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存储器相关文章 |
| 2008年05月12日
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Ramtron推出带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪
Ramtron International Corporation日前宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR) -- FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。
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| 2008年04月24日
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Ramtron推出业界首款2Mb串行F-RAM存储器
高密度F-RAM采用微型封装，提供更大的数据采集能力，可替代要求低功耗的小系统内的闪存.FM25H20采用先进的130nm CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口(SPI)。
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| 2008年04月11日
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泰克为下一代DDR3存储器推出最完善的系列测试工具
泰克公司日前宣布，为DDR2和DDR3技术推出完善的系列测试工具。DDR3是下一代双倍数据速率(DDR)同步动态随机访问存储器(SDRAM)，将提供性能更高的数据速率。
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| 2008年03月14日
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弥补大厂空缺，芯技佳易在存储器领域稳步前进
从最初研发授权SRAM IP到生产SRAM产品，从单一的SRAM产品线到现在拥有SRAM、SDRAM、SPI Flash三大主打产品，北京芯技佳易微电子公司在存储器领域稳步前进。
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| 2008年03月06日
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三星在IIC-China展示存储器和便携式应用产品
三星在本届IIC-China上主要展示了其存储器产品系列以及多个便携式多媒体解决方案。三星展示的存储器产品包括DRAM、闪存以及Fusion存储器的晶圆、芯片和相关的模块、模组等；解决方案则包括基于其移动显示驱动芯片S6FR201的移动显示方案、基于SC3244x应用处理器的智能手机方案和基于S3C244x应用处理器的移动电视方案等。其中，S6FR201是世界第一款用于移动显示屏的wXGA LTPS显示驱动IC。
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| 2008年02月25日
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英特尔和意法半导体携手推出采用PCM的Alverstone存储器
相变存储器一直以来是存储技术研发领域的一个热门研究话题,它是一种前景看好的新型存储技术，数据读写速度非常快，功耗低于传统的闪存技术。此次，英特尔和ST共同推出的代码为“Alverstone”的存储器芯片采用相变存储器技术。两家公司开始为客户提供创新存储技术的样片。
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| 2008年01月10日
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Microchip为其低档PIC单片机架构增加闪存数据存储器
全球领先的单片机和模拟半导体供应商??Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布，推出两款首次配备非易失性闪存数据存储器（FDM）的8引脚和14引脚封装低档 8位闪存PIC单片机。
