|
|
|
2008-11-17
|
安森美半导体专门为中等电压开关应用的60V单N沟道MOSFET
|
| |
安森美新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET,提供较低的导通阻抗(RDS(on)),将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比,降低传导和开关损耗。所有这些性能特性,使电源子系统能效更高。
|
|
2008-11-06
|
IR推出具有基准低通态电阻的MOSFET系列
|
| |
新MOSFET能改善导通电阻达50%, 减低整体系统成本.新MOSFET的通态电阻(RDS(on))能效比同类产品高出达50%,无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装,有助于节省总系统成本。
|
|
2008-10-28
|
Intersil公司发布新款12~5V同步整流降压MOSFET器件
|
| |
Intersil公司最近发布了新款12V到5V同步整流降压MOSFET驱动系列器件,这些器件可以为Intel VR11.1系统提供业界最高的轻载效率。
|
|
2008-10-07
|
卓芯微电子推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA/RCRH003FB
|
| |
卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺,具有极低的导通电阻,并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺,同时具有极佳的反向漏电特性。
|
|
2008-09-05
|
凌力尔特集成式2A MOSFET和检测电阻提供紧凑型热插拔解决方案
|
| |
凌力尔特公司推出 2A 集成式热插拔(Hot Swap)控制器LTC4217,该器件用于保护负载电源电压范围为2.9~26.5V 的低功率电路板。
|
|
2008-09-01
|
导通电阻仅10.5mΩ的锂电池保护电路MOSFET
|
| |
日本三洋电机公司将从今年9月起依次量产具有低导通电阻特性的锂离子充电电池保护电路用MOSFET“ECH8”、“EMH8”和“EFCP”3个系列11种产品,主要面向手机等使用一节或串联使用两节锂离子充电电池的应用。由于导通电阻低,除可以提高电池驱动时间外,还可以支持快速充电等。
|
|
2008-08-13
|
PAM公司研发出内置MOSFET管的高功率LED驱动器
|
| |
PAM(Power Analog Microelectronics)公司是一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司,日前发布了该公司第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,这个驱动器是采用台积电(TSMC)的双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺而制成的。
|
|
2008-07-01
|
采用0.7mm纤薄设计的30V DirectFET MOSFET系列
|
| |
全新30V DirectFET MOSFET系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术,比标准SO-8器件的占位面积小40%,而且采用了0.7mm纤薄设计。
|
|
2008-06-01
|
飞思卡尔推出四组输出集成MOSFET器件
|
| |
飞思卡尔的MC34700 IC是一款9~18V四组输出集成MOSFET器件,能够降低复杂性,简化电源开发。MC34700采用32引脚5x5毫米QFN封装,能够在小型设计中加入最多四条电源轨。相对于离散设计,这种功能降低了主板空间要求。广泛的输入电压范围让该器件非常适合于标称电压为12V的应用。在12V电压只是20%准确度的系统中,MC34700具有充足的操作范围。
|
|
2008-05-30
|
IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列
|
| |
IR全新30V DirectFET MOSFET系列为同步降压转换器设计,带来更高性能和电流密度,专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形,以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化.
|
|
2008-05-20
|
Intersil新型大电流MOSFET栅极驱动器实现最佳开关效率
|
| |
Intersil新型大电流MOSFET栅极驱动器ISL6615、ISL6615A可缩短栅极电压上升下降时间,最大限度降低开关损耗,提高效率并提供先进故障保护,而无需重新设计电路板
|
|
2008-05-15
|
ST全新MOSFET导通电阻降低18%
|
| |
意法半导体(ST)推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求,新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。
|
|
2008-04-28
|
飞思卡尔推出9.0~18V四组输出集成MOSFET器件MC34700
|
| |
飞思卡尔在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路,这些产品已经对空间受限的高电压和高功率应用进行了优化。MC34700是一款9.0~18V四组输出集成MOSFET器件,广泛的输入电压范围让该器件非常适合于标称电压为12V的应用。
|
|
2008-02-20
|
飞兆P沟道PowerTrench MOSFET可减小50%开关损耗
|
| |
飞兆半导体公司日前推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON)),与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷(QG)达50%,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。
|
|
2007-10-30
|
对浪涌电流导致的MOSFET发热的仿真分析
|
| |
在大多数应用中,虽然机电继电器在历史上一直是主要的负载开关,但随着技术进步,MOSFET的导通电阻已近于理想开关(RDS(ON)=0Ω),所以,最近几年MOSFET在蚕食继电器的领地。但MOSFET的导通电阻仍大于相应的继电器导通电阻。这样,当采用MOSFET进行设计时,就要将热问题考虑在内。
|
|
2007-10-24
|
MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计
|
| |
当今多种MOSFET技术和硅片制程并存,而且技术进步日新月异。要根据MOSFET的电压/电流或管芯尺寸,对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进行一般说明,实际上显得颇为困难,甚至不可能。
|
|
2007-08-24
|
飞兆N沟道MOSFET系列可提供高达8kV的ESD保护能力
|
| |
飞兆半导体推出全新的高效N沟道MOSFET系列,提供高达8kV的ESD (HBM)电压保护,较市场现有器件高出90%。
|
|
2007-08-22
|
Zetex最新双极晶体管满足MOSFET栅极驱动需求
|
| |
Zetex Semiconductors(捷特科)公司日前推出一系列微型NPN及PNP晶体管,以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。
|
|
2007-05-28
|
安森美推出内置MOSFET驱动电路的高性能谐振模式控制器
|
| |
安森美半导体(ON Semiconductor)推出一款内置高电压端与低电压端MOSFET驱动电路的高性能谐振模式控制器NCP1396,这款器件为各种多样化应用带来高信赖度的高能效电源设计,包括平板显示设备电源转换、高功率密度交直流电源适配器、工业用电源以及游戏机等。
|
|
2007-05-16
|
飞兆新推互补型40V MOSFET可改进LCD尺寸、成本及可靠性
|
| |
飞兆半导体公司推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。
|