存储器最新产品资讯、发展趋势, 以及大容量存储控制器设计实例、应用指南


存储器相关文章
2010-02-04	可管理的存储器：为存储器系统增加智能的途径
	近十年来，随着非易失性存储器概念的发展，解决方案变得越来越复杂，以适应嵌入式系统市场的多种使用模型。因为技术特性和成本效益的优势，非易失性存储器特别是NAND和NOR两种闪存产品，在不同的应用市场取得空前的成功。此外，为克服技术限制，追随技术进步，NAND闪存控制器架构需要与闪存芯片并行化发展，在存储器芯片上实现高效的数据管理。
2009-12-24	非易失性半导体存储器的相变机制
	非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电子系统对非易失性存储器的要求更高，数据存储应用需要写入速度极快的高密度存储器，而代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。
2009-11-15	用高安全特性存储器保护嵌入式系统知识产权
	随着消费类电子产品的蓬勃发展，市场竞争也越来越激烈，厂商需要投入更多的精力在新产品研发上以求差异化体验，因此如何保护自己的知识产权并且满足客户及合作伙伴对于安全性愈来愈高的要求，已经成为各整机厂商在新产品研发时必须考虑的一个重点并且成为最终赢得市场的利器之一。在今年IIC-China成都站高峰论坛上，恒忆公司(Numonyx)亚洲区嵌入式产品事业部总监杨静雯女士特别就数字消费类产品市场的安全与可靠性问题与到场观众进行了深入的交流与探讨。
2009-11-03	旺宏电子打破序列快闪存储器(Serial Flash)128Mb容量限制
	既有的序列快闪存储器容量因24定址位元之限制，最高只能支援到128Mb容量。然而，愈来愈多的市场应用，为了发展新功能，需要高于128Mb的记忆体容量空间，因此，许多系统工程师被迫必须另外寻求高容量的记忆体来完成目的。但是，其他的非挥发性记忆体的解决方案，并没有像序列快闪存储器一样，有着低脚数能节省控制晶片脚数，及简化主板的布局设计，进而节省更多系统成本的好处。所以，最理想的解决之道就是能有高于128Mb容量且低脚数的序列快闪存储器的解决方案。旺宏身为领导厂商，考量以对系统设计者最小的影响方式着眼，提出简单创新的运作方式将24 位元定址技术延伸至32位元定址，此突破性发展使序列快闪存储器容量得以向上延伸至256Mb以上甚至到32Gb。旺宏电子此次发表的256Mb 序列快闪存储器即是采用此32位元定址新技术，并以此开启了序列快闪存储器容量向上增长的未来大门。
2009-11-03	创新32位元定址技术原有的存储器容量轻松提高至256Mbit
	旺宏电子宣布推出第一颗256Mbit序列快闪存储器产品─MX25L25635E。它创新的32位元定址技术，利用简单的切换，即可让原有的记忆体容量提高至256Mbit，并且还提供了能相容于既有24位元定址的模式，使得系统工程师及制造商易于提高原有产品的功能及效能。在产品设计日趋小尺寸化，以及无需增加现有接脚数与考量成本效益等情况下，旺宏电子的256Mbit序列快闪存储器是高阶网通、数字机顶盒及服务器等应用产品最合适的选择。
2009-10-23	可驱动任意数量DDR3存储器的多相电源解决方案
	国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3522和IR3506 XPhase 芯片组，为DDR3多相位内存应用提供全面的功率解决方案。
2009-10-12	NV和NVM存储器的未来发展趋势
	RAM是商业计算设备的中心。目前，通常是易失性存储器SRAM和DRAM在取代非易失性的磁芯存储器。不过，像铁电存储器(FeRAM)和磁性RAM(MRAM)等新的非易失性存储技术有望改变这一局面。
2009-10-12	恒忆：让存储器助您简化嵌入式设计
	在刚刚揭幕的 IIC China 2009 成都站上，恒忆嵌入式产品亚太事业部市场经理杨静雯对业界发表演讲，力荐嵌入式系统行业在简化和加快设计时考虑使用存储器子系统，以利于实现关键的成本和时间优势，鼓励嵌入式系统市场进一步创新。同时，恒忆宣布面向高速发展的车载信息应用推出一款全新产品。此次新产品的发布再次证明了恒忆对嵌入式系统客户的承诺，为时下备受瞩目的热门应用带来了更高的性能、灵活性、兼容性和可靠性。
2009-10-07	用高安全特性存储器保护嵌入式系统知识产权