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| 2007年12月20日
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Tensilica发布二代钻石系列处理器，降低存储器功耗高达30%
更低的成本，更低的功耗一直是SOC设计者最为关注的问题。“Tensilica将不遗余力地继续提供业界最好的低功耗高性能处理器，充分表明Tensilica在通用控制器、DSP和多媒体应用领域捍卫领军地位的决心。” 近日，来京参加二代钻石系列处理器的Tensilica CEO Chris Rowen博士这样表示。
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| 2007年11月09日
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Tensilica第二代钻石系列处理器降低30%存储器功耗
Tensilica公司日前全球发布第二代钻石系列处理器，该低功耗高性能的钻石系列处理器，自推出便在可授权处理器市场上大获成功。第二代钻石系列处理器提供更多新特性，包括增加的乘法和除法运算单元、对硬件进行优化以降低30%的存储器功耗以及可选的基于AXI的AMBA总线转接桥。
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2007年09月28日 |
RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)??VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 |
2007年09月05日 |
Ramtron针对汽车系统将FRAM存储器升级至+125℃范围
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其FRAM Grade 1汽车产品系列，新增一款64Kb串行FRAM，可在-40至+125℃整个汽车温度范围内正常运作。 |
2007年09月01日 |
为手机选择合适的存储器
现在的手机系统设计工程师在选择闪存方案时有很多选择。确定并选择符合设计目标的正确解决方案对满足设计目标确保成功至关重要，当然，每种存储器解决方案都有各自的优缺点。 |
2007年08月01日 |
未来十年我们将使用什么样的存储器？
在未来的2到4年里，PCM技术肯定会大放异彩。英特尔公司技术与制造部副总裁Stefan Lai博士认为，PCM是最好的闪存替代技术，但在2010年前我们不会看到有哪种可靠的技术能挑战目前主流的批量生产的闪存。 |
2007年08月01日 |
理清移动存储器领域“纠缠不清”的概念
似乎每天都有新的海量存储器标准问世。CompactFlash(CF)曾一度独步天下，但是今天，新设备制造商不得不在CF、安全数据(SD)、SDIO、多媒体存储卡(MMC)、RS-MMC、MMC Plus、MemoryStick、XD-Picture(XD)和CE-ATA等等这些海量存储器之间做出选择。有时，一种新标准具有明显优势；而另外一些时候，新标准和已有标准又像是在重蹈Betamax与VHS格式间的对决，在先期很难看到谁将取得胜利。 |
2007年07月20日 |
首次支持1.5V低功耗DDR3存储器，Altera低功耗Stratix III显优势
Altera率先在业界实现对新的JEDEC DDR3 SDRAM标准的全面支持。Stratix III FPGA降低了30%的系统功耗，是第一款也是唯一一款支持1.5V低功耗DDR3存储器的FPGA。 |
2007年07月12日 |
铁电液晶技术实现具成本效益的全息照相存储器
全息照相存储并不是什么新技术。它早已在那些需要大容量存储，又对成本限制不太严格的专业领域中发挥作用。由于具有降低设备成本、缩小系统尺寸的优势，这种技术开始越来越广泛地运用在各种应用中。 |
2007年07月12日 |
嵌入式应用中存储器类型的选择技巧
为嵌入式系统选择存储器类型时，需要考虑一些设计参数，包括微控制器的选择、电压范围、电池寿命、读写速度、存储器尺寸、存储器的特性、擦除/写入的耐久性以及系统总成本。 |
2007年06月08日 |
赛灵思最新完整FPGA方案简化存储器接口设计
