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| 天工通讯新一代的3G功率放大器系列产品亮相IIC 天工通讯一直致力于实现、巩固和强化大中华区3G/4G功率放大器与RF前端模组的重要角色。结合美、台与大陆的研发及应用支持团队，与主流市场上来自美国，日本的3G手机PA在尺寸、脚位和功能完全相容。 |
2012-03-07 |
| 高增益线性功率放大器助力4G MGA-43128在设计上旨在以高数据率进行传送的同时提供出色的信号质量，它具有低失真和高功率附加效率(PAE)的特点(线性功率输出时PAE为22%)，有助于降低功耗。RF输入完全匹配，输出中则包括内置预匹配电路，可使匹配和应用得到简化。 |
2012-02-22 |
| CREE与RFHIC达成关键Doherty放大器专利许可协议 科锐公司（CREE）日前宣布与射频（RF）功率放大器制造商RFHIC公司达成全球范围内非专属专利许可协议，RFHIC公司将享有科锐领先的Doherty放大器相关专利的使用权。科锐创新的射频（RF）技术及新颖的Doherty架构能够应用于先进的4G通讯基站，且较传统设计更为高效。4G移动数据网正在世界各地逐步部署以满足不断增长的对移动宽带服务的需求。 |
2011-12-27 |
| GaN技术助力RF固态放大器 MILMEGA目前采用极有发展前景的GaN(氮化镓)技术，GaN(氮化镓)技术是对于微波和RF功率放大器的革新技术而非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。 |
2011-11-28 |
| 手机RF前端设计挑战及应对策略 因为功率放大器(PA)对于通话时间影响很大，而这直接关系到使用某种型号或某个品牌手机时的用户体验。如果设计人员能够优化手机在实际使用环境中的电流消耗，那么该产品在消费者市场中会占据更有力的竞争地位。 |
2011-08-25 |
| 监控基站功率放大器的优化方案 蜂窝通信的发展与先进调制方案的关系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中，设计策略包括实现高线性度同时将功耗降至最低的方法。例如，通过监控基站功率放大器(PA)的性能，可使PA的输出功率最大化，同时获得最佳线性度和效率。幸运的是，采用针对该目的量身定做的分立集成电路(IC)，就可以很简单地监控PA的输出电平。利用低成本器件即可构建可实现蜂窝基站功率放大器最优线性度和高效率的监视和控制电路。 |
2011-08-09 |
| 天工通讯破除美、日厂商3G/4G功放垄断之路 天工通讯一直致力于实现、巩固和强化大中华区3G/4G功率放大器与RF前端模组的领导角色，结合美、台与大陆的研发及应用支持团队，在努力破除目前3G/4G由美、日厂商垄断的局面。 |
2011-03-01 |
| Maxim推出具有线性旁路模式的降压型转换器 Maxim推出设计用于为移动电话中的PA (功率放大器)模块供电的降压型转换器MAX8989。作为业内首款支持多通信协议(如：LTE、WCDMA、GSM和EDGE)电源管理的DC-DC转换器，MAX8989可理想用于整合式(多模式) PA。该方案目前已经应用于Infineon经过验证的SMARTi? UE2 RF引擎平台，为多标准蜂窝电话系统提供无与伦比的灵活性和高效率。 |
2011-02-22 |
| 6GHz匹配双通道RMS检测器实现准确的VSWR测量 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 40MHz 至 6GHz 双通道、匹配 RMS 功率检测器 LTC5583，该器件在 2.14GHz 时提供超过 55dB 的隔离。在 RF 功率放大器 (PA) 应用中，LTC5583 为准确测量正向功率、反向功率和电压驻波比 (VSWR) 提供了一个简单的解决方案。该器件由一对 60dB 动态范围的 RMS 检测器组成，这些检测器匹配至 1.25dB。这提供了高波峰因数信号的准确 RF 功率测量。 |
2010-09-16 |
| 恩智浦调整策略，未来重点发展混合信号产品 NXP高性能混合信号和标准器件事业部大中华区域市场高级总监梅润平说：“采用我们先进LDMOS工艺的RF功率放大器和新一代高速数据转换器系列，在基站应用领域居于领先地位。” |
2010-03-11 |
| IIC-China 2010参展商展前专访：恩智浦半导体 恩智浦将在2010春季展上展示采用先进LDMOS制程的RF功率放大器和新一代高速数据转换器系列，包括：RF功率方案——GSM/GSM EDGE/CDMA/W-CDMA/LTE/PHS及多载波基站用射频功率放大器、UHF频段通讯放射机、广播电视发射机及工业应用功率放大器、工业,科学，医疗及广播发射机用功率放大器等。高速数据转换器件——14位、双通道、125MSPS、JESD204A串行接口模数转换器(ADC)等。 |
2010-02-10 |
| 效率高达38%的TD-SCDMA基站RF功放解决方案 目前在整个中国都迅速部署TD-SCDMA网络之际，飞思卡尔及时推出了MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多级集成功率放大器这两款新型高效器件，并同时推出了基于Doherty 架构的两款参考设计，从而提高了开发商为TD-SCDMA网络创建紧凑型经济高效的、高性能基站收发器产品的能力。 |
2009-10-09 |
