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2008-11-17
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安森美半导体专门为中等电压开关应用的60V单N沟道MOSFET
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安森美新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET，提供较低的导通阻抗(RDS(on))，将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比，降低传导和开关损耗。所有这些性能特性，使电源子系统能效更高。
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2008-11-06
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IR推出具有基准低通态电阻的MOSFET系列
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新MOSFET能改善导通电阻达50%, 减低整体系统成本.新MOSFET的通态电阻(RDS(on))能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。
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2008-10-28
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Intersil公司发布新款12~5V同步整流降压MOSFET器件
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Intersil公司最近发布了新款12V到5V同步整流降压MOSFET驱动系列器件，这些器件可以为Intel VR11.1系统提供业界最高的轻载效率。
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2008-10-07
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卓芯微电子推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA/RCRH003FB
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卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。
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2008-09-05
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凌力尔特集成式2A MOSFET和检测电阻提供紧凑型热插拔解决方案
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凌力尔特公司推出 2A 集成式热插拔(Hot Swap)控制器LTC4217，该器件用于保护负载电源电压范围为2.9~26.5V 的低功率电路板。
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2008-09-01
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导通电阻仅10.5mΩ的锂电池保护电路MOSFET
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日本三洋电机公司将从今年9月起依次量产具有低导通电阻特性的锂离子充电电池保护电路用MOSFET“ECH8”、“EMH8”和“EFCP”3个系列11种产品，主要面向手机等使用一节或串联使用两节锂离子充电电池的应用。由于导通电阻低，除可以提高电池驱动时间外，还可以支持快速充电等。
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2008-08-13
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PAM公司研发出内置MOSFET管的高功率LED驱动器
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PAM(Power Analog Microelectronics)公司是一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司，日前发布了该公司第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器，这个驱动器是采用台积电（TSMC）的双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺而制成的。
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2008-07-01
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采用0.7mm纤薄设计的30V DirectFET MOSFET系列
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全新30V DirectFET MOSFET系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。
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2008-06-01
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飞思卡尔推出四组输出集成MOSFET器件
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飞思卡尔的MC34700 IC是一款9~18V四组输出集成MOSFET器件，能够降低复杂性，简化电源开发。MC34700采用32引脚5x5毫米QFN封装，能够在小型设计中加入最多四条电源轨。相对于离散设计，这种功能降低了主板空间要求。广泛的输入电压范围让该器件非常适合于标称电压为12V的应用。在12V电压只是20%准确度的系统中，MC34700具有充足的操作范围。
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2008-05-30
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IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列
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IR全新30V DirectFET MOSFET系列为同步降压转换器设计,带来更高性能和电流密度,专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化.
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2008-05-20
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Intersil新型大电流MOSFET栅极驱动器实现最佳开关效率
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Intersil新型大电流MOSFET栅极驱动器ISL6615、ISL6615A可缩短栅极电压上升下降时间，最大限度降低开关损耗，提高效率并提供先进故障保护，而无需重新设计电路板
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2008-05-15
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ST全新MOSFET导通电阻降低18%
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意法半导体(ST)推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。
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2008-04-28
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飞思卡尔推出9.0~18V四组输出集成MOSFET器件MC34700
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飞思卡尔在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路，这些产品已经对空间受限的高电压和高功率应用进行了优化。MC34700是一款9.0~18V四组输出集成MOSFET器件，广泛的输入电压范围让该器件非常适合于标称电压为12V的应用。
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2008-02-20
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飞兆P沟道PowerTrench MOSFET可减小50%开关损耗
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飞兆半导体公司日前推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷(QG)达50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。
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2007-10-30
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对浪涌电流导致的MOSFET发热的仿真分析
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在大多数应用中，虽然机电继电器在历史上一直是主要的负载开关，但随着技术进步，MOSFET的导通电阻已近于理想开关(RDS(ON)=0Ω)，所以，最近几年MOSFET在蚕食继电器的领地。但MOSFET的导通电阻仍大于相应的继电器导通电阻。这样，当采用MOSFET进行设计时，就要将热问题考虑在内。
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2007-10-24
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MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计
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当今多种MOSFET技术和硅片制程并存，而且技术进步日新月异。要根据MOSFET的电压/电流或管芯尺寸，对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。
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2007-08-24
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飞兆N沟道MOSFET系列可提供高达8kV的ESD保护能力
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飞兆半导体推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD (HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。
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2007-08-22
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Zetex最新双极晶体管满足MOSFET栅极驱动需求
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Zetex Semiconductors(捷特科)公司日前推出一系列微型NPN及PNP晶体管，以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。
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2007-05-28
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安森美推出内置MOSFET驱动电路的高性能谐振模式控制器
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安森美半导体(ON Semiconductor)推出一款内置高电压端与低电压端MOSFET驱动电路的高性能谐振模式控制器NCP1396，这款器件为各种多样化应用带来高信赖度的高能效电源设计，包括平板显示设备电源转换、高功率密度交直流电源适配器、工业用电源以及游戏机等。
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2007-05-16
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飞兆新推互补型40V MOSFET可改进LCD尺寸、成本及可靠性
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飞兆半导体公司推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。
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