赛灵思近日宣布推出支持DDR2 SDRAM接口的低成本Spartan-3A FPGA开发套件、支持多种高性能存储器接口(I/Fs)的Virtex-5 FPGA 开发平台(ML-561)，以及存储器接口生成器(MIG)软件1.7版本。这些完整的解决方案使FPGA用户能够快速实施并验证在不同数据速率和总线宽度下的专用存储器接口设计，从而加快产品的上市时间。 |
2007年05月22日 |
存储器卡接口电平转换与信号保护
本应用笔记阐述了MAX13030E-MAX13035E逻辑电平转换器在存储卡电平转换中的应用。给出了一个能体现该系列器件优势的电路实例。 |
2007年05月01日 |
利用Virtex-5 FPGA设计最新一代高速存储器接口
目前，源同步双数据速率(DDR)存储器件，例如 DDRII SDRAM、QDR IISRAM 和 RLDRAM II，给设计师带来了芯片级和板级的设计挑战。更高的时钟频率导致数据有效窗口迅速缩小。信号完整性、时钟抖动、存储器不确定性、可变的片上延迟、PCB的走线偏斜失配以及其它因素，对如何在更小的数据有效窗口下满足时序要求带来了较大的影响。 |
2007年04月02日 |
Ramtron业界首推4兆位非易失性FRAM存储器
Ramtron宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。 |
2007年03月06日 |
本土初创公司挑战存储器巨头，八字箴言助成功
GigaDevice，作为存储器领域的新兴力量，他远没有三星、Spansion等巨头名号来的响亮，但是从2004年创办至今，该公司以其清晰的发展思路一步一个脚印的走了下来，他们怀抱做存储行业巨头的信念，收获了不少技术硕果。是什么样的力量让初创本土企业敢于挑战存储巨头？让我们来一起看看他的成长吧 |
2007年01月31日 |
ST推出微型高密度1Mbit串行EEPROM存储器
非易失性存储器IC生产厂商意法半导体日前推出一款新的1-Mbit串行EEPROM芯片，这个型号为M24M01的新产品采用微型SO8N封装，封装外壳宽度仅为150-mil(3.8mm)。 |
2007年01月26日 |
Catalyst电压监控器件含业界最宽选择范围嵌入式存储器
模拟、混合信号元件及非易失性内存供应商Catalyst半导体公司新推出了三个系列的电压监控器件，它们包含业内最宽选择范围的嵌入式存储器。 |
2007年01月19日 |
瑞萨与力晶共建合资企业，推进先进存储器件设计
瑞萨科技公司(Renesas Technology)与力晶半导体公司(Powerchip Semiconductor)日前宣布，双方已签署协议将建立一家致力于先进存储器件设计的合资企业。 |
2006年12月30日 |
TI高性能DSP将存储器容量与I/O带宽提高一倍
德州仪器(TI)宣布推出低成本、高性能TMS320C6454 DSP，使设计人员在同等价格下获得更高性能的DSP。 |
2006年10月27日 |
FRAM解决存储器两难选择，将在未来MCU中大显身手
由于FRAM既具有闪存的非易失特性，也具有SRAM的高速访问特性，所以未来的FRAM微控制器可能会携带FRAM。 |
2006年10月24日 |
FRAM存储器入选计量产品，盐河项目发挥性能优势
Ramtron International 公司宣布其FRAM存储器产品已获美国Ampy Automation公司选中，用于以亚利桑那州凤凰城为基地的盐河项目 (Salt River Project) 的现收现付 (Pay As You Go) 市电计量设计中。 |
2006年10月04日 |
关于铁电存储器(FRAM)的常见问答
铁电存储器(FRAM)在性能方面与EEPRON和Flash相比有三点优势之处：读写速度更快、可以无限次擦写、所需功耗远远低于其他非易失性存储器。 |
2006年09月21日 |
满足StrataFlash嵌入式存储器要求的LDO应用电路
TI的LDO为StrataFlash嵌入式存储器(P30)模块的供电电路非常简单，唯一的必要元件是LDO本身和它的输出电容。 |
2006年09月18日 |
Ramtron推出512Kb FRAM串口存储器产品
Ramtron International 公司扩展了其串口存储器产品系列，推出带有2线工业标准串行接口的半兆位非易失性FRAM产品FM24C512，面向需要高容量的数据采集领域，如市电计量和实时配置存储服务。 |
2006年09月01日 |
全球首款4Mb MRAM存储器商用芯片
