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| Cadence推出TLM导向设计与验证、3D-IC设计与完善整合的DFM功能 Cadence设计系统公司宣布,TLM (transaction-level modeling) 导向设计与验证、3D-IC设计实现以及整合DFM等先进Cadence设计技术与流程,已经融入台湾积体电路制造股份有限公司 (以下简称TSMC) 设计参考流程11.0版中。这些Cadence的技术有助于28纳米TLM到GDSII进行复杂的芯片设计、设计实现、验证与签收(signoff)。Cadence公司对TSMC设计参考流程的扩增部分,帮助双方客户在最短的设计时间内,实现复杂的高效能、低功耗、混合信号芯片,更支持了Cadence公司所提出的 EDA360策略。Cadence对新参考流程的支持标志着该公司在EDA360愿景的关键支持方面又迈出了新的一步。 |
2010-07-26 |
| IIC-China 2010秋季参展商展前专访:巨有科技 巨有科技(PGC)成立于1991年,是世界级专用集成电路一站式的整套设计服务公司。也是台湾集成电路公司(TSMC)所成立的设计中心联盟(Design Center Alliance, DCA)中的一员。巨有科技超过十五年的丰富设计经验,可以提供客户许多好处,如第一次硅样品成功 (first-silicon-right),及快速的成品至市场销售时间 ( fast time-to-market)。巨有科技提供门阵列系统单芯片(Gate Array ASIC)与结构性单芯片(Structured ASIC)产品线,以及系统单芯片的IP整合,从PCI-Express、SATA、DDR I&II至ARM微处理器,从Netlist至GDSII,巨有可帮助客户完成一站式的设计服务。 |
2010-07-09 |
| TSMC:超越摩尔定律,以开放式创新平台提高整体行业效益 新兴市场对电子产品的使用量已经超越发达国家,这意味着如何使用消费电子将由新兴市场的用户来定义。当把越来越多的功能结合在单个设备上(如智能手机)的时候,就需要多种不同的工艺制程、设计IP、软硬件等不同的技术,并要求加快产品上市时间、降低成本。TSMC将与合作伙伴、客户共同努力,开拓更多商机。 |
2010-06-12 |
| 微捷码Titan混合信号平台支持台积电65和40纳米iPDK 微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布,微捷码Titan混合信号平已通过台积电(TSMC)的质量检验,可满足台积电40纳米互操作工艺设计包(iPDK)的互操作性和精度要求。 |
2010-05-25 |
| 高通与TSMC携手合作28纳米工艺技术 美商高通公司(Qualcomm Incorporated)与TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)1/7日共同宣布,双方正在28纳米工艺技术进行密切合作。此先进工艺世代可以更具成本效益的将更多功能整合在更小的芯片上,加速无线通讯产品在新市场上的扩展。 |
2010-01-14 |
| TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺 TSMC推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺,将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。 |
2009-12-17 |
| TSMC在中国向客户介绍车用电子工艺验证规格及套装服务 TSMC宣布,将于十二月二日在中国厦门所举行的中国半导体行业协会集成电路设计分会年会上,向中国客户介绍汽车业界第一个车用电子工艺验证规格(automotive process qualification specification)及符合车用电子等级的半导体制造套装服务(service package)。同时,TSMC在上海的晶圆十厂也将开始生产车用电子等级的集成电路产品。 |
2009-12-07 |
| 运行频率超过2GHz的CORTEX-A9双核处理器实施 ARM公司发布了两款采用了台积电(TSMC)的40nm-G工艺的Cortex-A9 MPCore 处理器的硬核实施,使得芯片制造商能够以一种快速、低风险的方式为高性能、低功耗的基于Cortex-A9处理器的设备提供芯片。这一对速度进行了优化的硬核实施将使设备能够以超过2GHz的频率运行。 |
2009-10-07 |
| TSMC向本土IC公司施教:量产后IC质量如何控制? 十年磨一剑,从18号文件至今近10年的时间里,国产IC有了质的飞跃。从功能和某些性能指标上看国产IC已不输于欧美日韩的产品,但是如论品质与可靠性,特别是在芯片量产后的品质与可靠性,整体水平则仍是逊色许多。台湾老大哥TSMC向大陆本土IC公司伸出相助之手。。。 |
2009-05-04 |
