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| 飞兆30V新MOSFET为设计带来极佳功率密度 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗，能够满足这些需求。 |
2012-05-03 |
| Linear推出双输出同步降压型 DC/DC 控制器 凌力尔特公司推出双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3861，该控制器可与外部功率链器件 (如 Power Block 和 DrMOS)、以及分立式 N 沟道 MOSFET 和相关的栅极驱动器配合工作，从而实现了灵活的设计配置。 |
2012-02-14 |
| HiperLCS高频LLC转换器提升电源效率并减小占板面积 Power Integrations公司日前推出的全新HiperLCS系列高压LLC电源IC将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的设计灵活性，既可提升电源效率，又可帮助缩小产品尺寸，即利用高频工作来减小变压器的尺寸和输出电容的占板面积。 |
2011-09-30 |
| HiperLCS系列高频LLC转换器IC可提升电源效率 Power Integrations公司推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC，新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的设计灵活性，既可提升效率（最高效率可超过97%），又可缩小尺寸，即利用高频工作（最高达750 kHz）来减小变压器的尺寸和输出电容的占板面积。 |
2011-09-19 |
| NextPower以行业最低RDS全面提升MOSFET家族效率 这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的RDS (on) （25V和30V均为亚1 mΩ级），是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。传统方法主要着眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower则采用超结技术来优化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 与Qgd之间的平衡，从而实现强大的开关性能，减少漏极输出与源极引脚之间的损耗，同时提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作为最坚固的Power-SO8封装，尺寸紧凑，面积仅为5mm x 6mm，可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。 |
2011-06-02 |
| 降低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件提高设计效率 FDMS86500L是采用行业标准5mm x 6mm Power 56封装的器件，它结合了先进的封装技术和硅技术，显著降低了导通阻抗RDS(ON) (2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A)，实现更低的传导损耗。此外，FDMS86500L使用屏蔽栅极功率MOSFET技术，提供极低的开关损耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，结合该器件的低传导损耗，可为设计人员提供其所需的更高的功率密度。 |
2011-05-20 |
| 具高效率和低EMI的特点的Qspeed二极管 当PN硅二极管反向偏置和关断时，电流快速降至零，然后在PN结从导通切换到关断模式时，电流暂时反向流过二极管。时间与负电流的积分（即瞬态电流和对应时间构成的面积）被称为反向恢复电荷或QRR。QRR经过系统中的其他器件流到接地端，能量转化为无用的热能，这会降低系统效率，还可能升高成本较高的相关元件（如MOSFET）的温度。Qspeed二极管在所有低成本硅二极管中具有最低的QRR。在需要提升效率或降低温度的PFC和整流管应用中，它们可以替代超快速硅二极管 |
2011-02-22 |
| IIC-China 2011春季展商专访：硅佳晶圆代工 硅佳晶圆代工，位于马来西亚的SilTerra(硅佳)，是一家快速成长的晶圆代工厂。SilTerra(硅佳)提供先进标准化的CMOS Logic、High Voltage、Power MOSFET 和 Mixed-Signal/RF 技术，并且已将许多用于0.11um, 0.13um , 0.16um 和 0.18um 制程的晶圆送给位于全球的客户。 |
2011-01-10 |
| 集成高压MOSFET并可实现PFC的控制器芯片HiperPFS产品 Power Integrations公司日前宣布推出全新的HiperPFS产品，一款集成高压MOSFET并可实现功率因数校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用创新的控制方案，可提高轻载条件下的效率。此外，与使用分立式MOSFET和控制器的设计相比，HiperPFS器件能大幅减少元件数和缩小电路板占用面积，同时简化系统设计并增强可靠性。HiperPFS器件采用极为紧凑的薄型eSIP封装，适合75 W至1 kW的PFC应用。 |
2010-11-15 |
| 适用于太阳能发电系统的PolarP2 Power MOSFET IXYS公司近日发布了一种最新系列的PolarP2 MOSFET。这是IXYS快速强大的最新一代Polar-series Power MOSFET，以IXYS特有的PolarP2技术为平台的500V器件。 |