飞思卡尔的首款商用MRAM产品名称为MR2A16A，该4Mb MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，具有极强的耐用性，它结合了其它任何单个半导体存储器都不具备的多种特性。该设备基于飞思卡尔的100多项专利所保护的技术，包括跳变位(Toggle-bit)切换。 |
2006年08月01日 |
采用安捷伦FPGA动态探头调试存储器子系统
内核辅助调试为实现迅速而深入的测试提供了一种极具吸引力的方法。本文对各种内核辅助调试方法进行了比较，并详述一个采用安捷伦FPGA动态探头调试存储器子系统的实例。 |
2006年07月31日 |
LDO与StrataFlash嵌入式存储器配合使用的应用电路
本文讨论TI公司的低压差(LDO)线性调节器TPS79918与英特尔的下一代StrataFlash嵌入式存储器(P30)搭配使用的应用电路。 |
2006年06月20日 |
Ramtron首次将非易失性FRAM存储器嵌入8051MCU中
非易失性铁电存储器(FRAM)厂商Ramtron International近日发布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051MCU - VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入于其高速灵活的Versa 8051系列产品中，以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有嵌入了FRAM的增强型微控制器才能提供。 |
2006年05月16日 |
飞思卡尔S12XE系列16位汽车MCU将存储器容量提高一倍
近日，飞思卡尔半导体公司扩展了其高性能S12X 16位微处理器(MCU)产品系列，为汽车车身和多工应用的设计者提供增强的系统完整性和更高的集成度。高级S12XE MCU系列拥有更多的存储器选择，可在一种产品中提供更加出色的功能，并且降低整体系统成本。 |
2006年04月26日 |
移动平台中的系统存储器功耗和热量管理技术(下)
在简要地介绍关于冷却限制的背景后，本文将集中讨论系统存储器(特别是在笔记本电脑中)，它是平台中一个主要的功耗组件，并利用新的抑制技术来探讨其冷却限制、功耗、功耗预测和带宽恢复。 |
2006年04月25日 |
移动平台中的系统存储器功耗和热量管理技术(中)
在简要地介绍关于冷却限制的背景后，本文将集中讨论系统存储器(特别是在笔记本电脑中)，它是平台中一个主要的功耗组件，并利用新的抑制技术来探讨其冷却限制、功耗、功耗预测和带宽恢复。 |
2006年04月24日 |
移动平台中的系统存储器功耗和热量管理技术(上)
在简要地介绍关于冷却限制的背景后，本文将集中讨论系统存储器(特别是在笔记本电脑中)，它是平台中一个主要的功耗组件，并利用新的抑制技术来探讨其冷却限制、功耗、功耗预测和带宽恢复。 |
2006年04月03日 |
三星OneNAND存储器将首次以外部存储卡的形式问市
三星OneNAND存储器将首次以外部存储卡的形式问市，作为标准NAND闪存卡的替代产品，基于OneNAND的32MB存储卡具有两倍于同等尺寸传统MMC卡的高性能，而1GB和512MB密度的OneNAND闪存卡将在今年底面市。 |
2006年03月28日 |
MC68HC908JL16 系列存储器升级
飞思卡尔半导体公司扩大了其MC68HC908JL16系列8位微控制器(MCU)的存储器容量，并且升级了几种外围设备。这款高级设备拥有16K闪存、512字节RAM和I2C，提供灵活的高级时钟选项。 |
2006年03月27日 |
MemCon 2006登陆上海，存储器和闪存技术成为焦点
Denali日前宣布，该公司主办的MemCon 2006系列研讨会将于4月6日在上海万豪虹桥大酒店举行。该展会吸引了全球著名的半导体存储器和存储介质厂商参展。展会会聚业内著名的专家，他们将就从存储器市场到DRAM存储器和Flash闪存再到其他新兴的存储器技术展开陈述和讨论。 |
2006年03月14日 |
IIC 2006: 存储器市场风起云涌，美光携强援加入NAND战局
美光科技(Micron Technologies)在本届IIC上展出了NAND闪存和新的针对不同应用市场的DRAM存储器。 |
2006年01月12日 |
日立与瑞萨科技发布最新MOS相位转换存储器单元，只需100μA编程电流
日立与瑞萨科技日前发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程 |