	随着消费类电子产品的蓬勃发展，市场竞争也越来越激烈，厂商需要投入更多的精力在新产品研发上以求差异化体验，因此如何保护自己的知识产权并且满足客户及合作伙伴对于安全性愈来愈高的要求，已经成为各整机厂商在新产品研发时必须考虑的一个重点并且成为最终赢得市场的利器之一。在今年IIC-China成都站高峰论坛上，恒忆公司(Numonyx)亚洲区嵌入式产品事业部总监杨静雯女士特别就数字消费类产品市场的安全与可靠性问题与到场观众进行了深入的交流与探讨。
2009-08-18	国内首家存储器公司成立，华芯立志建立国际一流研发中心
	8月12日，浪潮集团收购德国奇梦达西安研发中心交接暨西安华芯半导体有限公司开业仪式在西安高新区隆重召开。此次并购是我国企业在金融危机环境下，抓住机遇、逆势收购，引进先进的技术和高端人才团队，构筑基于未来的产业核心竞争力的战略举措之一，也是目前中国为数不多的几宗成功收购案例之一，在高科技领域更为屈指可数。
2009-07-24	Ramtron宣布推出8-Mb并口非易失性F-RAM存储器
	Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。
2009-06-22	泰克为DDR3存储器提供完整的测试解决方案
	泰克公司日前宣布，为DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列示波器推出第三代经过验证的DDR分析软件产品(DDRA选件)。泰克DDR测试解决方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR和GDDR3的全部速度，同时覆盖了物理层和数字域。泰克公司还为DDR3存储器设计推出一套新的拥有Nexus Technology技术的球栅阵列(BGA)元件内插器（Interposers），改善了连接能力。泰克系列逻辑分析仪、示波器和探测系统共同构成了DDR设计和测试工程师们所需的关键测试解决方案的核心。
2009-03-18	恒忆针对入门、主流和高端手机的存储器解决方案
	2009 IIC-China深圳站系列研讨会中，还不到一周岁的恒忆针对不同市场的手机提出了存储解决方案的建议，销售总监Stephen Chan作了题为“为你的手机设计选择正确的MCP解决方案”的演讲。
2009-03-10	挑战变机遇工业级存储器供应商无惧市场动荡
	由于工业级应用对存储器的价格变化不如消费市场敏感，目前席卷全球的金融危机对工业级存储器市场影响并不大，市场的动荡反而给技术领先的供应商带来了新的机会。
2009-02-25	带有片上90nm高速Flash存储器的汽车动力系控制方案
	如今，为引擎和传动系统实现更加精确的动力系统控制的需求，并且针对功能和成本进行了优化的MCU产品的开发已经成了重要主题。瑞萨科技的SH72531 采用了SH-2A高性能CPU内核具有可实时控制、125°C的最高工作温度、120MHz频率下的高速操作以及低于350mW的低功耗特性。
2009-02-19	恒忆推出首款基于Numonyx StrataFlash存储器的45nm NOR闪存芯片
	恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45纳米工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品，是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆NOR闪存芯片广泛用于手机，运行关键的手机操作系统，管理个人数据，存储相片、音乐和视频。
2008-11-14	特别为满足嵌入式应用更高代码和数据安全性而设计的65nm NOR存储器
	针对嵌入式应用这个高速增长的多元化市场，Numonyx Axcell M29EW闪存提供用户可选的增值特性，大幅提高采用此产品各种应用的性能，并为客户提供了范围广泛的配置、性能和安全级别选择。编程速度快和安全性高是 Numonyx Axcell M29EW的两个主要优势。
2008-09-01	TPS51200稳压器可满足DDR3/4存储器终端电源管理要求
	德州仪器推出了一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极/源极双数据速率(DDR)终端稳压器TPS51200，设计人员可利用该器件实现更低成本、更小型化的DDR存储器终端解决方案。
2008-08-15	TI推出集成MCU、存储器、收发器以及全速USB控制器的2.4GHz SoC
