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2009-06-25
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通嘉推出整合28V/1A MOSFET的高功率LED驱动器
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通嘉公司因应市场需求, 为高亮度LED电源设计人员开发出一组连续导通模式的降压转换驱动器-LD7860, 该款驱动器整合一组28V/1A MOSFET, 效率高达95%。
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2009-06-17
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Vishay推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器VO3120和VO3150A
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已有的光耦产品线。此次发布的VO3120和VO3150A的输出电流分别为2.5A和0.5A，具有最宽的工作电压和很高的环境工作温度，其低功耗特性能够实现更好的热管理，以及在马达驱动、电磁炉、电源和其他高电压应用中实现更灵活的设计。
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2009-05-13
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飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50%的RDS(ON)
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC/DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相比栅级电荷相同的现有解决方案，这一专有工艺技术提供了业界最低的RDS (ON) (8 mΩ)，使FDMS86101得以减小导通损耗，而不会受到较高栅级电荷的影响。以太网、刀片服务器和电信应用正逐渐从12V转向48V电源，对于优化开关效率的需求变得越来越重要。
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2009-04-27
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能有效延长电池寿命的飞兆半导体20V MicroFET MOSFET
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引线框架的MicroFET 封装，相比传统的MOSFET，它具有出色的热阻，能提供超卓的功率耗散，并可减少传导损耗。该器件采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术，获得极低的RDS(ON) 值、栅级电荷 (QG) 和米勒电荷 (QGD) ? 这些都显箸减少传导损耗和提升开关性能。
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2009-03-27
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可大幅延长电动牙刷和电动剃须刀电池寿命的MicroFET MOSFET
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飞兆半导体的新款FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N信道和单N信道MOSFET器件可延长电池寿命，适用于手机、电动牙刷、刮胡刀及其它产品。
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2009-03-24
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飞兆半导体的MicroFET MOSFET有效延长电池寿命且提供最低的RDS(ON)
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美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) 是全球首屈一指提供高能效功率模拟和功率分立解决方案的领导厂商。作为功率专家 The Power Franchise?，飞兆半导体为消费、通信、工业、便携、计算机和汽车系统提供业界最先进的半导体和封装技术、制造能力和系统专业技术。
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2009-02-24
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ST最新MDmesh V产品让650V MOSFET的RDS(ON)降到0.079Ω以下
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意法半导体宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。
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2009-02-13
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广芯电子推出三通道半桥高压MOSFET驱动芯片BCT3538
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广芯电子（BROADCHIP）推出创新型三通道半桥高压MOSFET驱动芯片BCT3538，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动三个通道半桥式功率MOSFET，动态响应快，驱动能力强，并集成了多种保护功能，可广泛应用于大功率,高压电源系统,象汽车电子,电动车,通信,工业控制等产品市场。
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2009-02-10
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ROHM大幅度缩短了内部二极管反向恢复时间的高耐压MOSFET F系列
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ROHM成功开发出具有高速开关、低导通电阻特性，并且大幅度缩短了内部二极管反向恢复时间(trr)的高耐压MOSFET“F系列”！这一新产品系列预定从2009年2月开始供应样品(样品价格300日元/个)，并于2009年4月开始以月产100万个的规模批量生产。
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2009-02-06
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Fairchild最新CSP封装P沟道MOSFET FDZ391P
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V 额定电压PowerTrench工艺设计，结合先进的WL-CSP封装，将RDS(ON) 和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40%，可满足下一代手机、MP3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能 (1.9W)。
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2009-02-06
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IR全新基准高电流MOSFET IRFBxxxxPBF
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
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2008-12-24
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Diodes推出体积最小的全自保护式低端MOSFET ZXMS6004FF器件
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Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出世界上体积最小的全自保护式低端MOSFET。该ZXMS6004FF器件采用2.3×2.8毫米扁平式SOT23F封装，较其它采用7.3×6.7毫米SOT223封装的大型零件节省八成半电路板空间。
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2008-12-19
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IR推出全新基准MOSFET，将封装电流额定值提升了60%
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
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2008-12-15
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凌力尔特推出100V同步N沟道MOSFET驱动器
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凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出LTC4444-5的高可靠性(MP)级新版本，该器件是一个高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET驱动器，该驱动器与功率MOSFET和凌力尔特诸多DC/DC控制器中的一款组合起来，形成了一个完整的高效率同步稳压器。
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2008-11-17
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安森美半导体专门为中等电压开关应用的60V单N沟道MOSFET
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安森美新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET，提供较低的导通阻抗(RDS(on))，将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比，降低传导和开关损耗。所有这些性能特性，使电源子系统能效更高。
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2008-11-06
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IR推出具有基准低通态电阻的MOSFET系列
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新MOSFET能改善导通电阻达50%, 减低整体系统成本.新MOSFET的通态电阻(RDS(on))能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。
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2008-10-28
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Intersil公司发布新款12~5V同步整流降压MOSFET器件
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Intersil公司最近发布了新款12V到5V同步整流降压MOSFET驱动系列器件，这些器件可以为Intel VR11.1系统提供业界最高的轻载效率。
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2008-10-07
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卓芯微电子推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA/RCRH003FB
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卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。
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2008-09-05
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凌力尔特集成式2A MOSFET和检测电阻提供紧凑型热插拔解决方案
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凌力尔特公司推出 2A 集成式热插拔(Hot Swap)控制器LTC4217，该器件用于保护负载电源电压范围为2.9~26.5V 的低功率电路板。
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2008-09-01
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导通电阻仅10.5mΩ的锂电池保护电路MOSFET
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日本三洋电机公司将从今年9月起依次量产具有低导通电阻特性的锂离子充电电池保护电路用MOSFET“ECH8”、“EMH8”和“EFCP”3个系列11种产品，主要面向手机等使用一节或串联使用两节锂离子充电电池的应用。由于导通电阻低，除可以提高电池驱动时间外，还可以支持快速充电等。
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