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MOSFET驱动  搜索结果

 
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TI推出新紧凑型高速单通道栅极驱动器
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4A/8A 与 4A/4A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。
2012-04-25
Diodes MOSFET使电源超越“能源之星”效率
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极管。同时,ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗,以及逾87%的满载效率。
2012-03-12
IR新推紧凑型车用AUIR0815S栅极驱动IC
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出车用IC──AUIR0815S,具备超过10 A 的高输出电流,能够驱动逆变器级的大型 IGBT 和 MOSFET,适用于混合动力汽车和电动汽车中的动力系统。
2012-02-03
全新ILD系列延长LED使用寿命的热保护特性
全新ILD系列包括集成功率级和外置MOSFET的LED驱动IC——针对广泛的普通照明应用可实现高达98%的驱动效率,其中包括MR16卤素灯升级改造、住宅和商业照明、建筑照明和街灯。除大输出电流范围之外,英飞凌全新ILD系列还通过采用两种不同的调光方式——模拟和PWM(脉宽调制),为客户提供高度的灵活性。除了普遍的过流保护外,全新ILD系列驱动器还具备过温保护功能,专门防止LED和LED驱动IC出现热过应力现象,最大限度延长LED灯和LED灯具的使用寿命。
2011-09-28
首款高速双通道6A MOSFET驱动
Intersil公司推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案,非常适合用于开关电源、电机驱动器和D类放大器等应用。
2011-09-15
高可靠交流-直流LED照明驱动方案
GT5010采用最新的变压器原边(PSR)控制方式和具有自主专利的全电流反馈控制技术;驱动外部高可靠的MOSFET功率器件;其恒流和恒压特性满足小于±5%范围;用于手机充电器待机功耗小于30mW;转换效率全面满足最新“EPS2.0”;GT5010采用SOT23-6封装;可工作在-40到+85度的温度范围,同时具有过温保护特性等完善的保护特性。这
2011-08-02
IR车用MOSFET为重载应用提供低导通电阻
IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻,适合电压介于40V和75V之间的各种表面贴装器件 (SMD) 和通孔封装。这些新器件中,AUIRL1404S是40V逻辑电平栅级驱动MOSFET,其它器件都是搭载40V、55V和75V电压的标准栅级驱动MOSFET。
2011-07-13
高达100W的主从式架构LED背光驱动IC
A732是由内建60V高压开关的升压驱动器以及内建50V MOSFET的8信道恒流源组成,可以驱动高达10.8W的LED,适合用在17”、19”的LED Monitor背光。A728是由升压转换控制电路驱动外接功率开关以及内建66V MOSFET的12信道恒流源组成,可驱动最高达36W的LED,适合用在19”至24”的LED Monitor背光;若透过可扩充的主从式架构更可以驱动超过100W的LED,足以推动30”至42”的LED TV背光。
2010-11-12
100W的主从式架构LED背光驱动IC
A732是由内建60V高压开关的升压驱动器以及内建50V MOSFET的8信道恒流源组成,可以驱动高达10.8W的LED,适合用在17”、19”的LED Monitor背光。A728是由升压转换控制电路驱动外接功率开关以及内建66V MOSFET的12信道恒流源组成,可驱动最高达36W的LED,适合用在19”至24”的LED Monitor背光;若透过可扩充的主从式架构更可以驱动超过100W的LED,足以推动30”至42”的LED TV背光。
2010-11-09
IR推出汽车用双通道低侧驱动IC AUIRS4426S
国际整流器公司(IR)近日推出适用于汽车应用的AUIRS4426S双通道低侧驱动IC,应用领域包括混合动力系统驱动、直接燃油喷射系统、DC/DC转换器等。适用汽车的AUIRS4426S采用8引脚SOIC封装,是一种坚固的低电压高速功率MOSFET和IGBT驱动器,可以使两个通道的传输延迟相匹配,从而简化设计。
2010-06-13
IR推出适合汽车的AUIRS2117S/AUIRS2118S 600V IC
国际整流器公司(IR)日前推出AUIRS2117S和AUIRS2118S 600V IC,适用于汽车栅极驱动应用,包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。AUIRS2117S和AUIRS2118S高侧驱动器的开关传输时间非常短,可以在更高的频率下驱动MOSFET或IGBT。
2010-05-13
适用于通用汽车驱动应用的AUIRS2301S 600V IC