2006年03月01日 |
采用铁电存储器FM3808降低无线抄表系统的功耗
在无线抄表系统中，利用铁电存储器FM3808的独特性能，能巧妙地用一个FM3808芯片完成三个独立器件的功能。这不但提高了系统的可靠性，而且还降低了系统功耗，使无线远传系统中的集中器的重要功能得以实现。 |
2006年02月02日 |
Micron启动多芯片封装线，为手机设计者提供强大的存储器组合
高级存储器和图像传感器解决方案的全球提供商Micron Technology, Inc.,公司于日前发布了用于多功能手机的新的多芯片封装(MCP)存储器线。 |
2006年02月23日 |
测量并抑制存储器件中的软误差
随着加工工艺尺寸的日益缩小，软误差对存储器件的影响已经从原先的无关紧要演变成为系统设计中需要加以认真考虑的重要事项。本文将讨论产生这些软误差的根源、不同的测量技术以及抵御这些软误差的方法。 |
2006年02月23日 |
应用于存储及网络应用中的新一代存储器
存储网络运用一种共享存储架构模型,实现了数据存储和可存取性解决方案。存储区域网络这一术语包含了两项互有交叉的技术：存储区域联网(SAN)和网络附属存储(NAS)。 |
2006年02月23日 |
采用多端口存储器的高效无线基带处理
大量的DSP、FPGA和ASIC被用来进行任务分配、数据的并行处理以及实时共享。采用具有较大缓冲容量的多端口存储器可实现这种处理器之间的通信。本文将阐明在一个采用多端口存储器的3G基站中的基带处理板卡内部所使用的某些技术 |
2006年01月15日 |
ZMD AG新推非易失性32位存储器
ZMD AG日前推出非易失性存储器新品1Mb nvSRAM (UL634H1708A)和4Mb nvSRAM (UL634H1732A)。 |
2006年01月08日 |
新型MOS相位转换存储器单元可降低50％功耗
日立与瑞萨科技日前发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型，这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程。 |
2006年02月22日 |
意法半导体高性能8位MCU系列产品新增32KB片上SRAM存储器
意法半导体近日宣布，该公司的大容量SRAM版高性能8051级微控制器uPSD3400 Turbo Plus系列产品已投入量产。新的uPSD3454E系列集成了市场领先的32KB SRAM和256KB闪存，以及USB 2.0全速接口等外设接口。 |
2006年02月14日 |
可降低DDR存储器系统开关噪声的电源电路
此电源电路用线性调节器取代了降压转换器，这样做的好处在于用小型低噪声运算放大器线性调节器代替了相对较大的电感器，并消除了脉宽调制(PWM)转换器引起的开关噪声。 |
2006年02月27日 |
市场需要低成本和安全的非易失性嵌入式存储器
非易失性存储器(NVM)有很多用途，包括存储处理器固件、密钥、PIN和ID号。ROM(只读存储器)和闪存是当今NVM技术的两项主要应用。两者固有其长处，但也有各自的缺点，这些缺点会限制其在很多新产品中的应用。 |
2006年01月27日 |
通过嵌入式存储器测试和修复解决良品率问题
系统级芯片(SoC)中存储器容量的增加以及嵌入式存储器支配整个裸片良品率的事实，使良品率设计(DFY)面临日益严峻的挑战，特别是在新兴的90nm和65nm半导体技术领域。由于嵌入式存储器容易产生较高的缺陷率，会对整个芯片良品率和良品率管理产生重要影响，因而DFY成为制造的关键问题。 |
2006年01月27日 |
新一代存储器编译器续写摩尔定律神话
在器件从90nm工艺节点向更高密度工艺发展的道路上，同时支持1T和6T存储器的新一代存储器编译器与测试和可制造性工具及高质量存储器的紧密链接，可使架构师充分地利用数十亿的晶体管规模，从而续写摩尔定律。 |
2006年01月22日 |
嵌入式存储器IP成为SoC设计的关键
随着芯片复杂度不断增加，半导体行业相应发生了巨大变化。为了建造采用最新技术(如90纳米工艺)的晶圆厂，垂直商业模式的集成器件制造商(IDM)面临着巨额投资的压力。现在，他们越来越多地将设计工具、半导体知识产权(IP)、甚至制造和测试服务等外包给其他公司，以维持或实现盈利。 |
2006年01月22日 |
增强型验证方法在嵌入式存储器设计中扮演重要角色
