邮件订阅
电子系统设计网站
共搜索到110篇文章
按相关度排序
按时间排序
| 英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA 英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID（高强度放电）照明等谐振拓扑。 |
2012-04-16 |
| 瑞萨电子新P通道MOSFET，功耗仅为以往产品一半 瑞萨电子日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子（Li-ion）二级电池的充电控制开关和与AC适配器进行电源转换的电源管理开关等用途进行最佳化的μPA2812T1L。 |
2012-03-02 |
| 通过定制MCU、高灵敏触控键和大功率DC-DC实现差异化设计 专注于IC设计的希格玛微电子(Sigma Micro)公司，在IIC-China 2012展会上展出了众多系统集成度高、性价比高的芯片，包括高灵敏度电容式触摸键芯片、专门定制的MCU、ASIC、高集成度的光电鼠标芯片，大功率DC/DC电源管理芯片和低内阻的大功率MOSFET等集成电路产品的研发和设计。 |
2012-02-28 |
| 最快4A与5 A双通道输出MOSFET驱动器 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。 |
2012-01-12 |
| Vishay Siliconix推出SiZ300DT和SiZ910DT 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项，使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。 |
2011-11-15 |
| HiperLCS高频LLC转换器提升电源效率并减小占板面积 Power Integrations公司日前推出的全新HiperLCS系列高压LLC电源IC将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的设计灵活性，既可提升电源效率，又可帮助缩小产品尺寸，即利用高频工作来减小变压器的尺寸和输出电容的占板面积。 |
2011-09-30 |
| 闸能科技朝高效率绿能产品应用IC发展 闸能科技(Alfa-MOS Technology)成立于2010年5月，是相当年轻的公司，目前产品线涵盖MOSFET、ESD防静电与IC电源管理等，并已完成200多款项目开发，且不断为国内外客户所认证与采用。该公司在短短一年多时间，能有如此辉煌成绩，除了研发团队实力坚强外，南港IC设计育成中心也扮演重要的角色。 |
2011-09-15 |
| IIC-2012参展商特瑞仕的绿色视野 作为模拟技术的专业集团，特瑞仕（TOREX）利用其专业意识和对生产制造精益求精的态度，为市场提供适应时代要求的技术。目前特瑞仕正在努力并且积极地关注环境保护的议题。因此，在IIC-2012上，特瑞仕将带来卓越的高效率电源IC，充实了从电压检测器到电压调整器、DC/DC转换器、温度传感器、功率MOSFET、肖特基二极管等产品阵容。 |
2011-09-12 |
| 恩智浦推出超紧凑型电源管理二合一型产品 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装占位面积仅有2x2 mm，高度仅为0.65 mm，专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。 |
2011-08-18 |
| 满足航天级标准的功率电子元器件 随着全球对卫星通信、卫星电视、卫星天气预报及卫星地理数据的需求不断升温，意法半导体（STMicroelectronics，简称ST） 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。 |
2011-06-21 |
| 英飞凌最新一代高压CoolMOS MOSFET再度创新 它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰（EMI），提升产品的竞争优势。 |
2011-06-01 |
| Diodes全新DFN3020封装MOSFET节省七成空间 Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。 |
2011-05-20 |
| 士兰微电子推出第四代平面结构高压MOSFET产品 这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V—900V区间，工作电流在1A—18A之间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于LED 照明，AC-DC功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。 |
2011-03-29 |
| Microsemi太阳能技术产品系列助力光伏应用设计 美高森美面向可再生能源应用的产品包括SmartFusion和IGLOO FPGA；模拟及混合信号器件如旁路二极管/开关、MOSFET、FRED和IGBT；DC-DC转换器，以及脉宽调制(PWM)模块。这一种类丰富的产品系列能够在整个范围的光伏(PV)应用中实现高效、可靠且具有成本效益的解决方案，包括获取电能、功率管理、功率开关和功率监控。 |
2011-03-22 |
| 飞兆UniFET II MOSFET优化消费产品功率转换器 开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。 |
2011-02-09 |
| 内置功率MOSFET和各种保护电路的通用半桥驱动器 新日本无线(总部:東京都中央区 社长 平田一雄)现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品的特点是只需把微处理器或DSP发出的PWM信号输入就能很容易进行功率开关控制。 |
2011-01-04 |
| IR扩大40V至100V汽车专用MOSFET系列 新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 沟道技术开发。所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1, 000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。 |
2010-12-28 |
| PI将瞄准高集成度、高安全性方向前进 这些产品在集成高压功率MOSFET方面独一无二。到现在为止，高功率电源都要使用需要使用外部驱动器和功率MOSFET的控制器IC。将MOSFET集成到器件后，PI能够利用不同功率级与控制电路的紧密集成，实现一些革新性的设计技术。最终可提高效率、降低EMI和增强可靠性。 |
2010-12-24 |
| 容易实现功率开关控制的通用半桥驱动器 新日本无线现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品的特点是只需把微处理器或DSP 发出的PWM信号输入就能很容易进行功率开关控制。 |
2010-12-24 |
| Diodes即插即用器件提升负载点转换器效率 Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD将一个经过优化的控制MOSFET及一个专有DIOFET集成在一个SO8封装中，为消费类及工业应用的负载点转换器提供高效的解决方案。 |
2010-12-23 |
更多MOSFET产品文章关键词
| MOSFET产品 |
| 精品设计专栏赏析 |
|
话题PK：NFC能否成为手机标准配置？New!
蓝牙标配了，Wi-Fi标配了，NFC（近距离无线通讯技术）却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC，此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内，NFC芯片能否成为手机标准配置呢？
正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及，NFC即将成为手机标配。
支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。 支持反方
热门讨论
热点设计专栏
博客推荐