AUIRS2301S 是一款坚固的通用驱动器 IC,拥有独立的高侧和低侧参考输出通道,提供从 5V 到 20V 的栅极驱动电压。新器件的输出驱动器具备高脉冲电流缓冲级,以提供最低驱动器交叉导通,而浮动通道则可以用来驱动在高达 600V 下工作的高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。此外,新 IC 也提供负压尖峰 (-Vs) 免疫力,防止系统在高电流切换及短路情况下的灾难性事件。
2010-03-29
尺寸仅为2×3mm的同步降压型开关DC/DC控制器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出纤巧 2mm x 3mm DFN-12 封装、宽输入电压范围同步降压型开关 DC/DC 控制器 LTC3854,该器件能驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。
2009-06-01
业界首款可同时控制和驱动大功率LED的单芯片解决方案
赛普拉斯在推出业界首个集成 LED 驱动器和控制器的全新单芯片 PowerPSoC 系列,实现了 LED 照明设计的创新新系列产品利用灵活的解决方案集成了多种组件适用于各类照明应用以及家电、工业和其他应用2009年4月6日,北京讯,日前,赛普拉斯半导体公司 (NYSE: CY) 宣布推出了集成嵌入式功率控制器的 PowerPSoC 系列产品,这是业界首款可同时控制和驱动大功率 LED 的单芯片解决方案。PowerPSoC 系列将四个恒流调节器和四个 32V MOSFET 与赛普拉斯的 PSoC 可编程片上系统集成在一起,该片上系统包含有微控制器、可编程模拟和数字块、以及存储器。
2009-04-14
飞兆半导体推出单电源、高集成度6A同步降压稳压器
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为电信、显卡和消费电子产品设计人员提供一款单电源、高集成度的6A同步降压解决方案,可让设计人员以较少的占用空间达到较高的效率水平。FAN21SV06把一个控制器、驱动和经优化过的功率MOSFET集成到一个5mm X 6mm MLP封装中,这种小型封装比分立方案节省超过40%的线路板面积。
2009-03-25
广芯电子推出三通道半桥高压MOSFET驱动芯片BCT3538
广芯电子(BROADCHIP)推出创新型三通道半桥高压MOSFET驱动芯片BCT3538,该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路,可直接驱动三个通道半桥式功率MOSFET,动态响应快,驱动能力强,并集成了多种保护功能,可广泛应用于大功率,高压电源系统,象汽车电子,电动车,通信,工业控制等产品市场。
2009-02-13
Maxim同步降压控制器可用于5V和12V总线系统
Maxim推出高性能、双路输出、同步降压控制器MAX15034,能够驱动外部MOSFET提供2路25A输出或单路50A输出。这种灵活性可使器件用于多种设计平台,从而减少了元件种类、降低了成本。此外,器件的输入电压范围为4.5V至5.5V或5.5V至28V,可用于5V和12V总线系统。器件针对大输出电流的应用进行了优化,理想用于计算处理、电信、网络、存储和服务器设备。
2009-02-09
飞兆光电耦合器解决方案FOD3120/FOD3150具有最高的CMR
飞兆半导体公司为光伏逆变器、电机驱动和感应加热应用的设计人员带来同级最佳共模抑制 (common mode rejection, CMR) 光电耦合器解决方案,型号为 FOD3120 和 FOD3150。这两种产品是输出电流分别为2.5A和1A的栅极驱动光电耦合器,具有业界最高的CMR值,即使在最噪杂(干扰最恶劣)的工业环境中,也能够轻易驱动1200V/20A IGBT和MOSFET。
2008-12-31
凌力尔特反激式控制器可将大型电容器迅速充电至高达1000V
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出反激式控制器LT3751,该器件可将大型电容器迅速充电至高达1000V。LT3751驱动一个外部N沟道MOSFET,可在不到1秒钟的时间内将一个1000uF电容器充电至500V,从而使该器件非常适合于诸如专业照相闪光灯系统、RF保安、库存控制系统和专门的高压电源等应用。
2008-12-11
Intersil推出高性能24V、2A的降压PWM稳压器ISL8500
Intersil公司日前宣布,推出高性能的24V、2A的降压PWM稳压器ISL8500,为各种负载点应用提供了简单实用的电源解决方案。ISL8500内的PWM控制器可驱动一个内部的N通道功率MOSFET,利用一个外部的肖特基二极管使MOSFET产生0.6V~19V的输出电压。
2008-11-27
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话题PK:NFC能否成为手机标准配置?New!

蓝牙标配了,Wi-Fi标配了,NFC(近距离无线通讯技术)却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC,此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内,NFC芯片能否成为手机标准配置呢?

正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及,NFC即将成为手机标配。   支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。  支持反方



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