随着消费者对数据吞吐量的需求不断上升，高集成度产品对存储器的需求也越来越多。在从DVD播放机、蜂窝电话到个人身份卡的一系列应用中，设计者被要求集成更多数量和更大容量的嵌入式存储器阵列，以满足各种数据和代码的存储需要。 |
2006年01月22日 |
提高SoC设计中存储器时序和功耗精度的途径
随着SoC设计复杂度增加和硅制造成本升高，对嵌入式存储器进行详尽的时序和功耗分析显得十分必要。不过，一些传统的建模方法存在这样或那样的质量缺陷。而本文介绍的分层化仿真器和两种存储器特征化流程可提高存储器时序和功耗模型的精度，有助于生成高质量的SoC设计。 |
2006年01月15日 |
MBIST：用于嵌入式存储器的可测试设计技术
MBIST技术可以自动实现存储器单元或阵列的RTL级内建自测试电路，MBIST的EDA工具支持多种测试算法的自动实现，可针对一个或多个内嵌存储器自动创建BIST逻辑，并完成BIST逻辑与存储器的连接，此外MBIST结构中还可包括故障自动诊断功能，方便了故障定位和开发针对性测试向量。本文将介绍用于嵌入式存储器设计的MBIST技术，并对其电路结构进行讨论。 |
2006年01月15日 |
系统级芯片内部存储器与外部存储器组合设计方法
很多系统级芯片带有内部存储器，它具有速度快功耗低的优点，但容量却不是很大，因此需要和外部存储器结合起来使用。本文介绍如何配置系统以使片上SRAM和片外SDRAM一起构成一个连续的存储空间，达到比单独使用SDRAM时等待时间更短且功耗更低的目的。 |
2006年01月01日 |
存储器内置自测试正成为测试嵌入式存储器的标准技术
随着SoC设计向存储器比例大于逻辑部分比例的方向发展，高质量的存储器测试策略显得尤为重要。存储器内置自测试(BIST)技术以合理的面积开销来对单个嵌入式存储器进行彻底的测试，可提高DPM、产品质量及良品率，因而正成为测试嵌入式存储器的标准技术。 |
2006年01月08日 |
NOR闪存巨头联合发布公用存储器子系统规范
NOR闪存是大众主流手机市场首选的存储器技术。据市场调研公司iSuppli资料显示，NOR闪存出货占手机嵌入式闪存出货的92.8%，而英特尔和ST提供的NOR闪存占手机闪存市场的40%以上。 |
2006年01月11日 |
铁电存储器的技术原理
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁?D?D一种非易失性的RAM。 |
2006年01月01日 |
多端口存储器可改善无线基带处理性能
3G网络对信号处理能力需求的增长要比处理技术提供所需处理器速度的能力的提升快得多。如本文阐述的，在基站架构中采用多端口存储器的一些技术有助于弥补这一差距，它们可改善系统总体性能、提供设计灵活性并实现产品的快速面市。 |
2006年01月01日 |
采用SRAM+EEPROM方式的新型非易失性存储器
本文详细了介绍了德国ZMD公司的非易失性存储器(NvSRAM)的原理、种类及应用。德国ZMD公司的非易失性存储器采用SRAM+EEPROM方式，巧妙地将两种存储技术集成进一个芯片之中，降低了成本，提高了可靠性。本文除介绍芯片原理之外，还提供了参考框图。 |
2006年01月01日 |
利用1TRAM模块在逻辑芯片中嵌入更多的存储器(二)
随着系统级芯片(SoC)时代的快速发展，迫切需要在逻辑芯片上嵌入大量存储器，并使最终技术尽可能地灵活和具成本效益。我们可以使用单晶体管随机存取存储器(1TRAM)这种较新颖的技术来取代尺寸很大的SRAM模块。为最优地实施这种节省空间的SRAM替代技术，数据刷新和单元布局题必须得到解决。 |
2006年01月01日 |
利用1TRAM模块在逻辑芯片中嵌入更多的存储器(一)
随着系统级芯片(SoC)时代的快速发展，迫切需要在逻辑芯片上嵌入大量存储器，并使最终技术尽可能地灵活和具成本效益。我们可以使用单晶体管随机存取存储器(1TRAM)这种较新颖的技术来取代尺寸很大的SRAM模块。为最优地实施这种节省空间的SRAM替代技术，数据刷新和单元布局题必须得到解决。 |
2006年01月01日 |
高速存储器故障的快速排错技术(一)
本文概要地介绍了排除间歇性存储器故障的方法，这些方法都可以应用于DDR、DDR2和全缓冲DIMM系统SDRAM侧的排错，具体测试方案根据所使用的连接器或者存储器是否是嵌入式的而不同。本文通过一些事例说明如何发现存储器故障的不同根源。当工程师在对不能启动或存储器故障测试反复失败的系统进行排错时，也可以从本文介绍的方法中获益。 |
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