| Cadence与TSMC合作推出65纳米混合信号/射频参考设计“锦囊” Cadence设计系统公司与台湾积体电路制造股份有限公司(以下简称台积公司)今日共同宣布推出业界第一款的混合信号/射频参考设计”锦囊”(MS/RF RDK)。这款锦囊采用Cadence Virtuoso混合信号技术研发完成,可提供矽芯片特性行为模型(silicon-characterized behavioral models) 以及完整的教学内容,展示经验证的高效混合信号/射频IC参考设计流程,协助实现更快的上市时间。新技术包括锁相环电路(Phase Locked Loop) 噪声敏感参考设计实例,能够以准确、高效的方式预测相位噪声(phase noise)。采用的技术包括Virtuoso定制设计平台中的SKILL-based Pcells、QRC抽取,以及涵盖Spectre Circuit Simulator、Spectre RF与AMS Designer的Virtuoso多模仿真等。 |
2009-04-29 |
| 灿芯成功完成90纳米GPS芯片设计的流片 灿芯宣布其已成功完成了西安华迅微电子的一个TSMC 90纳米 GPS基带设计且实现一次性流片成功。此次设计已通过了华迅的测试,同时将用于该公司最新的GPS 产品系列。“在整个设计过程中,我们严格执行了设计流程中的每一步骤,并实施了最高等级的规则检查”ASIC项目及工程部高级总监徐滔说到,“因此,灿芯提供的最终结果不仅遵循了客户紧凑的时间进程表,还能够保证精准的质量”。此外,本设计仅在样片交付后的几周内就能够进入到生产准备阶段。 |
2009-04-06 |
| TSMC量产40纳米工艺,加速设计进程 台积公司表示40纳米泛用型(40G)及40纳米低耗电(40LP)制程正式进入量产,成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40纳米逻辑制程的公司。纳米是度量半导体组件金属导线宽度的单位,40纳米比人类头发直径的千分之一还要小。 |
2008-11-20 |
| 第三届“TSMC杰出学生研究奖”落幕,三名中国学生获入围奖 为了鼓励并表彰那些与从事集成电路领域刻苦研究并学有所成的优秀学生,同时为了让更多的实验室理论有机会与产业应用真正结合,由晶圆代工龙头台积电发起的“TSMC杰出学生研究奖”8月15日落下帷幕,中国大陆的三名研究生以优异表现进入决赛。 |
2008-08-19 |
| PAM公司研发出内置MOSFET管的高功率LED驱动器 PAM(Power Analog Microelectronics)公司是一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司,日前发布了该公司第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,这个驱动器是采用台积电(TSMC)的双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺而制成的。 |
2008-08-13 |
| Magma的软件获台积电40纳米工艺9.0版参考流程认证 微捷码(Magma)设计自动化有限公司于今日宣布微捷码的Talus集成电路实现系统、Quartz SSTA统计分析工具、Quartz DFM(可制造性设计)、Quartz LVS 以及 SiliconSmart DFM 能够通过台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)9.0版参考流程进行访问。 |
2008-06-17 |
| MIPS科技提供采用深亚微米工艺的硅验证高保真音频IP 为数字消费、家庭网络、无线、通信和商业应用提供业界标准架构、处理器及模拟IP的领先厂商MIPS科技公司近日宣布,其采用多种深亚微米工艺和经过代工厂硅验证的96dB音频IP编解码器已获得TSMC 90nm和特许半导体(Chartered Semiconductor)130nm 多个工艺的硅验证。 |
2008-03-18 |
| 赢家:台积电, 2007第四季度晶圆代工厂商盘点 谁是2007年第四季度纯晶圆代工与IC装配业务领域中的赢家与输家?赢家:台积电(TSMC)。不输不赢:特许半导体(Chartered)。输家:日月光(ASE),中芯国际(SMIC),矽品精密(SPIL),联电(UMC)。 |
2008-01-03 |
| 创毅视讯携手TSMC大规模量产CMMB核心芯片 北京创毅视讯科技有限公司与台湾积体电路制造有限公司日前联合宣布,由创毅视讯自主研发的CMMB标准信道解调芯片IF101已进入大批量量产阶段,由TSMC负责芯片的生产。 |
2007-12-24 |
| Mentor,TSMC携手为设计参考流程提供DFM性能 明导公司与台湾半导体制造商TSMC近日宣布明导的可制造设计(DFM)与可测试设计(DFT)工具已被整合入台积电的设计参考流程8.0 版。 |
2007-07-23 |
| Altera紧追对手出击65nm领域,Stratix III震撼登场 Altera公司日前发布的Stratix III FPGA采用了TSMC的65nm工艺技术,其突破性创新包括硬件体系结构提升和Quartus II软件改进,与前一代Stratix II器件相比,这些新特性使功耗降低了50%,性能提高了25%,密度是其两倍。 |
2006-11-16 |
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