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2010-05-31
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更高容量MRAM问世，预与SRAM和DRAM争锋
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磁性随机存储器(MRAM)既兼具DRAM的大容量与SRAM速度快的优点，又与闪存同属于非易失性存储，且使用寿命更长、可靠性更高，可替代SRAM和DRAM成为理想的工作存储器。MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，数据能持续保存超过20年。
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2009-11-04
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赛普拉斯65纳米SRAM提供550MHz频率、80Gbps数据率的最快时钟
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赛普拉斯半导体公司日前推出了业界首款单片具有144-Mbit密度的SRAM，该产品成为其65纳米SRAM产品系列中的最新成员。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存储器采用65纳米工艺技术，由台湾联华电子（UMC）的芯片工厂代工生产。该产品拥有市场上最快的时钟，速率可达550MHz，在36-bit I/O宽度的QDRII+器件中，整体数据率达到80 Gbps，并且其功耗只有采用90纳米工艺的SRAM器件的一半。这些产品是诸如互联网核心与边缘路由器、固定及模块化的以太网交换机、3G基站和安全路由器等网络应用的理想产品，还可以改善医学成像和军事信号处理系统的性能。这些器件与90纳米SRAM管脚兼容，从而允许网络客户在保持板卡布局不变的同时改进性能，并且将表和包缓冲器的容量扩充一倍。
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2009-01-07
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HOLTEK新一代回音IC HT8?72内建40KB SRAM
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HOLTEK半导体累积多年来的回音IC市场技术经验，推出新一代回音IC HT8?72。HT8?72内建40KB SRAM(前一代回音IC HT8?70内建20KB SRAM)，使回音效果更细腻，信噪比更高。HT8?72内含4个运算放大器，并内建AD/DC转换器，大幅减少外部的使用零件与成本，增加产品的竞争力。
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2008-10-01
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非易失性SRAM克服了电池供电型SRAM的应用难点
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由于非易失性SRAM消除了电池供电型SRAM的可靠性低、制造复杂、占位面积大、性能较差等问题，同时难以完全满足“绿色”解决方案的要求。
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2008-07-21
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瑞萨推出具有1Mbyte片内SRAM的32位SuperH微控制器
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瑞萨科技美国公司今天宣布推出两个系列具有1Mbyte片内SRAM的高性能SuperH 32位微控制器（MCU）。该SH7262和SH726?系列144 MHz器件对数字音频系统、MP3播放器配件和图形显示系统进行了高度集成和优化，如汽车图形仪表板和工业人机界面（MMI）。
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2008-04-29
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晶门科技推出内置675KB SRAM的SSD1961显示控制器
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晶门科技近日推出SSD1961显示控制器，专为支援达到VGA解像度的液晶显示屏而设。新出的显示控制器最适用于流动及手提设备应用，包括智能电话、便携媒体播放器(PMP)、个人导航装置(PND)及其他要求高解像度显示的产品。
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2007-06-26
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瑞萨科技开发出32nm及以上工艺的SRAM技术
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瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，开发出一种可在32nm及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC中的片上SRAM。
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2007-06-12
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Dallas推出首款内置SRAM的电池备份安全控制器
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Dallas Semiconductor推出DS36?1电池备份、安全控制器，该器件作为业界首个电池备份安全产品系列的成员之一，能够为电子售货机终端和其他带有敏感数据的应用提供全面数据保护功能的IC。
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2006-06-27
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VLSI：瑞萨新技术有助于采用65nm工艺的SRAM稳定运行
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日前，美国夏威夷举行的超大规模集成电路(VLSI)2006年专题研讨会上，瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布开发了出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。
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2006-06-01
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面向网络与通信应用的QDR II+和DDRII+ SRAM