	德州仪器（TI）推出具有全速USB控制器的CC2511x（CC2510x产品系列的姐妹产品）。CC2511x器件分为3个版本（8/16/32kB快闪存储器和1/2/4kB RAM存储器），除了支持强制端点0外，其还可支持5个USB端点。DMA控制器可用于在主存储器和没有MCU干扰的USB控制器之间进行数据传输。由于 2.4GHz收发器可支持高达500kSPS的数据速率，因此，对于USB适配器（无线耳机、键盘、鼠标、Presenter）以及需要与USB连接以进行固件升级的其他无线系统而言，CC2511x产品系列是一种颇具吸引力的选择。
2008-07-24	Maxim推出用于DDR等存储器的Quick-PWM控制器
	该单芯片器件集成有降压控制器、可源出/吸入电流的线性稳压器以及基准缓冲器，可节省宝贵的电路板空间，并且能够产生VDDQ、VTT和VTTR所需的所有电压。
2008-05-26	Ramtron64千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准
	全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品，FM24CL64 64千位 (Kb) 串行F-RAM已通过认证，可在 -40至 +85℃ 的Grade 3汽车温度范围内使用。
2008-05-12	Ramtron推出带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪
	Ramtron International Corporation日前宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR) -- FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。
2008-04-24	Ramtron推出业界首款2Mb串行F-RAM存储器
	高密度F-RAM采用微型封装，提供更大的数据采集能力，可替代要求低功耗的小系统内的闪存.FM25H20采用先进的130nm CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口(SPI)。
2008-04-11	泰克为下一代DDR3存储器推出最完善的系列测试工具
	泰克公司日前宣布，为DDR2和DDR3技术推出完善的系列测试工具。DDR3是下一代双倍数据速率(DDR)同步动态随机访问存储器(SDRAM)，将提供性能更高的数据速率。
2008-03-14	弥补大厂空缺，芯技佳易在存储器领域稳步前进
	从最初研发授权SRAM IP到生产SRAM产品，从单一的SRAM产品线到现在拥有SRAM、SDRAM、SPI Flash三大主打产品，北京芯技佳易微电子公司在存储器领域稳步前进。
2008-03-06	三星在IIC-China展示存储器和便携式应用产品
	三星在本届IIC-China上主要展示了其存储器产品系列以及多个便携式多媒体解决方案。三星展示的存储器产品包括DRAM、闪存以及Fusion存储器的晶圆、芯片和相关的模块、模组等；解决方案则包括基于其移动显示驱动芯片S6FR201的移动显示方案、基于SC3244x应用处理器的智能手机方案和基于S3C244x应用处理器的移动电视方案等。其中，S6FR201是世界第一款用于移动显示屏的wXGA LTPS显示驱动IC。
2008-02-25	英特尔和意法半导体携手推出采用PCM的Alverstone存储器
	相变存储器一直以来是存储技术研发领域的一个热门研究话题,它是一种前景看好的新型存储技术，数据读写速度非常快，功耗低于传统的闪存技术。此次，英特尔和ST共同推出的代码为“Alverstone”的存储器芯片采用相变存储器技术。两家公司开始为客户提供创新存储技术的样片。
2008-01-10	Microchip为其低档PIC单片机架构增加闪存数据存储器
	全球领先的单片机和模拟半导体供应商??Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布，推出两款首次配备非易失性闪存数据存储器（FDM）的8引脚和14引脚封装低档 8位闪存PIC单片机。
2007-12-20	Tensilica发布二代钻石系列处理器，降低存储器功耗高达30%
	更低的成本，更低的功耗一直是SOC设计者最为关注的问题。“Tensilica将不遗余力地继续提供业界最好的低功耗高性能处理器，充分表明 Tensilica在通用控制器、DSP和多媒体应用领域捍卫领军地位的决心。” 近日，来京参加二代钻石系列处理器的Tensilica CEO Chris Rowen博士这样表示。
