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2010-01-06
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厚度仅为0.43mm的60V功率MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。
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2010-01-04
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集成了MOSFET的同步DC/DC转换器，
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Maxim推出同步DC/DC转换器MAX15041，器件在3× 3mm的小尺寸封装中集成了MOSFET。
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2009-12-16
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通态电阻最低仅650V的全新功率MOSFET
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意法半导体推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。
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2009-12-04
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具有高开关速度和过温保护功能的MOSFET驱动器
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Analog Devices, Inc. 最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器 ( http://www.analog.com/zh/MOSFET-Drivers )系列，该系列产品可提供2A 和4A 的峰值电流。该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。新型 ADP36xx MOSFET 驱动器系列由于具有过温保护、UVLO（欠压锁定）和精密关断能力，从而提高了系统可靠性。这些驱动器可与 PWM（脉宽调制）控制器（如 ADI 公司获奖的 ADP1043数字控制器 ( http://www.analog.com/zh/MOSFET-Drivers )）配套使用，以提高系统效率，同时实现隔离电源转换和马达控制系统的高开关频率。
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2009-12-04
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Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET
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Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。
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2009-11-03
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安森美半导体推出24款30V高密度沟槽MOSFET
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安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、u8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
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2009-10-13
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DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET的热分析方法
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本文对DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET进行了热分析，并利用用户友好的在线热仿真工具将结果与在实验室测得的数据进行对比。
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2009-09-29
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可满足PC 80 PLUS金级别要求的新一代超级结MOSFET
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相比SuperFET MOSFET器件，SupreMOS 600V超级结MOSFET在相同RDS(ON)下提供了更低的栅级电荷，并且具有出色的开关性能，能够将开关和传导损耗减少20%，从而提高效率。另外，SupreMOS器件具有较低的输入和输出电容，能够提高轻负载条件下的效率。这些特性可让电源满足能源之星规范中适用于台式电脑的80 PLUS 金(Gold) 级别和用于服务器的白金(Platinum)级别的要求。
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2009-09-28
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MOSFET市场快速发展，本土企业见起色
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全球节能环保意识高涨使得高效、节能产品成为市场发展的主流趋势。相应地，电源管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越来越多的应用到整机电子产品中。在功率器件产品中，MOSFET的市场需求增长最快。据分析机构数据显示，尽管受全球金融危机影响， 2008年，中国MOSFET市场需求量为198.2亿个，仍比2007年增长了11.9%。
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2009-09-22
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鹏源电子展示适合电动车应用的超大电流MOSFET
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在本次秋季IIC-China上，鹏源电子带来了IXYS的一款适合电动车应用的超大电流MOSFET产品。该产品是170～300V沟槽栅口工艺的超级MOSFET，这些MOSFET能处理高达280A的电流，使工程师设计高功率的产品时，无需再使用低电流的MOSFET去并联！这样使得驱动电路更简单，使系统使用更少的元件达致高可靠性、简单的极佳效果。
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2009-09-17
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Vishay推出突破性P沟道功率MOSFET SiB457EDK
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET??SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。
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2009-08-14
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针对LCD电视和显示器背光应用的新型MOSFET器件
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Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
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2009-08-13
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Diodes推出超小型DFN封装的MOSFET双器件
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与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相比，DFN2020节省了55%的PCB空间；仅0.5mm的板外高度，也比传统封装薄了50%，符合下一代产品设计的要求。用于这些封装的 MOSFET均具有低栅电荷，在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86毫欧，以确保开关及导通损耗最小。
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2009-08-12
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ST推出全新系列功率MOSFET晶体管
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日前，意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。
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2009-08-12
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英飞凌科技宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
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英飞凌科技宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备领先的导通电阻（RDS(on)）和品质因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMPS）、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。
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2009-08-12
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英飞凌高性能的的下一代CoolMOS MOSFET
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英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。
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2009-08-11
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Vishay单封装双不对称功率MOSFET器件
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品 --- SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。
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2009-08-10
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恩智浦推出Power SO8封装低于1毫欧RDSon的MOSFET
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恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司）宣布推出首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦现有MOSFET 系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源OR-ring、电机控制和高效同步降压器等。
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2009-08-10
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Vishay新款第三代12V功率MOSFET
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日前，Vishay 宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。
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2009-08-10
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Vishay推出三款采用不同封装的的500V功率MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
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