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赛普拉斯公司最近开始投入样片生产的Quad Data Rate II+(四倍数据率II+)和DRII+(双倍数据率II+)高存储密度SRAM系列器件，比现有的QDR II和DDR II产品的系统级带宽提高50%之多。这些新型存储器将加速各种数据密集型应用的读写功能，其中包括交换机、路由器、服务器、存储设备、无线基站和测试设备等。
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2006-04-19
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赛普拉斯首款QDRII+/DDRII+ SRAM器件密度高带宽大
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赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconducot)推出业界首款四数据速率II+(QDRII+)和双数据速率II+ (DDRII+)SRAM器件，据称是世界上密度最高带宽最大的存储器件，比现有QDRII和DDRII的系统级带宽大50%。
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2006-03-14
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IIC 2006: 藉高带宽和低延时，RLDRAM欲取代SRAM
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在现有的网络设备和通信设备中，SRAM是主要的存储器件，但是随着网络的速度不断提升和对实时性要求的加强，SRAM已不能满足网络设备的需求。针对此种情况，美光和英飞凌合作共同开发了一种称为延时减小动态随机访问存储器(RLDRAM)的新型存储器，它具有更高的密度、更高的带带、更低的延时以及与SRAM相似的接口。
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2006-02-23
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为实现最高性能选择正确的SRAM架构
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目前市场中存在许多基于SRAM 的不同架构，在速度和总线宽度相等情况下进行对比时，我们用QDR RAM和QuadPort DSE架构实现了最大带宽。这两种架构可实现标准同步 SRAM 四倍的带宽
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2006-02-20
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支持高性能应用的SRAM
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本文介绍针对网络应用的高级SRAM架构。根据时延带宽要求以及读/写均衡，我们可选择最佳的SRAM架构。
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2006-02-15
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TI 65纳米CMOS工艺造就业界最低电压SRAM
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麻省理工学院(MIT)的研究员将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示一款采用德州仪器(TI)先进65纳米CMOS工艺制造的超低功耗(ULP)256kb静态随机存取存储器(SRAM)测试器件。每个位单元(bitcell)包含10颗晶体管，使工作电压能够降至400mV。
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2006-01-27
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移动存储新时代：DRAM取代SRAM成为主流
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依据Gartner集团的市场调查报告，像SRAM、PSRAM、DRAM等缓冲式移动存储器的市场规模2005年已高达38亿美元。与2003年的20亿美元和2004年的29亿美元相比较，市场规模年年不断扩大。
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2006-01-01
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面向高性能网络应用的存储器——QDR-II SRAM
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QDR-II SRAM是用于高速、高带宽操作的理想存储器，这种在兼顾了不同兼容性以及高性能的存储器件蕴育着存储器市场的下一次革命。本文详细介绍了QDR与QDR-II在工作频率和架构上的差异、QDR-II的功能及特性、两种端接实现方法及时钟选择策略。
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2006-01-01
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采用SRAM+EEPROM方式的新型非易失性存储器
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本文详细了介绍了德国ZMD公司的非易失性存储器(NvSRAM)的原理、种类及应用。德国ZMD公司的非易失性存储器采用SRAM+EEPROM方式，巧妙地将两种存储技术集成进一个芯片之中，降低了成本，提高了可靠性。本文除介绍芯片原理之外，还提供了参考框图。
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2006-01-01
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精工爱普生的TFT-SRAM可在低电压下高速运行
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日本精工爱普生公司(Seiko Epson)推出世界上首款TFT-SRAM (16Kb)，它的电源电压为3V至6V，访问时间短，它在柔性基底上集成了感应放大器，每个单元包括六个晶体管，它可用作该公司异步8位微处理器ACT11的存储器。
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2006-01-01
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智多微电子多媒体协处理器支持标准SRAM接口
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智多微电子(Chipnuts)公司C625作为一款低功耗的单芯片多媒体协处理器，为新一代高性能和智能手机提供了丰富的音频处理、百万像素成像和大容量存储等多项功能的解决方案，同时还支持标准的SRAM接口，使外部CPU很容易通过读写寄存器控制C625。
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