2007-11-09	Tensilica第二代钻石系列处理器降低30%存储器功耗
	Tensilica公司日前全球发布第二代钻石系列处理器，该低功耗高性能的钻石系列处理器，自推出便在可授权处理器市场上大获成功。第二代钻石系列处理器提供更多新特性，包括增加的乘法和除法运算单元、对硬件进行优化以降低30%的存储器功耗以及可选的基于AXI的AMBA总线转接桥。
2007-11-08	Ramtron 4Kb F-RAM存储器符合+125℃规范要求
	FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。
2007-09-05	Ramtron针对汽车系统将FRAM存储器升级至+125℃范围
	全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其FRAM Grade 1汽车产品系列，新增一款64Kb串行FRAM，可在-40至+125℃整个汽车温度范围内正常运作。
2007-09-01	为手机选择合适的存储器
	现在的手机系统设计工程师在选择闪存方案时有很多选择。确定并选择符合设计目标的正确解决方案对满足设计目标确保成功至关重要，当然，每种存储器解决方案都有各自的优缺点。
2007-08-01	未来十年我们将使用什么样的存储器？
	在未来的2到4年里，PCM技术肯定会大放异彩。英特尔公司技术与制造部副总裁Stefan Lai博士认为，PCM是最好的闪存替代技术，但在2010年前我们不会看到有哪种可靠的技术能挑战目前主流的批量生产的闪存。
2007-07-20	首次支持1.5V低功耗DDR3存储器，Altera低功耗Stratix III显优势
	Altera率先在业界实现对新的JEDEC DDR3 SDRAM标准的全面支持。Stratix III FPGA降低了30%的系统功耗，是第一款也是唯一一款支持1.5V低功耗DDR3存储器的FPGA。
2007-07-12	嵌入式应用中存储器类型的选择技巧
	为嵌入式系统选择存储器类型时，需要考虑一些设计参数，包括微控制器的选择、电压范围、电池寿命、读写速度、存储器尺寸、存储器的特性、擦除/写入的耐久性以及系统总成本。
2007-06-08	赛灵思最新完整FPGA方案简化存储器接口设计
	赛灵思近日宣布推出支持DDR2 SDRAM接口的低成本Spartan-3A FPGA开发套件、支持多种高性能存储器接口(I/Fs)的Virtex-5 FPGA 开发平台(ML-561)，以及存储器接口生成器(MIG)软件1.7版本。这些完整的解决方案使FPGA用户能够快速实施并验证在不同数据速率和总线宽度下的专用存储器接口设计，从而加快产品的上市时间。
2007-05-22	存储器卡接口电平转换与信号保护
	本应用笔记阐述了MAX13030E-MAX13035E逻辑电平转换器在存储卡电平转换中的应用。给出了一个能体现该系列器件优势的电路实例。
2007-04-02	Ramtron业界首推4兆位非易失性FRAM存储器
	Ramtron宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。
2007-03-06	本土初创公司挑战存储器巨头，八字箴言助成功
	GigaDevice，作为存储器领域的新兴力量，他远没有三星、Spansion等巨头名号来的响亮，但是从2004年创办至今，该公司以其清晰的发展思路一步一个脚印的走了下来，他们怀抱做存储行业巨头的信念，收获了不少技术硕果。是什么样的力量让初创本土企业敢于挑战存储巨头？让我们来一起看看他的成长吧
2007-01-31	ST推出微型高密度1Mbit串行EEPROM存储器
	非易失性存储器IC生产厂商意法半导体日前推出一款新的1-Mbit串行EEPROM芯片，这个型号为M24M01的新产品采用微型SO8N封装，封装外壳宽度仅为150-mil(3.8mm)。
2006-10-27	FRAM解决存储器两难选择，将在未来MCU中大显身手
	由于FRAM既具有闪存的非易失特性，也具有SRAM的高速访问特性，所以未来的FRAM微控制器可能会携带FRAM。
2006-10-24	FRAM存储器入选计量产品，盐河项目发挥性能优势
	Ramtron International 公司宣布其FRAM存储器产品已获美国Ampy Automation公司选中，用于以亚利桑那州凤凰城为基地的盐河项目 (Salt River Project) 的现收现付 (Pay As You Go) 市电计量设计中。
