邮件订阅
- 文章
(8) -
帖子
(0) -
博文
(0)
电子系统设计网站
共搜索到8篇文章
按相关度排序
按时间排序
| 波段为2.7~3.5GHz的GaN HEMT晶体管与MMIC 科锐公司日前展出其 2.7~3.5 GHz（S 波段）最新封装 GaN HEMT 功率晶体管与高功率放大器 (HPA) 单片式微波集成电路（MMIC）。这些产品提供业界最佳的功率与效率组合，可实现 60% 的典型功率附加效率 (PAE)。与现有解决方案相比，可降低20%的能耗。 |
2011-06-28 |
| 主要RF/微波放大器性能点评 高频放大器的种类丰富，应用范围非常广泛，几乎可用于所有的电子设备中，起到诸如设置通信接收机的噪音系数、为信号发射机天线驱动高功率信号的作用。高频放大器的类型包括宽带和窄带功率放大器、低噪声放大器(LNA)、对数放大器、运算放大器、跨阻放大器(TIA)以及可变电压放大器。它们以芯片、带表面贴(SMT)封装的器件、基于固态和真空管器件的机架式系统等多种封装形式存在。本文介绍一些最近发布的RF/微波放大器产品。 |
2008-06-01 |
| 安华高科技推出毫米波MMIC系列产品 Avago推出面向新一代通信网络设计，丰富完整的毫米波MMIC系列产品，Avago的新系列毫米波产品包含功率放大器、低噪声放大器、通用型放大器、混波器以及多路复用器等。 |
2007-05-22 |
| 瑞萨用于WLAN功率放大器的双模硅锗MMIC减少安装面积 瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日推出了一种用于无线局域网(LAN)终端发射功率放大器的高性能2.4GHz/5GHz双模硅锗(SiGe)MMIC HA31010。 |
2006-04-27 |
| 均衡毫米波放大器的增益(二) 提出的结构不仅包括一段有电容的连接线(一种简单方法)，还有芯片电阻。该电阻具备功率衰减功能，其寄生元件提供所需电容。连接线长度是调节最小衰减的关键参数。 |
2006-03-10 |
| 利用MESFET工艺生产Ka波段单片集成电路功率放大器(二) MSAG工艺的特点是具有全套的有源和无源器件，能够把它们制作在4英寸直径的砷化钾晶片上。这个工艺包括0.4um的TiWN 肖特基势垒栅，金/锗/镍镀层的欧姆接触，稀膜和离子注入电阻，金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和平面绝缘体层，金属1和镀金导体，以及聚酰亚胺绝缘层。激活层使用选择性离子注入确定。 |
2006-03-09 |
| 利用MESFET工艺生产Ka波段单片集成电路功率放大器(一) 利用先进的砷化镓工艺，通过采用功率，增益，和效率平衡的设计策略，已经开发出来了高性能的Ka波段功率放大器。 |
2006-03-09 |
| Hittite的MMIC功率放大器针对5GHz至20GHz微波应用 Hittite Microwave公司推出一款MMIC驱动放大器芯片和MMIC功率放大器，适用于5GHz至20GHz之间的微波射频、军事、测试及测量产品。 |
2006-01-01 |
--- 共搜索到 8 篇文章，共 1页，目前第 1 页 ---
1
到第
页
更多MMIC功率放大器文章关键词
| MMIC功率放大器 |
| 精品设计专栏赏析 |
|
话题PK：NFC能否成为手机标准配置？New!
蓝牙标配了，Wi-Fi标配了，NFC（近距离无线通讯技术）却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC，此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内，NFC芯片能否成为手机标准配置呢？
正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及，NFC即将成为手机标配。
支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。 支持反方
热门讨论
热点设计专栏
博客推荐
