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| IR新推紧凑型车用AUIR0815S栅极驱动IC 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用IC──AUIR0815S，具备超过10 A 的高输出电流，能够驱动逆变器级的大型 IGBT 和 MOSFET，适用于混合动力汽车和电动汽车中的动力系统。 |
2012-02-03 |
| Linear浮动浪涌抑制器提供无限制的过压保护 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出面向电子系统的过压保护控制器 LTC4366。该器件在 9V 至高于 500V 的电压范围内工作，其浮动浪涌抑制器采用可调浮动拓扑，能不受 LTC4366 内部电路电压额定值的影响，以非常高的电压工作。两个内部并联稳压器与外部降压电阻器一起产生 LTC4366 的内部电源轨。最高工作电压由外部电阻器和 MOSFET 的击穿电压决定。 |
2012-01-30 |
| Diodes MOSFET控制器助力PSU效率达能源之星评级 Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。 |
2012-01-13 |
| 最快4A与5 A双通道输出MOSFET驱动器 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。 |
2012-01-12 |
| 采用TO无铅封装的车用电源MOSFET 英飞凌专利的无铅粘晶(die attach)技术采用扩散焊接，可提升电性与散热表现、可制造性以及品质。该粘晶技术搭配英飞凌的薄晶圆制程(60μm，标准为175μm)，为功率半导体提供多项改良。 |
2012-01-10 |
| STW88N65M5 MOSFET通态电阻仅为0.029Ω 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度；现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上，对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器，新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。 |
2012-01-09 |
| Diodes封装MOSFET低温支持高达1W的功率耗散 这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样，印刷电路板（PCB）面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的信号以及负载开关应用，用于包括数码相机、平板电脑和智能手机在内的高便携式消费电子产品。 |
2012-01-05 |
| 用eGaN FET砖式转换器改进电源 本文对基于eGaN FET的全稳压1/8砖式转换器原型和基于MOSFET的同类转换器进行了比较。eGaN FET不仅比MOSFET的效率更高，而且在高出33%的开关频率下，输出功率提高了15%。 |
2011-12-31 |
| 符合全面认证的碳化硅MOSFET芯片 科锐公司（CREE）将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。 |
2011-12-30 |
| LTC3613转换器提供高达15A的连续负载电流 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、接通时间受控的同步降压型 DC/DC 转换器 LTC3613，该器件具差分输出电压采样和时钟同步。受控的接通时间和谷值电流模式架构在瞬态事件时可通过提高工作频率以实现非常快速的瞬态响应，从而允许 LTC3613 仅在几个时钟周期内就可从大的负载步进中恢复。其 4.5V 至 24V 的输入范围支持多种应用，其中包括大多数中间总线电压。集成的 N 沟道 MOSFET 可在 0.6V 至 5.5V 的输出电压范围内提供高达 15A 的连续负载电流，从而使该器件非常适用于负载点应用。 |
2011-12-28 |
| FDMB2307NZ节省多达40%的空间并提高效率 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸，并提供了所需的高效率。 |
2011-12-21 |
| 针对多相位应用的IR3553 40A PowIRstage 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布扩充其 PowIRstage 集成式器件系列，推出专为下一代服务器、消费者及通信系统优化的 40A IR3553。 |
2011-12-13 |
| Diodes推出新型提高效率P通道MOSFET Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。 |
2011-11-30 |
| AOS推出具领先标准并适用便携式应用的功率MOSFET 日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。 |
2011-11-23 |
| Vishay Siliconix推出SiZ300DT和SiZ910DT 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项，使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。 |
2011-11-15 |
| 软开关转换器的输出电容考量 功率转换开关频率一直在不断提高，以便最大限度地提升功率密度，软开关技术如零电压开关(ZVS)正逐渐普及以进一步提高开关频率。随着开关频率的增大，功率MOSFET的寄生特性不再可以忽略不计。对于采用ZVS拓扑的功率转换器设计，输出电容是所有寄生成分中至关重要的寄生参数，它决定了需要多少电感来提供ZVS的工作条件。 |
2011-11-02 |
| Vishay新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。 |
2011-11-01 |
| 满足智能电表通信要求的单芯片解决方案 MAX17497集成了通用输入(85V至265V)、非隔离反激电源所需的控制电路。器件还包含内置MOSFET的副边同步buck调节器。这些集成功能用于支持电力线通信(PLC)驱动器或RF收发器、PLC/RF调制解调器(2.5V/3.3V)以及断路器继电器等模块的供电设计，同时还可满足高精度计量、片上系统(SoC)严格的稳压要求。 |
2011-10-25 |
| TE推出新一代低电阻、高电流可回流焊热保护器件 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。 |
2011-10-24 |
| 适合电动汽车和混合动力汽车的三相栅极驱动器 AUIRS2332J 高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器具备三个独立的高低侧参考输出通道。IR专有的 HVIC 技术使单片式结构坚固耐用，而且其逻辑输入与 CMOS 或 LSTTL 输出相兼容，低至3.3V 逻辑。新器件还提供能通过外部电流感应电阻来进行桥电流模拟反馈的集成接地参考运算放大器、电流跳闸功能，以及可显示过流和欠压关断的漏极开路故障信号。该 IC 采用 PLCC44 封装，提供高电压引脚间的更高爬电距离，简化电路板布局。 |
2011-10-24 |
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