2006-09-01	全球首款4Mb MRAM存储器商用芯片
	飞思卡尔的首款商用MRAM产品名称为MR2A16A，该4Mb MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，具有极强的耐用性，它结合了其它任何单个半导体存储器都不具备的多种特性。该设备基于飞思卡尔的100多项专利所保护的技术，包括跳变位(Toggle-bit)切换。
2006-06-20	Ramtron首次将非易失性FRAM存储器嵌入8051MCU中
	非易失性铁电存储器(FRAM) 厂商Ramtron International近日发布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051MCU - VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入于其高速灵活的Versa 8051系列产品中，以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有嵌入了FRAM的增强型微控制器才能提供。
2006-04-03	三星OneNAND存储器将首次以外部存储卡的形式问市
	三星OneNAND存储器将首次以外部存储卡的形式问市，作为标准NAND闪存卡的替代产品，基于OneNAND的32MB存储卡具有两倍于同等尺寸传统MMC卡的高性能，而1GB和512MB密度的OneNAND闪存卡将在今年底面市。
2006-03-28	MC68HC908JL16 系列存储器升级
	飞思卡尔半导体公司扩大了其MC68HC908JL16系列8位微控制器(MCU)的存储器容量，并且升级了几种外围设备。这款高级设备拥有16K闪存、512字节RAM和I2C，提供灵活的高级时钟选项。
2006-03-27	MemCon 2006登陆上海，存储器和闪存技术成为焦点
	Denali日前宣布，该公司主办的MemCon 2006系列研讨会将于4月6日在上海万豪虹桥大酒店举行。该展会吸引了全球著名的半导体存储器和存储介质厂商参展。展会会聚业内著名的专家，他们将就从存储器市场到DRAM存储器和Flash闪存再到其他新兴的存储器技术展开陈述和讨论。
2006-02-23	应用于存储及网络应用中的新一代存储器
	存储网络运用一种共享存储架构模型,实现了数据存储和可存取性解决方案。存储区域网络这一术语包含了两项互有交叉的技术：存储区域联网(SAN)和网络附属存储(NAS)。
2006-02-22	意法半导体高性能8位MCU系列产品新增32KB片上SRAM存储器
	意法半导体近日宣布，该公司的大容量SRAM版高性能8051级微控制器uPSD3400 Turbo Plus系列产品已投入量产。新的uPSD3454E系列集成了市场领先的32KB SRAM和256KB闪存，以及USB 2.0全速接口等外设接口。
2006-02-14	可降低DDR存储器系统开关噪声的电源电路
	此电源电路用线性调节器取代了降压转换器，这样做的好处在于用小型低噪声运算放大器线性调节器代替了相对较大的电感器，并消除了脉宽调制(PWM)转换器引起的开关噪声。
2006-02-02	Micron启动多芯片封装线，为手机设计者提供强大的存储器组合
	高级存储器和图像传感器解决方案的全球提供商Micron Technology, Inc.,公司于日前发布了用于多功能手机的新的多芯片封装(MCP)存储器线。
2006-01-22	提高SoC设计中存储器时序和功耗精度的途径
	随着SoC设计复杂度增加和硅制造成本升高，对嵌入式存储器进行详尽的时序和功耗分析显得十分必要。不过，一些传统的建模方法存在这样或那样的质量缺陷。而本文介绍的分层化仿真器和两种存储器特征化流程可提高存储器时序和功耗模型的精度，有助于生成高质量的SoC设计。
2006-01-15	ZMD AG新推非易失性32位存储器
	ZMD AG日前推出非易失性存储器新品1Mb nvSRAM (UL634H1708A)和4Mb nvSRAM (UL634H1732A)。
2006-01-01	增强鲁棒性-存储器接口设计的信号完整性测试及改进
	存储器和其它组件之间的问题通常存在于这些器件之间的接口上，这些系统级的问题有时候是难以觉察的。本文详述了一种能够很容易地识别和解决这些出现在存储器接口上问题的测试工具，从而使你的设计更为鲁棒。
