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2010-07-20
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三款新型500V N沟道功率MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。
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2010-07-16
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面向小型汽车电子单元的功率MOSFET
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瑞萨电子株式会社正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。新产品主要面向汽车电子控制单元（如引擎控制单元和泵电机控制单元）的应用，采用了8引脚HSON封装，在实现封装尺寸小于原有TO-252产品约一半的同时，还可实现高达75A的电流。
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2010-07-16
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Vishay Siliconix推出新款ThunderFET功率MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET 功率MOSFET --- ThunderFET SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。
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2010-07-01
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MOSFET与预驱动器的匹配技巧
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适应宽负载范围的一种方法是使用现有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和带必要保护及诊断功能的预驱动器。要使这一方案发挥最大的作用，MOSFET和预驱动器必须相互匹配。
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2010-06-30
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IXYS发布最新一代Polar-series Power MOSFET
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IXYS公司近日宣告： 发布一种最新系列的 PolarP2TM MOSFET, IXYS 快速强大的最新一代Polar-series Power MOSFETs. 以IXYS特有的PolarP2 技术为平台制造这些新款的500V 器件
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2010-05-13
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飞兆发布高性能超紧凑的MicroFET MOSFET产品
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑、薄型(1.6×1.6×0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。
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2010-05-10
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采用芯片级MICRO FOOT封装的功率MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
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2010-04-27
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恩智浦针对汽车应用推出符合Q101标准的LFPAK封装功率MOSFET
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恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。LFPAK封装针对高密度汽车应用进行了优化，其面积比DPAK封装减小了46%而具有与DPAK封装近似的热性能。
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2010-04-27
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飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
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2010-04-07
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Vishay Siliconix推出新款500V N沟道功率MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。
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2010-03-18
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飞兆半N沟道WL-CSP MOSFET能在便携应用中延长电池寿命
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench工艺技术，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，并可延长电池寿命。
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2010-01-06
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厚度仅为0.43mm的60V功率MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。
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2010-01-04
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集成了MOSFET的同步DC/DC转换器，
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Maxim推出同步DC/DC转换器MAX15041，器件在3× 3mm的小尺寸封装中集成了MOSFET。
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2009-12-16
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通态电阻最低仅650V的全新功率MOSFET
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意法半导体推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。
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2009-12-04
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具有高开关速度和过温保护功能的MOSFET驱动器
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Analog Devices, Inc. 最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器 ( http://www.analog.com/zh/MOSFET-Drivers )系列，该系列产品可提供2A 和4A 的峰值电流。该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。新型 ADP36xx MOSFET 驱动器系列由于具有过温保护、UVLO（欠压锁定）和精密关断能力，从而提高了系统可靠性。这些驱动器可与 PWM（脉宽调制）控制器（如 ADI 公司获奖的 ADP1043数字控制器 ( http://www.analog.com/zh/MOSFET-Drivers )）配套使用，以提高系统效率，同时实现隔离电源转换和马达控制系统的高开关频率。
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2009-12-04
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Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET
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Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。
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2009-11-03
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安森美半导体推出24款30V高密度沟槽MOSFET
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安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、u8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
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2009-10-13
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DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET的热分析方法
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本文对DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET进行了热分析，并利用用户友好的在线热仿真工具将结果与在实验室测得的数据进行对比。
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2009-09-29
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可满足PC 80 PLUS金级别要求的新一代超级结MOSFET
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相比SuperFET MOSFET器件，SupreMOS 600V超级结MOSFET在相同RDS(ON)下提供了更低的栅级电荷，并且具有出色的开关性能，能够将开关和传导损耗减少20%，从而提高效率。另外，SupreMOS器件具有较低的输入和输出电容，能够提高轻负载条件下的效率。这些特性可让电源满足能源之星规范中适用于台式电脑的80 PLUS 金(Gold) 级别和用于服务器的白金(Platinum)级别的要求。
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2009-09-28
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MOSFET市场快速发展，本土企业见起色
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全球节能环保意识高涨使得高效、节能产品成为市场发展的主流趋势。相应地，电源管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越来越多的应用到整机电子产品中。在功率器件产品中，MOSFET的市场需求增长最快。据分析机构数据显示，尽管受全球金融危机影响， 2008年，中国MOSFET市场需求量为198.2亿个，仍比2007年增长了11.9%。
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