| 为便携应用选择适合的集成EMI滤波及ESD保护方案 如今的手机等便携设备的尺寸日趋小巧纤薄，同时又在集成越来越多的新功能或新特性，如大尺寸显示屏、高分辨率相机模块、高速数据接口、互联网接入、电视接收等，让便携设备的数据率及时钟频率越来越高。这样，便携设备面临着诸多潜在的电磁干扰(EMI)/射频干扰(RFI)源的风险，如开关负载、电源电压波动、短路、电感开关、雷电、开关电源、RF放大器和功率放大器、带状线缆与视频显示屏的互连及时钟信号的高频噪声等。因此，设计人员需要针对音频插孔/耳机、USB端口、扬声器、键盘、麦克风、相机、显示屏互连等多个位置，为便携设备选择适合的EMI/RFI滤波方案。 |
2009-08-14 |
| 飞兆提供业界最小WCDMA/CDMA手机RF PA电源管理解决方案 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为3G手机及无线数据卡设计人员提供业界最小的功率管理解决方案 FAN5902，这款射频功率 DC-DC 转换器采用具有12 凸块 (bump) 0.5mm 间距CSP 封装，工作频率为 6MHz，并使用更小尺寸 (0.5uH) 的片状电感，可节省空间和降低组件成本。这款转换器根据通过天线发送的射频功率水平，调节 3G 射频功率放大器的电压，从而在较广阔的天线功率水平范围内实现更高的能效，帮助延长3G手机通话时间多达 40 分钟。而在以数据功能为主的手机和智能手机中，尤其是在郊区和信号覆盖不良的区域，更能节省最多100 mA 的电池耗电量。这一电压管理功能可将功率增加 20 至 30%，显著延长接通时间，让 3G手机运行更多的处理器应用。此外，FAN5902 提供高达800mA rms电流，能够支持由于极大的天线失配和50mΩ旁路FET导通电阻引起的过多的RFPA电流，并能够在2.7V低电池电压下工作。 |
2009-07-06 |
| 恩智浦新一代硅锗碳BiCMOS QUBIC4技术促进射频创新 恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦成立的独立半导体公司），推出QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本优势。恩智浦承诺将进一步加大对QUBIC4 BiCMOS技术的投入，使未来的射频(RF)产品，如手机和通信基础设施设备所用的低噪声放大器、中功率放大器和LO发生器等，能够具有更强的性能特性。 |
2009-06-15 |
| 面向3G多频带、多模移动终端的WCDMA/HSPA PA模块系列 为了适应所有主要的WCDMA/HSPA+ 频带及频带组合，RF Micro Devices公司（RFMD）推出了专为匹配业界领先3G芯片组供应商的参考设计而进行了优化的RF720x功率放大器(PA)产品系列。RF720x系列WCDMA/HSPA+ PA模块由四个PA组成，这些PA专门面向实现模式特定、频带特定前端架构的3G多模终端。 |
2009-03-24 |
| 半导体技术的进步推动高功率放大器发展(二) 固态功率放大器设计师可选择新兴的一系列晶体管技术，用于下一代商业和军事平台。随着网络运营商从2G过渡到3G/4G系统，能完全适合2G系统放大器的技术对下一代平台已经不够了。为确保基于砷化镓(GaAs)的RF功率晶体管能用于3G/4G基础设施应用的高功率放大器设计，TriQuint半导体公司开发出高电压异质结晶体管(HV-HBT)。 |
2009-01-06 |
| 满足WiMAX基站要求的LDMOS RFIC 用于现代通信系统中的功率放大器(PA)一般是通过级联和并联多个RF晶体管来获得期望的固态增益和功率。与RF集成电路(RFIC)相比，虽然采用单级分离RF晶体管占用的PCB空间更多，但因具有宽广的阻抗匹配范围、优化性能以及架构选择，所以为PA设计提供了很大灵活性。但如何满足WiMAX基站系统对PA的高输出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文讨论的基于硅LDMOS技术的RFIC提供足够的输出功率，大于15%的效能，能满足3.8GHz WiMAX基站系统的要求。 |
2009-01-01 |
| 利用低成本FPGA实现无线电信设备的低延迟变化CPRI 无线电信设备制造商(TEM)正受到以更小体积、更低功耗、更低制造成本来布署基站架构的压力。当通过WiMax和LTE网络开展新业务的同服务时，他们还面临提高覆盖范围、带宽和可扩展性的压力。解决这些应用挑战的关键策略是从基站中分离出RF接收器和功率放大器，并紧靠它们各自的天线重新设计，从而使简化后的基站直接驱动天线。本文讨论利用带嵌入式SERDES收发器和CPRI链路IP内核的低成本FPGA，来实现电信系统低延迟变化设计的考虑因素。 |
2009-01-01 |
| 半导体技术的进步推动高功率放大器发展(一) 固态功率放大器设计师可选择新兴的一系列晶体管技术，用于下一代商业和军事平台。随着网络运营商从2G过渡到3G/4G系统，能完全适合2G系统放大器的技术对下一代平台已经不够了。为确保基于砷化镓(GaAs)的RF功率晶体管能用于3G/4G基础设施应用的高功率放大器设计，TriQuint半导体公司开发出高电压异质结晶体管(HV-HBT)。 |
2008-12-31 |
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话题PK：NFC能否成为手机标准配置？New!
蓝牙标配了，Wi-Fi标配了，NFC（近距离无线通讯技术）却还像个侠客一样游走在江湖间。看似可以在支付、票务、门禁、防伪和物联网等领域大展拳脚的NFC，此刻在手机标准配置的门外徘徊。 未来三年内，NFC芯片能否成为手机标准配置呢？
正方观点:广泛而便捷的应用将促进NFC在手机终端快速普及，NFC即将成为手机标配。
支持正方
反方观点: 标准规格、生态系统和商业经营方面的问题让NFC继续游走在手机圈外。 支持反方
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