易失性FRAM内存，工业标准的44脚QFP封装，可以简便的实现器件升级。 |
2007-06-28 |
| RAMTRON推出首款非易失性状态保持器 Ramtron International Corporation日前宣布推出半导体行业首款非易失性状态保持器，这种新颖的器件可按要求保存信号状态，并在上电时自动恢复到正确状态。FRAM独特的高速写入能力和几乎无限次的读写寿命保证了这种功能。 |
2007-06-08 |
| Ramtron带高速串行接口的FRAM处理器外围产品 Ramtron带高速串行SPI接口的全新内含FRAM处理器外围系列产品在小型封装中整合了非易失性FRAM，还包含了适用于任何处理器的外围功能。 |
2007-06-07 |
| Ramtron业界首推4兆位非易失性FRAM存储器 Ramtron宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。 |
2007-04-02 |
| TI携手Ramtron将FRAM技术推进至130nm工艺 德州仪器公司(TI)和非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布：在FRAM技术发展中的创新里程碑，针对FRAM存储器达成了商用制造协议。 |
2007-04-02 |
| Ramtron推出汽车级16Kb SPI接口FRAM器件 非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品供应商Ramtron International公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存储器件FM25C160已经获得AEC-Q100标准认证。 |
2006-12-25 |
| Ramtron内嵌FRAM和实时时钟的低成本处理器外围芯片 Ramtron International公司日前推出6?Kb、3V内嵌铁电存储器的处理器外围芯片产品FM3130，在微型封装中结合了非易失性铁电存储器FRAM和RTC(实时时钟/日历)功能。 |
2006-11-07 |
| FRAM解决存储器两难选择，将在未来MCU中大显身手 由于FRAM既具有闪存的非易失特性，也具有SRAM的高速访问特性，所以未来的FRAM微控制器可能会携带FRAM。 |
2006-10-27 |
| FRAM存储器入选计量产品，盐河项目发挥性能优势 Ramtron International 公司宣布其FRAM存储器产品已获美国Ampy Automation公司选中，用于以亚利桑那州凤凰城为基地的盐河项目 (Salt River Project) 的现收现付 (Pay As You Go) 市电计量设计中。 |
2006-10-24 |
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