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| 士兰微电子推出第四代平面结构高压MOSFET产品 这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V—900V区间，工作电流在1A—18A之间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于LED 照明，AC-DC功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。 |
2011-03-29 |
| Microsemi太阳能技术产品系列助力光伏应用设计 美高森美面向可再生能源应用的产品包括SmartFusion和IGLOO FPGA；模拟及混合信号器件如旁路二极管/开关、MOSFET、FRED和IGBT；DC-DC转换器，以及脉宽调制(PWM)模块。这一种类丰富的产品系列能够在整个范围的光伏(PV)应用中实现高效、可靠且具有成本效益的解决方案，包括获取电能、功率管理、功率开关和功率监控。 |
2011-03-22 |
| 业界领先的两款无铅且符合RoHS要求的eGaNTM FET EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅极电压为5V。EPC2015是一种40 VDS器件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比，这两种eGaN FET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻，体积比相同电阻的硅器件更小，并且具有卓越许多倍的开关性能。 |
2011-03-18 |
| 业内最低外形和最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。 |
2011-03-16 |
| 首款内置MOSFET门极驱动器的全桥PWM控制器 NSC宣布推出业界首款内置全部4个初级端桥接MOSFET门极驱动器的全桥脉冲调制（PWM）控制器。这两款型号分别为LM5045及LM5046的控制器芯片可以提高1/4及1/8砖电源模块的效率和功率密度，其应用范围极广，包括适用于具有高输入电压的通信网络基础设施。 |
2011-03-11 |
| 具高效率和低EMI的特点的Qspeed二极管 当PN硅二极管反向偏置和关断时，电流快速降至零，然后在PN结从导通切换到关断模式时，电流暂时反向流过二极管。时间与负电流的积分（即瞬态电流和对应时间构成的面积）被称为反向恢复电荷或QRR。QRR经过系统中的其他器件流到接地端，能量转化为无用的热能，这会降低系统效率，还可能升高成本较高的相关元件（如MOSFET）的温度。Qspeed二极管在所有低成本硅二极管中具有最低的QRR。在需要提升效率或降低温度的PFC和整流管应用中，它们可以替代超快速硅二极管 |
2011-02-22 |
| 面向硬开关和软开关应用并具备耐用体二极管的新一代650V超结器件 新一代CoolMOS 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的高击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管耐用性有机结合在一起，尤其适用于硬开关和软开关应用。性能的改进还可以从数据表规范中提供Qrr和trr 最大值来体现。本文研究了影响体二极管耐用性改进的多个因素，并通过在HID半桥拓扑上的应用，来验证这种采用快速体二极管的全新超结器件的优点。 |
2011-02-14 |
| 飞兆UniFET II MOSFET优化消费产品功率转换器 开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。 |
2011-02-09 |
| 导通电阻低至16mΩ的TrenchFET功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 |
2011-01-26 |
| 尺寸仅2mm x 2mm的4A开关调节器 Maxim推出采用2mm x 2mm晶片级封装(WLP)的低压(2.4V至3.6V)、同步整流开关调节器MAX15040。该款微型降压调节器内置MOSFET，可有效简化设计、减小EMI、提高系统可靠性、节省电路板空间。MAX15040工作在1MHz固定开关频率，允许使用全陶瓷电容设计，进一步减小了整体方案尺寸。该款负载点应用调节器在满载电流输出(4A)条件下的效率高达94%，可大大降低电信、网络和服务器设备等应用中的功耗。 |
2011-01-18 |
| IIC-China 2011春季展商专访：硅佳晶圆代工 硅佳晶圆代工，位于马来西亚的SilTerra(硅佳)，是一家快速成长的晶圆代工厂。SilTerra(硅佳)提供先进标准化的CMOS Logic、High Voltage、Power MOSFET 和 Mixed-Signal/RF 技术，并且已将许多用于0.11um, 0.13um , 0.16um 和 0.18um 制程的晶圆送给位于全球的客户。 |
2011-01-10 |
| 电源设计小贴士：估算热插拔MOSFET的瞬态温升(1) 在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通过使用一个串联组件逐渐延长新连接电容负载的充电时间，热插拔器件可以完成这项工作。结果，该串联组件具有巨大的损耗，并在充电事件发生期间产生温升。大多数热插拔设备的制造厂商都建议您查阅安全工作区域 (SOA) 曲线，以便设备免受过应力损害。图 1 所示 SOA 曲线显示了可接受能量区域和设备功耗，其一般为一个非常保守的估计。 |
2011-01-13 |
| 高效率反向控制器与FET驱动器简化电源设计 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向标准及逻辑层 N 通道 MOSFET 推出一款可用于低电压二次侧同步整流的最新电源管理控制器与驱动器。该 UCC24610 Green Rectifier? 控制器不但可将电源效率提升达 5%，同时还可降低 5 伏 AC/DC 适配器与偏置电源的一次侧功率损耗。 |
2011-01-04 |
| 内置功率MOSFET和各种保护电路的通用半桥驱动器 新日本无线(总部:東京都中央区 社长 平田一雄)现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品的特点是只需把微处理器或DSP发出的PWM信号输入就能很容易进行功率开关控制。 |
2011-01-04 |
| 用低导通电阻MOSFET提升数据中心效率 FDMS7650具有的低RDS(ON)值使其成为ORing应用的理想选择，这是由于低RDS(ON)能够确保在导通状态具有最小的正向电压降，以便实现最大效率和最小传导损耗及更好的热性能。 |
2010-12-29 |
| IR扩大40V至100V汽车专用MOSFET系列 新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 沟道技术开发。所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1, 000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。 |
2010-12-28 |
| PI将瞄准高集成度、高安全性方向前进 这些产品在集成高压功率MOSFET方面独一无二。到现在为止，高功率电源都要使用需要使用外部驱动器和功率MOSFET的控制器IC。将MOSFET集成到器件后，PI能够利用不同功率级与控制电路的紧密集成，实现一些革新性的设计技术。最终可提高效率、降低EMI和增强可靠性。 |
2010-12-24 |
| 容易实现功率开关控制的通用半桥驱动器 新日本无线现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800，并已经开始投入生产了。该产品的特点是只需把微处理器或DSP 发出的PWM信号输入就能很容易进行功率开关控制。 |
2010-12-24 |
| Diodes即插即用器件提升负载点转换器效率 Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD将一个经过优化的控制MOSFET及一个专有DIOFET集成在一个SO8封装中，为消费类及工业应用的负载点转换器提供高效的解决方案。 |
2010-12-23 |
| IIC-China 2011展前专访：威世科技 Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。 |
2010-12-16 |
| 精品设计专栏赏析 |
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话题PK：NFC能否成为手机标准配置？New!
蓝牙标配了，Wi-Fi标配了，NFC（近距离无线通讯技术）却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC，此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内，NFC芯片能否成为手机标准配置呢？
正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及，NFC即将成为手机标配。
支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。 支持反方
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