2006-01-01	利用1TRAM模块在逻辑芯片中嵌入更多的存储器(二)
	随着系统级芯片(SoC)时代的快速发展，迫切需要在逻辑芯片上嵌入大量存储器，并使最终技术尽可能地灵活和具成本效益。我们可以使用单晶体管随机存取存储器(1TRAM)这种较新颖的技术来取代尺寸很大的SRAM模块。为最优地实施这种节省空间的SRAM替代技术，数据刷新和单元布局题必须得到解决。
2006-01-01	电源管理IC是DDR SDRAM存储器的理想选择(一)
	与其它存储器技术相比，DDR SDRAM具有出众性能、很低的功耗以及更具竞争力的成本。可与以前的SDRAM技术相比，DDRx存储器需要一个更复杂的电源管理新架构。本文探讨了DDR电源管理架构的理想选择。
2006-01-01	面向高性能网络应用的存储器——QDR-II SRAM
	QDR-II SRAM是用于高速、高带宽操作的理想存储器，这种在兼顾了不同兼容性以及高性能的存储器件蕴育着存储器市场的下一次革命。本文详细介绍了QDR与QDR-II在工作频率和架构上的差异、QDR-II的功能及特性、两种端接实现方法及时钟选择策略。
2006-01-01	DDR2存储器的性能优势及在消费电子产品中的应用展望
	DDR2 SDRAM存储器具有高数据速率、低功耗以及高密度特点，这些特点也适合当前数字消费电子产品的应用需求，如机顶盒和数码相机等。本文对比分析了DDR2相对传统存储器的性能特点，并介绍了DDR2在数字消费电子产品上的应用机会。
2006-01-01	高速存储器故障的快速排错技术(一)
	本文概要地介绍了排除间歇性存储器故障的方法，这些方法都可以应用于DDR、DDR2和全缓冲DIMM系统SDRAM侧的排错，具体测试方案根据所使用的连接器或者存储器是否是嵌入式的而不同。本文通过一些事例说明如何发现存储器故障的不同根源。当工程师在对不能启动或存储器故障测试反复失败的系统进行排错时，也可以从本文介绍的方法中获益。
2006-01-01	开关与线性架构的折衷：谈消费类应用DDR存储器的电源设计
	不论是采用分立元件系统还是高度集成的系统级芯片(SoC)，许多嵌入式消费电子系统都利用了现有系统(如PC或其它成熟的通用系统)的架构。这些嵌入式系统(或子系统)通常不存在对奢侈的灵活性扩展的需求，甚至也不需要PC类系统设计所要求的全部资源。一种成本得到优化的参考设计可以大幅降低成本、缩小电路板空间并可带来其它好处。
2006-01-01	DRAM存储器模组：嵌入式应用的存储选择
	对于众多嵌入式应用——特别是那些需要更大容量存储，要求设计上要具有灵活性、设计中可选用多种存储器，并且更长使用寿命的应用来说，DRAM存储器模组是一种极佳的选择。本文对如何选择最佳的存储器模组及所考虑的协调方案进行了介绍。
2006-01-01	LOGIC Devices新推的LF3324存储器便于灵活寻址
	LOGIC Device公司日前宣布，已经开始交付新一代的LF3324帧缓冲器/先进先出存储器(FIFO)的样品。该器件集成了24兆位内存和集顺序存取及随机存取模式于一身的强劲寻址控制功能。
2006-01-01	电源管理IC是DDR SDRAM存储器的理想选择(二)
	与其它存储器技术相比，DDR SDRAM具有出众性能、很低的功耗以及更具竞争力的成本。可与以前的SDRAM技术相比，DDRx存储器需要一个更复杂的电源管理新架构。本文探讨了DDR电源管理架构的理想选择。
2006-01-01	利用1TRAM模块在逻辑芯片中嵌入更多的存储器(一)
	随着系统级芯片(SoC)时代的快速发展，迫切需要在逻辑芯片上嵌入大量存储器，并使最终技术尽可能地灵活和具成本效益。我们可以使用单晶体管随机存取存储器(1TRAM)这种较新颖的技术来取代尺寸很大的SRAM模块。为最优地实施这种节省空间的SRAM替代技术，数据刷新和单元布局题必须得到解决。
2006-01-01	高速存储器故障的快速排错技术(二)
	本文概要地介绍了排除间歇性存储器故障的方法，这些方法都可以应用于DDR、DDR2和全缓冲DIMM系统SDRAM侧的排错，具体测试方案根据所使用的连接器或者存储器是否是嵌入式的而不同。本文通过一些事例说明如何发现存储器故障的不同根源。当工程师在对不能启动或存储器故障测试反复失败的系统进行排错时，也可以从本文介绍的方法中获益。
2006-01-01	精工推出与LSI兼容的SD存储器卡主机接口
	精工新推出与LSI兼容的SD存储器卡主机接口SD CPRM。

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