2010-08-10 |
| IXYS发布最新一代Polar-series Power MOSFET IXYS公司近日宣告： 发布一种最新系列的 PolarP2TM MOSFET, IXYS 快速强大的最新一代Polar-series Power MOSFETs. 以IXYS特有的PolarP2 技术为平台制造这些新款的500V 器件 |
2010-06-30 |
| 莱迪思发布ispPAC-POWR1220-02器件，集成高电压充电泵 莱迪思半导体(Lattice)公司近日宣布其第二代Power Manager II产品系列新增加了一款更高性能的新型器件。ispPAC-POWR1220-02器件集成了一个更高电压的充电泵，带有可编程电流可用于控制热插拔和电源定序应用中的MOSFET。 |
2010-06-08 |
| 飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。 |
2010-04-27 |
| PI电源转换IC使上网本适配器的空载功耗达到85mW Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成，其内部均集成有一个725 V功率MOSFET，适用于设计反激式电源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整个负载范围内的功率效率。由于在满功率下工作效率较高，因此可减少正常工作期间的功率消耗量，同时降低系统散热管理的复杂性及费用支出。在低输入功率水平下，高效率还可使适配器的空载功耗降至最低，增大待机模式下对系统的供电量，这一点特别适用于受到能效标准和规范约束的产品应用。 |
2010-03-09 |
| IIC-China 2010参展商展前专访：万国半导体元件有限公司 万国半导体(AOS)是一家以科技领先的半导体供应商，为客户提供先进的电源管理方案。该公司拥有广阔的产品系列，包括Power MOSFET，Power IC，模拟开关及Transient Voltage Suppressor。万国半导体元件有限公司近期关注的领域有液晶电视(LCD TV)，笔记本及上网本电脑，以及通讯电源系统。 |
2010-01-22 |
| 瞄准电池充电和功率多工应用，飞兆推采用薄型封装的MicroFET 飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。 |
2009-11-24 |
| PI University学习中心为电源设计师提供实用的在线培训课程 Power Integrations公司宣布开通在线技术学习中心 — PI大学，该中心将提供大量实用的教学视频，从而形成一套完整的电源电路设计指导教程。 |
2009-11-04 |
| 茂达电子推出锂电池充电电流控制/保护IC APL3208 APL3208是茂达电子(ANPEC Electronics Corporation)所推出的锂电池充电电流控制IC，APL3208输出的充电电流共有三个版本，分别是450、550及650mA。APL3208输入电压最高可承受30V，将多种保护功能整合在极小的封装，只需要极少的额外元件皆使得APL3208成为手持式装置的理想IC。内建的保护功能包含：输入电压过电压保护、电池过电压保护、过热保护，当其中一种保护功能被启动时，APL3208会关闭内建P-channel MOSFET Power Switch来隔绝充电电池与充电电源，每种保护功能皆具有抗杂讯干扰的功能以防止误触发。 |
2009-08-10 |
| 恩智浦推出Power SO8封装低于1毫欧RDSon的MOSFET 恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司）宣布推出首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦现有MOSFET 系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源OR-ring、电机控制和高效同步降压器等。 |
2009-08-10 |
| 飞兆半导体的MicroFET MOSFET有效延长电池寿命且提供最低的RDS(ON) 美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) 是全球首屈一指提供高能效功率模拟和功率分立解决方案的领导厂商。作为功率专家 The Power Franchise?，飞兆半导体为消费、通信、工业、便携、计算机和汽车系统提供业界最先进的半导体和封装技术、制造能力和系统专业技术。 |
2009-03-24 |
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话题PK：互联网公司扎堆智能手机，是手机革命还是炒作跟风？New!
阿里巴巴、盛大以及小米科技已经在智能手机市场翻滚有一段时间了。近日惊闻奇虎360、百度、网易等多家互联网重量级公司集体对外高调宣布进军智能手机市场。大家都关注到的是：一场互联网智能手机圈地运动正在爆发！
您看好这些在手机领域没有相关经验积累的互联网公司，迅速操刀进入火热的智能手机市场吗？他们是利用他们的互联网资源进行炒作跟风还是定位在长期战略而发起一场智能手机革命呢？
正方观点:利用成本价推出高性价比的手机，后期可以通过手机内置的各种增值服务来盈利，利己利民，有何不可！
支持正方
反方观点: 做互联网就应该专注互联网，没有技术积累就去扎堆做智能手机，只能够说是短期利润驱使而进行的圈地。 支持反方
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